三安光電與Wolfspeed的發(fā)展路徑較為相似，作為在LED領域深耕多年的領軍者，向同源工藝的第三代半導體延伸，并逐漸發(fā)展成為業(yè)內舉足輕重的化合物半導體巨頭。

傳統(tǒng)LED周期回暖疊加Mini LED產業(yè)爆發(fā)，公司作為業(yè)內龍頭將顯著受益。三安光電位于產業(yè)鏈上游，2000年成立，2002年首片自產外延片問世，2003年研制我國獨立知識產權的LED芯片，打破我國過去LED進口以來的歷史。當下，公司已實現LED產業(yè)鏈一體化生產能力并繼續(xù)延續(xù)創(chuàng)新精神，憑借20余年在LED行業(yè)雄厚的技術積累，前瞻性布局Mini／Micro LED 新型顯示技術。

于2019年11月開啟半導體產業(yè)化一期項目，擴張Mini／Micro LED芯片及封裝產能，氮化鎵Mini／Micro LED芯片161萬片／年、砷化鎵Mini／Micro LED芯片17．6萬片／年。此外，公司積極開展與三星、TCL等龍頭企業(yè)戰(zhàn)略合作，持續(xù)加強技術能力。根據高工產業(yè)研究院（GGII）數據顯示，2019年中國MiniLED市場規(guī)模在16億元左右，2020年MiniLED市場規(guī)模預計達到37．8億元，同比增長140％。前瞻產業(yè)研究院以此測算2026年中國MiniLED行業(yè)市場規(guī)模有望突破400億元，增長空間超過10倍。我們認為下游需求爆發(fā)背景下，公司積極創(chuàng)新布局，行業(yè)龍頭地位將進一步鞏固且盈利能力將持續(xù)增強。

公司搶先布局化合物半導體，擁有從襯底到器件的全鏈條布局。三安光電2014年即設立全資子公司三安集成，三安集成作為國內首家基于6英寸晶圓的化合物半導體晶圓代工廠，從基于砷化鎵材料的無線射頻IC，到基于碳化硅、氮化鎵材料的寬禁帶功率半導體，再到基于砷化鎵、磷化銦材料的激光光源和光探測芯片，三安集成均有相應的投入和規(guī)劃；三安集成致力于成為世界級的化合物半導體研發(fā)、制造和服務平臺，服務全球IDH和IDM。目前湖南項目一期已投產，預計年產SiC晶圓40萬片／年；砷化鎵射頻擴產設備已逐步到位，產能達到8，000片／月。

我們認為公司作為LED行業(yè)龍頭，基于LED產業(yè)鏈一體化實現降本增效保證穩(wěn)定營收。在此基礎上，公司積極布局第三代半導體，建設產線的同時與下游TCL、三星等企業(yè)戰(zhàn)略合作，現已實現微波射頻、光電、電力電子、光通訊四大領域的細分產品供應。未來，在下游需求高景氣度的背景下，待公司產能不斷釋放，將持續(xù)驅動公司營收規(guī)模增長。

投資評級與估值：我們預計2021－2023年公司營收分別為123．20、160．06、202．76億元，歸母凈利潤分別為21．38、29．40、39．45億元，EPS分別為0．48、0．66、0．88元，維持公司“強烈推薦”評級。

風險提示：疫情超預期反彈影響生產；Mini LED等新型顯示應用普及不及預期；傳統(tǒng)LED行業(yè)需求萎靡；長沙、湖北等項目的產能釋放進度不及預期；碳化硅等化合物半導體材料成本下降困難，技術迭代不及預期等。