2021年11月3日，2020年度國家科學技術獎獎勵大會在北京人民大會堂隆重舉行。
據(jù)悉，本次技術獎共評選出264個項目，包括46項國家自然科學獎項目、61項國家技術發(fā)明獎項目、157項國家科學技術進步獎項目，包括半導體產(chǎn)業(yè)鏈多個項目，如“高壓智能功率驅動芯片設計及制備的關鍵技術與應用”項目、“固態(tài)存儲控制器芯片關鍵技術及產(chǎn)業(yè)化”項目、“高密度高可靠電子封裝關鍵技術及成套工藝”項目、以及“超高純鋁鈦銅鉭金屬濺射靶材制備技術及應用”項目等。
“高密度高可靠電子封裝關鍵技術及成套工藝”項目
“高密度高可靠電子封裝關鍵技術及成套工藝”項目榮獲國家科技進步一等獎。該項目由華中科技大學，華進半導體，中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所，長電科技，通富微電，華天科技，蘇州旭創(chuàng)，中國電子科技集團公司第五十八研究所，香港應用科技研究院有限公司，武漢大學等聯(lián)合參與完成。
據(jù)悉，針對高密度芯片封裝翹曲和異質界面開裂導致的低成品率，項目團隊提出了芯片-封裝結構及工藝多場多尺度協(xié)同設計方法和系列驗證方法，應用于5G通訊等領域自主可控芯片的研制，攻克了晶圓級扇出封裝新工藝，突破了7nm CPU芯片封裝核心技術。
此次獲獎項目解決了電子封裝行業(yè)知識產(chǎn)權“空心化”和“卡脖子”難題，占領了行業(yè)技術制高點，實現(xiàn)了高密度高可靠電子封裝從無到有、由傳統(tǒng)封裝向先進封裝的轉變。
此外，項目完成單位與國內企業(yè)合作研制了系列封裝及檢測設備，建立了多條封裝柔性產(chǎn)線；300多類產(chǎn)品覆蓋通訊、汽車、國防等12個行業(yè)。
“固態(tài)存儲控制器芯片關鍵技術及產(chǎn)業(yè)化”項目
據(jù)悉，“固態(tài)存儲控制器芯片關鍵技術及產(chǎn)業(yè)化”項目榮獲國家科技進步二等獎，由杭州電子科技大學，華瀾微電子，中國電子科技集團公司第五十八研究所，清華大學，西安奇維科技，西京學院主要完成。該項技術是新一代電腦硬盤、大數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的芯片級硬科技，已經(jīng)得到了國產(chǎn)化推廣應用。
過去，電腦硬盤領域被美國、日本公司壟斷，尤其是西部數(shù)據(jù)（WD）和希捷（Seagate）牢牢占據(jù)著全球第一、第二硬盤公司的地位。最近十年，固態(tài)存儲技術（即半導體存儲技術）發(fā)展迅猛，產(chǎn)業(yè)規(guī)模達到了千億美元。數(shù)碼相機替代膠卷、U盤替代磁盤，到最近的固態(tài)硬盤（半導體芯片為存儲媒介）替代傳統(tǒng)的機械硬盤（以磁盤為存儲媒介），全球數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)業(yè)正在一波波地更新?lián)Q代。
據(jù)華瀾微官微介紹，“固態(tài)存儲控制器芯片關鍵技術及產(chǎn)業(yè)化”項目從2005年開始，歷時十多年研制成功我國第一顆固態(tài)硬盤控制器芯片，并進一步實現(xiàn)了系列固態(tài)存儲產(chǎn)品的國產(chǎn)化。項目團隊解決了高速計算機接口核心技術的國產(chǎn)化問題；突破了固態(tài)硬盤容量的瓶頸、達到業(yè)內最高容量；提出了高速、無損的物理層數(shù)據(jù)加密關鍵技術，為我國的信息安全提供了芯片級安全保障。
“高壓智能功率驅動芯片設計及制備的關鍵技術與應用”項目
“高壓智能功率驅動芯片設計及制備的關鍵技術與應用”項目獲得技術發(fā)明二等獎。該項目由東南大學，無錫華潤上華、無錫芯朋微電子、無錫新潔能股份參與完成，致力于解決高壓智能功率驅動芯片設計與制備的核心技術難題。
功率芯片是功率電子系統(tǒng)的“核芯”，廣泛應用于智能制造、新能源交通、電力裝備、智能家居等領域，是國家新基建部署和實施的底層保障與基礎支撐。當前全球功率半導體芯片市場規(guī)模超400億美元，其中中國占比超1/3。
據(jù)東南大學介紹，項目參與方設計并制備了80余款高壓智能功率驅動芯片，被100余家國內外公司采用。目前，研制的芯片已應用于“世界首條350公里時速智能高鐵—京張高鐵”空調系統(tǒng)，支持了我國自主知識產(chǎn)權的高鐵發(fā)展。
東南大學表示，項目的成功推動了我國高壓智能功率驅動芯片的發(fā)展，實現(xiàn)了從依賴進口到自主可控并服務全球的重要轉變。同時，在項目研發(fā)過程中，為國家培養(yǎng)了一批高層次集成電路專門人才，踐行了“政產(chǎn)學研用”發(fā)展模式。該項目成果實現(xiàn)了我國高壓智能功率驅動芯片從依賴進口到自主可控并服務全球的重要轉變。
“超高純鋁鈦銅鉭金屬濺射靶材制備技術及應用項目”
“超高純鋁鈦銅鉭金屬濺射靶材制備技術及應用項目”榮獲國家技術發(fā)明二等獎，由江豐電子和重慶大學完成。
在與重慶大學合作下，江豐電子攻克了芯片制造所需的關鍵材料——超高純金屬濺射靶材在形變熱加工過程中的精細調控、異種金屬高結合率焊接、金屬熔煉提純以及靶材的精密機加工等多項關鍵核心技術，開發(fā)出用于芯片制造的超高純金屬濺射靶材的全套生產(chǎn)工藝。
該項目創(chuàng)新了超高純金屬濺射靶材晶粒尺寸及織構控制技術、異種金屬大面積焊接技術、精密機加工及表面處理術、全系列分析檢測與評價技術，成功制備出超高純金屬濺射靶材，產(chǎn)品具有良好的穩(wěn)定性和一致性，建成了年產(chǎn)五萬枚靶材的生產(chǎn)基地，具有顯著的經(jīng)濟效益。同時，該項目填補了國內靶材產(chǎn)業(yè)空白，該項目對提升我國集成電路、平板顯示工藝及材料技術的自主創(chuàng)新能力，推動和發(fā)展我國電子信息產(chǎn)品的技術進步和產(chǎn)業(yè)安全起到了重要作用。
