12月8日消息，佛山市國星光電股份有限公司（以下簡稱“國星光電”或“公司”）發(fā)布公告表示，于2020年4月29日公司披露《關于公司取得土地證的公告》（2020－028），公司于2020年4月已完成其中約60畝土地使用權（面積40，087．91平方米）的權屬登記手續(xù)。

因地塊分兩次競拍取得，公司于近日完成全部約82畝地塊的土地權屬證書辦理工作，并取得了佛山市自然資源局頒發(fā)的《中華人民共和國不動產權證書》。

國星光電表示，本次取得的土地使用權主要是用于吉利產業(yè)園項目的建設，布局先進的LED封裝及應用生產線，重點擴充Mini LED、小間距、TOP LED等產品的產能規(guī)模，有助于持續(xù)提升公司綜合體量和競爭實力，對公司的中長期發(fā)展帶來積極影響。

公開資料顯示，國星光電成立于1969年，注冊資本6．2億元，是廣東省屬國有獨資重點企業(yè)廣晟集團的控股上市公司，專業(yè)從事研發(fā)、生產、銷售LED及LED應用產品，是國內第一家以LED為主業(yè)首發(fā)上市的企業(yè)，也是最早生產LED的企業(yè)之一。

經過52年的改革發(fā)展，國星光電現已成為廣晟集團電子信息板塊的主力軍、我國LED封裝行業(yè)的龍頭企業(yè)，在全球LED封裝行業(yè)占據重要地位，顯示器件市場規(guī)模名列國內前茅，白光器件市場規(guī)模位居高端應用領域國內前列，組件產品為國際知名家電企業(yè)的核心戰(zhàn)略供貨商。

維科網注意到，國星光電在此前公布的投資者關系活動記錄表中提到，公司一直高度關注三代半領域的技術發(fā)展與技術研究，致力于打造高可靠性、高品質的功率器件封測業(yè)務。在上游芯片領域，公司有布局硅基氮化鎵的外延芯片；中游封裝領域，公司已建成第三代半導體功率器件實驗室及試產線；下游應用領域公司也在積極與相關企業(yè)洽談戰(zhàn)略性合作，并針對客戶的應用需求定制開發(fā)樣品等。

首先，LED 封測轉向氮化鎵封測在技術上、工藝上、可靠性、能力上具有天然的優(yōu)勢；其次，公司下游客戶也會用到第三代半導體相關功率器件，具有客戶渠道協同的優(yōu)勢；同時，國星光電還具有外延芯片上的技術積累優(yōu)勢，子公司國星半導體有硅基氮化鎵芯片相關技術儲備。

在Mini＆Micro領域的產品及技術布局方面，國星光電表示，聚焦Mini＆ Micro LED超高清顯示領域， 持續(xù)推出有核心競爭力的產品系列：Mini LED方面，公司研發(fā)覆蓋了Mini直顯P0．4到P0．9全系列產品，其中Mini LED P0．4系列產品為全球首發(fā)，采用獨創(chuàng)20in1封裝方式，是目前全球封裝密度最高的Mini產品；Mini背光方面，公司儲備Mini POB、Mini COB、Mini COG三大技術路線，可滿足不同客戶定制化需求；Micro LED方面，發(fā)揮子公司國星半導體與本部上下游聯動優(yōu)勢，巨量轉移工藝取得突破性進展，產品良率高，同時國星半導體已開發(fā)了面向于P0．3間距及面向P0．1間距的Micro LED芯片系列，并實現小批量供貨給國星光電研究院。

值得注意的是，國星光電經過2020年下半年以來的戰(zhàn)略調整，加上公司向全資子公司國星半導體2．2億元增資計劃的穩(wěn)步推進，其產品結構得到進一步優(yōu)化：目前國星半導體以RGB 芯片、倒裝芯片、紫光芯片等利基型產品為主，同時研發(fā)布局Mini 和 Micro領域，形成了Mini背光和Mini顯示兩大系列的芯片產品，同時發(fā)揮上下游垂直聯動的優(yōu)勢，協同本部研究院進行Micro LED關鍵技術的攻關；在第三代半導體領域，聯合多所高校及研究所，發(fā)揮產學研協同優(yōu)勢，展開GaN功率器件、紫外探測器芯片、深紫外UVC芯片等方向的研發(fā)工作，參與兩項第三代半導體方向的省級研發(fā)項目。