1 使用優(yōu)勢
1.1 助力新能源汽車提升加速度
新能源汽車的加速性能與動力系統(tǒng)輸出的最大功率和最大扭矩密切相關，碳化硅（SiC）技術允許驅(qū)動電機在低轉(zhuǎn)速時承受更大輸入功率，且不怕電流過大導致的熱效應和功率損耗，這就意味著車輛起步時，驅(qū)動電機可以輸出更大扭矩，強化加速能力。特斯拉發(fā)布了全球現(xiàn)階段最快的量產(chǎn)車型，2.1 s 就可完成0 ～ 100 km 加速，速度超越了布加迪；而比亞迪漢采用SiC 模塊后，輸出功率可達200 kW，0 ～ 100 km 加速度僅為3.9 s[1-2]。
1.2 助力新能源汽車降低系統(tǒng)成本
雖然SiC 器件成本略高于硅基器件，但采用SiC器件實現(xiàn)了電池成本的大幅下降和續(xù)航里程的提升，從而有效降低了整車成本。數(shù)據(jù)顯示，在新能源汽車使用SiC MOSFET 的（90 ～ 350）kW 驅(qū)動逆變器，使用SiC 器件增加的成本為75 ～ 200 美元（1 美元約為人民幣6.5 元），然而從電池、無源元器件、冷卻系統(tǒng)節(jié)省的成本在525 ～ 850 美元，系統(tǒng)性成本顯著下降，相同里程條件下，采用SiC 逆變器單車可節(jié)省至少200 美元。
圖1 新能源汽車中使用SiC產(chǎn)品帶來的收益 來源：作者自己整理
1.3 助力新能源汽車增加續(xù)航里程
SiC 器件通過導通/ 開關兩個維度降低損耗，從而實現(xiàn)增加電動車續(xù)航里程的目的。SiC 的禁帶寬度（3.3eV）遠高于Si（1.1eV），可實現(xiàn)高濃度摻雜，導致漂移區(qū)寬度大幅縮短，在SiC MOS 器件導通時，正向壓降和導通損耗都小于Si-IGBT；同時，Si-IGBT 通常會集成快恢復二極管（FRD），關斷時存在反向恢復電流及拖尾電流，導致其開關速度受到限制，造成較大的關斷損耗，而SiC-MOSFET 屬于單極器件，像一個剛性開關，不存在拖尾電流；而且SiC 的載流子遷移率是Si 的3 倍左右，可以提供更快的開關速度，以降低開關損耗。結合英飛凌的研究數(shù)據(jù)，在25 ℃結溫下，SiC MOS 關斷損耗大約是Si-IGBT 的20%；在175 ℃的結溫下，SiC-MOS 關斷損耗僅為Si-IGBT 的10%。
1.4 助力新能源汽車實現(xiàn)輕量化
輕量化是整車廠的不懈追求，由于SiC 材料載流子遷移率高，能提供較高的電流密度，相同功率等級下封裝尺寸更小，以IPM 為例，SiC 功率模塊體積可縮小至硅功率模塊的2/3 ～ 1/3[3]。SiC 能夠?qū)崿F(xiàn)高頻開關，減少濾波器和無源器件如變壓器、電容、電感等的使用，從而減少系統(tǒng)體系和重量；SiC 禁帶寬度寬且具有良好的熱導率，可以使器件工作于較高的環(huán)境溫度中，從而減少散熱器體積；同時SiC 可以降低開關與導通損耗，使系統(tǒng)效率提升，同樣續(xù)航范圍內(nèi)，可以減少電池容量，有助于車輛輕量化。以羅姆公司設計的SiC 逆變器為例，使用全SiC 模組后，主逆變器尺寸降低43%，重量降低6 kg（如圖2）。
圖2 電機控制器中使用SiC產(chǎn)品帶來的收益 來源：羅姆公司
2 應用現(xiàn)狀
2.1 相關企業(yè)正在加速布局
