在過去的十年中，臺積電大約每兩年推出一項全新的制造技術。然而，隨著開發(fā)新制造工藝的復雜性不斷增加，保持這種節(jié)奏變得越來越困難。該公司此前承認，它將比業(yè)界習慣的（即第二季度）晚四個月開始使用其 N3（3 納米）節(jié)點生產芯片，并且在最近與分析師的電話會議中，臺積電透露了有關其的更多細節(jié)。在最新的工藝技術路線圖方面，他們將專注于他其 N3、N3E 和 N2 （2 nm） 技術。

　　2023年推出N3

　　與 N5 相比，臺積電的 N3 技術將提供全節(jié)點擴展，因此其采用者將獲得所有性能（10% - 15%）、功耗（-25% - -30%）和面積（邏輯高 1.7 倍）的增強。在這個時代期待一個新節(jié)點。但這些優(yōu)勢是有代價的。制造過程將廣泛依賴于極紫外 （EUV） 光刻，雖然 EUV 層的確切數量未知，但它的層數將比 N5 中使用的 14 層多。該技術的極端復雜性將進一步增加工藝步驟的數量——使其超過 1000 個——這將進一步增加cycle時間。

　　因此，雖然首批使用臺積電 N3 節(jié)點的芯片將于 2022 年下半年開始量產，但該公司只會在 2023 年第一季度將它們運送給未公開的客戶以獲取收入。然而，許多觀察人士預計這些芯片將于 2022 年底發(fā)貨。

　　“N3風險生產計劃在2021年，生產將在2022年下半年開始，”  臺積電首席執(zhí)行官CC Wei表示。“因此，2022 年下半年將是我們的大規(guī)模生產，但您可以預期收入將在 2023 年第一季度出現，因為這需要很長時間——所有這些晶圓都需要周期時間。”

　　2024年的N3E

　　傳統(tǒng)上，臺積電在推出新節(jié)點幾個季度后，將推出其基于領先節(jié)點所提供的性能增強和特定于應用程序的工藝技術。對于N3，該公司將稍微改變他們的策略，并將推出一個名為N3E的節(jié)點，它可以被視為N3的增強版本。

　　該工藝節(jié)點將引入 具有性能、功率和良率增強的改進的工藝窗口。目前尚不清楚 N3 是否符合臺積電對 PPA 和良率的預期，但代工廠正在談論提高良率的事實表明，除了傳統(tǒng)的良率提升方法之外，還有一種方法可以改善它。

　　“我們還推出了 N3E 作為我們 N3 系列的擴展，”魏說?！癗3E 將具有改進的制造工藝窗口，具有更好的性能、功率和產量。N3E 的批量生產計劃在 N3 之后一年?！?/p>

　　臺積電尚未評論 N3E 是否會與 N3 的設計規(guī)則、設計基礎設施和 IP 兼容。同時，由于N3E將在N3之后一年（即2024年）為客戶服務，芯片設計者將有相當長的時間為新節(jié)點做準備。

　　2025年的N2

　　迄今為止，臺積電的 N2 制造工藝在很大程度上仍是個謎。該公司已確認正在考慮為此節(jié)點使用環(huán)柵場效應晶體管 （GAAFET），但從未表示該決定是最終決定。此外，它之前從未披露過 N2 的時間表。

　　但隨著 N2 越來越近，臺積電正在慢慢鎖定一些額外的細節(jié)。特別是，該公司現在正式確認 N2 節(jié)點定于 2025 年。盡管他們沒有詳細說明這是否意味著 2025 年的 HVM，或 2025 年的出貨量。

　　“我可以與大家分享，我們的 2 納米技術的密度和性能將在 2025 年成為最具競爭力的及競爭者?！蔽赫f。