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三菱電機(jī):將向功率半導(dǎo)體投資1300億日元

2021-11-11
來源:全球半導(dǎo)體觀察整理

三菱電機(jī)于11 月 9 日舉行了功率器件業(yè)務(wù)的業(yè)務(wù)說明會,并宣布將在未來五年內(nèi)向功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資 1300 億日元,直至 2025 年。該公司計劃在廣島縣福山市新建一條 12 英寸晶圓生產(chǎn)線,并計劃到 2025 年將其產(chǎn)能比 2020 年翻一番。

根據(jù)官方消息披露,三菱電機(jī)目前正在福山工廠建設(shè) 8 英寸和 12 英寸生產(chǎn)線。8英寸生產(chǎn)線將于2021年11月開始試運(yùn)行,并計劃于2022年春季開始量產(chǎn)。12英寸線的量產(chǎn)目標(biāo)是2024年。

三菱電機(jī)表示,新的12英寸生產(chǎn)線具有通過增加硅片直徑和通過自動化提高生產(chǎn)力的優(yōu)勢,以及通過在內(nèi)部增加載流子存儲層實現(xiàn)低損耗的獨特“CSTBT cell結(jié)構(gòu)”晶圓。通過這種改進(jìn),三菱電機(jī)希望能夠?qū)崿F(xiàn)低損耗和提高生產(chǎn)率,三菱電機(jī)也將把它應(yīng)用到 RC-IGBT 上,以實現(xiàn)其產(chǎn)品的差異化,而汽車領(lǐng)域和消費領(lǐng)域?qū)⑹枪具@些產(chǎn)品的首個目標(biāo)市場。

此外,據(jù)日媒報導(dǎo),關(guān)于使用碳化硅(SIC)的次世代功率半導(dǎo)體,三菱電機(jī)常務(wù)執(zhí)行董事齋藤讓于9日舉行的事業(yè)說明會上表示,在熊本工廠擁有充足產(chǎn)能、今后將視汽車業(yè)界動向來評估是否進(jìn)行追加投資。




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