近日，2021全球CEO峰會在深圳隆重舉辦，佰維CEO何瀚先生受邀出席峰會圓桌論壇，圍繞“全球科技創(chuàng)新合作新模式”主題，以社會數(shù)字化轉型為切入點，與ARM、Imagination、兆易創(chuàng)新、集創(chuàng)北方等行業(yè)領軍企業(yè)CEO共同問道當下、前瞻未來。在同期舉辦的全球電子成就獎頒獎典禮上，佰維存儲芯片ePOP E100斬獲“年度存儲器”殊榮，這是繼佰維E009 BGA PCIe SSD榮獲2021年中國IC設計成就獎之后，又一款創(chuàng)新型存儲芯片產品獲得業(yè)界的嘉獎。

　　2021全球CEO峰會是由全球電子技術領域知名媒體集團AspenCore主辦的高端專業(yè)峰會，在電子行業(yè)聞名遐邇。本次峰會以“全球新工業(yè)戰(zhàn)略”為主題，中、美、歐產業(yè)領袖參會，共同探討新工業(yè)戰(zhàn)略。

　　佰維CEO何瀚：創(chuàng)新存儲加速數(shù)字化轉型

　　在峰會圓桌論壇上，嘉賓們論道數(shù)字化轉型對信息技術和企業(yè)帶來的影響，佰維CEO何瀚先生指出，在數(shù)字化轉型的趨勢下，存儲技術與應用場景的結合至關重要。數(shù)字化轉型在用戶側和工業(yè)側給人類生活帶來了更加深刻的變化，人類正在走向數(shù)字化的未來。數(shù)字化未來的根基是數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)需要存儲，存儲需要芯片。數(shù)字化的變革使得更多信息以數(shù)字、數(shù)據(jù)的形式被存儲和使用，給存儲芯片行業(yè)帶來了更大的機遇和可能性。佰維存儲在用戶側和工業(yè)側均擁有領先的存儲解決方案，充分滿足工業(yè)級、消費級、企業(yè)級客戶的多樣化存儲需求，助推全社會數(shù)字化轉型進程。

　　針對存儲技術的創(chuàng)新發(fā)展，何總指出，存儲技術的創(chuàng)新主要包括應用技術和介質技術兩個方面。應用技術的創(chuàng)新，主要表現(xiàn)在存儲技術和應用場景的耦合，如存儲與計算（存內計算、近存計算）、存儲與通信（以太網SSD），以及協(xié)議的不斷演進和突破；介質技術的創(chuàng)新，主要表現(xiàn)在易失性存儲與非易失性存儲的融合，新一代的存儲介質，如MRAM、PRAM和RRAM等均兼具易失性存儲和非易失性存儲的優(yōu)點。此外，目前存儲芯片已經走向三維的結構，并在三維的結構上進一步延續(xù)摩爾定律。

　　何總進一步指出，佰維作為國內少數(shù)掌握高端NAND和DRAM型存儲器研發(fā)、封測制造，并成功進入全球Top品牌供應鏈的企業(yè)，堅持技術立業(yè)，旨在通過對存儲介質和應用技術的深度理解和研發(fā)，滿足新一代車載、物聯(lián)網、數(shù)據(jù)中心、人工智能等領域對存儲的高性能、高容量、低時延、低功耗等要求。

　　佰維ePOP E100

　　榮獲“年度存儲器”產品獎

　　“全球電子成就獎”旨在聚焦領先科技，推動全球范圍內的電子產業(yè)技術革新。獲得全球電子成就獎的表彰，是一項備受認可的榮譽，充分體現(xiàn)了該技術或產品在業(yè)界的領先地位與不凡表現(xiàn)。

　　本次榮獲“年度存儲器”產品獎的佰維ePOP E100，是一款專門針對智能穿戴設備而開發(fā)的嵌入式存儲芯片產品。它整合了eMMC與LPDDR，采用垂直貼裝于CPU上方的堆疊方式，使存儲器之更接近CPU 的內存，從而確保最佳傳輸速率，做到性能最優(yōu)。跟平面的貼裝方式相比，尺寸僅為10×10×0.9（mm）；較傳統(tǒng)裝載方式，E100板載面積減少60％，最大化節(jié)約了主板空間。

　　佰維ePOP E100具備高集成、性能優(yōu)、板載空間小等優(yōu)勢，充分滿足智能手機、手表等智能終端設備高速、節(jié)能、輕薄、小巧的需求。目前該產品已向Google、Face book等全球重要的穿戴式設備大廠批量供貨。

　　佰維ePOP E100

　　半導體存儲器是5G、社會數(shù)字化轉型的核心基建，是持續(xù)助推社會數(shù)字化生活的核心領域。近年來，半導體終端應用市場迅猛發(fā)展，佰維存儲始終與時俱進，通過自身創(chuàng)新研發(fā)和先進封測的融合優(yōu)勢——交期保證、品質穩(wěn)定、快速響應，貼近客戶市場的需求，為各種以端應用為代表的數(shù)字化轉型場景賦能。