自從特斯拉推出Model3，首次采用以24 個SiCMOSFET 為功率模塊的逆變器后，這類新型半導體材料越來越受重視，整車廠及Tier 1 積極引入SiC 功率半導體。據(jù)了解，比亞迪、北汽新能源、吉利汽車、上海大眾、尼桑在其部分車型中的OBC 和DC-DC 中使用了SiC 器件；比亞迪、特斯拉上海工廠、宇通客車、吉利汽車在電機控制器中使用了SiC 器件；傳統(tǒng)車企江淮汽車、紅旗、現(xiàn)代、本田、寶馬、奧迪以及造車新勢力如蔚來、小鵬、理想等企業(yè)即將在其主驅(qū)逆變器中采用SiC。除此之外，多家零部件供應商也發(fā)布了開發(fā)、量產(chǎn)SiC 電驅(qū)動系統(tǒng)的計劃，例如國外的博世、德爾福、采埃孚、法雷奧，國內(nèi)典型企業(yè)包括精進電動、上海電驅(qū)動、緯湃科技等（如圖3）。
圖3 整車廠與tier1 導入SiC情況（部分企業(yè)） 來源：自己整理
2.2 市場滲透率目前仍然不高
SiC 芯片在新能源汽車領域的應用前景被業(yè)界廣泛看好，目前，各汽車整車廠和供應商都開始布局SiC 芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。但從功率半導體市場占有率來看，硅基半導體產(chǎn)品在新能源汽車領域仍是主流，SiC 芯片的應用尚未普及。根據(jù)Yole 預測，SiC 電力電子器件2024 年在功率器件滲透率為9%（如圖4），SiC 芯片的市場份額短期內(nèi)很難達到硅基半導體的水平[4]，硅基方案和SiC 方案預計將在汽車領域長期共存，來實現(xiàn)傳動系統(tǒng)的最佳性價比。
2.3 國產(chǎn)化預期變得更為強烈
車規(guī)芯片中有40% 是功率半導體，單車平均價值在300 美元左右，該類芯片在環(huán)境條件、可靠性、耐久性等指標方面均高于工業(yè)級和消費級半導體，導致開發(fā)時間長、難度大，技術壁壘高，國外廠商占據(jù)大部分市場份額，已成為我國汽車產(chǎn)業(yè)的“卡脖子”環(huán)節(jié)，而疫情、連續(xù)極端天氣則進一步加劇了該類芯片的危機，自2020 年末開始，汽車行業(yè)面臨芯片斷供風險。中國作為世界最大的新能源汽車產(chǎn)銷國深受汽車芯片短缺困擾，國內(nèi)不少車企因此生產(chǎn)受阻，甚至停產(chǎn)減產(chǎn)。據(jù)悉，今年以來大眾、豐田、本田、通用、沃爾沃等企業(yè)都因芯片短缺出現(xiàn)過短暫停產(chǎn)，車規(guī)芯片國產(chǎn)化預期變得更為強烈，而國內(nèi)汽車技術加速向電動化發(fā)展，汽車電氣化程度逐步加深將導致SiC 量價齊升。
2.4 性價比與可靠性急需提升
SiC 行業(yè)發(fā)展的瓶頸主要在于SiC MOS 產(chǎn)品的性價比目前比較低。價格方面，由于SiC 襯底生產(chǎn)效率低，成本比硅晶片高出許多，再加上后期外延、芯片制造及器件封裝的低成品率，導致SiC 器件價格居高不下，根據(jù)行業(yè)預測，目前批量化價格仍舊是硅基IGBT 的3~5 倍。產(chǎn)品性能方面，SiC MOS 制造工藝中高質(zhì)量、低界面態(tài)的柵界面調(diào)控技術還需加強，批量制造技術與成品率也需進一步提升。同時，SiC MOS 真正落地的時間還非常短，從芯片和功率模塊設計到整車層面的應用驗證這一鏈條尚未打通，一些諸如短路耐受時間等技術指標沒有得到足夠多的驗證，而且國產(chǎn)SiC MOS 器件沒有裝車上路的數(shù)據(jù)，SiC MOS 在車載領域的穩(wěn)定性和壽命等指標還需要時間與實踐驗證。
3 導入路徑
3.1 導入領域：從OBC導入過渡到電機控制器
