EPFL研究員Valerio Piazza在半導(dǎo)體材料實驗室工作，主要研究納米級的半導(dǎo)體。

　　他特別關(guān)注納米線和使用半導(dǎo)體材料構(gòu)建的納米結(jié)構(gòu)，研究的目標(biāo)是將晶體管改進(jìn)到超過當(dāng)前的飽和點。

　　晶體管是現(xiàn)代設(shè)備的關(guān)鍵部件，從汽車到智能手機和廚房電器，以及其他設(shè)備都廣泛運用。

　　由于接近飽和的設(shè)計，晶體管的微型化正在達(dá)到極限。據(jù)Piazza稱，主要的挑戰(zhàn)是與克服飽和點有關(guān)的處理能力。

　　他認(rèn)為我們可以利用納米線和其他類型的納米結(jié)構(gòu)來克服當(dāng)前的飽和狀態(tài)。目前的改進(jìn)來自于微加工方法的進(jìn)步，使工程師能夠開發(fā)出緊湊而復(fù)雜的電子設(shè)備。隨著晶體管尺寸的縮小，可以在電路上安裝更多的晶體管，提高其處理能力。

　　電子設(shè)備能有多小，受限于晶體管的尺寸。Piazza致力于開發(fā)基于納米線的新型晶體管，以用于量子計算機。量子計算機依賴于被稱為量子比特的基本元素，即MIN的內(nèi)存單位，這個亞微米級別是皮亞杰的研究重點。

　　實驗室里正在制造的導(dǎo)線由周期表第三組和第五組的原子組成，包括鎵、鋁、銦、氮、磷和砷。今天設(shè)備中使用的晶體管的尺寸約為10納米，而實驗室中創(chuàng)建的水平納米線的尺寸相同，但有望根據(jù)晶體質(zhì)量提高電性能。

　　研究人員使用的方法是在基底表面蝕刻納米導(dǎo)體，以創(chuàng)建不同的圖案，從而對各種結(jié)構(gòu)的性能進(jìn)行測試。

　　該研究目前正專注于確定可以改善該過程的因素。