SiC 功率器件主要用于控制器、OBC（車載充電機）和DC-DC 車載電源轉(zhuǎn)換器，其中，用于電機控制器的功率模塊是增長空間最大的車用SiC 產(chǎn)品，預計占SiC 芯片市場的50% 左右。從導入時序來看，國外不少公司已在2018 年開始將SiC 肖特基勢壘二極管和MOS 管用在OBC 上，SiC 在車載電源領域OBC和DC-DC 中的市場滲透率逐步提升，通過這些場景的應用帶動SiC 產(chǎn)品技術成熟與成本下降，然后再滲透到可靠性要求更高的電機控制器，預計到2022 年以后才會出現(xiàn)SiC MOS 管的實質(zhì)性應用[5-6]。
3.2 導入車型：長續(xù)航里程電動車最先導入
續(xù)航里程提升有助于推動電動車銷量增長，新能源汽車企業(yè)普遍靠提高電池容量來增加續(xù)航里程，但受限于電池技術和成本，新能源汽車企業(yè)已很難再通過此方法顯著提升續(xù)航，而在電機控制器中引入SiC技術成為一種有效路徑，這促使SiC 在長續(xù)航新能源汽車市場加速滲透。據(jù)預測，續(xù)航里程大于500 km 的電機控制器中SiC 滲透率到2024 年預計達到100%；續(xù)航里程（400 ～ 500）km 的電機控制器預計在2023年開始使用SiC，整體滲透率在40% 左右；續(xù)航里程400 km 以下車型的電機控制器將在2025 年以后使用SiC，整體滲透率將小于10%[3]（如圖6）。
3.3 導入時間：預計到2025年之后才會爆發(fā)
隨著SiC 產(chǎn)品性價比與可靠性提升，SiC 產(chǎn)品的滲透率穩(wěn)步提高，國內(nèi)外部分車企已開始在電機控制器中導入SiC 產(chǎn)品，其中特斯拉推出的Model3，就采用了基于SiC MOSFET的功率控制模塊；比亞迪的“漢”也搭載了SiC MOSFET 功率控制模塊。目前，幾乎所有的新能源汽車企業(yè)都把SiC 電機控制器開發(fā)列入到新項目開發(fā)的時間表中，而應用SiC 模塊的車廠會越來越多。從全球市場來看，預估2025 年會成為SiC在新能源汽車市場的一個爆發(fā)點，SiC 的供應有可能會進入到全面供不應求的階段。
3.4 導入產(chǎn)品：從分立器件向全SiC模組過渡
SiC 功率器件包括二極管和晶體管，二極管通常以分立器件形式使用，也可以在混合模組或者全SiC模組中使用；晶體管也是以分立器件或者在全SiC 模組中使用[4]。目前SiC功率器件市場仍由分立器件主導，二極管產(chǎn)品已經(jīng)產(chǎn)業(yè)化，并實現(xiàn)大規(guī)模商用，混合模組也已經(jīng)在一些應用中滲透，分立的晶體管和全SiC 還在進一步研發(fā)和積極推廣之中，全SiC模組的研發(fā)與推廣預計將會花費更長的時間，但全SiC 模組的市場會更大（如圖8）。
圖8 SiC產(chǎn)類型 來源：Power SiC 2019：Materials，Devices and Applications
參考文獻：
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[2] Yole Développement.Power SiC 2019:Materials,Devices and Applications[R/OL].[2019-7-21].https://www.sohu.com/a/328251230_256868.
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[6] 第三代半導體聯(lián)合創(chuàng)新孵化中心。汽車電氣化制勝法寶——碳化硅（SiC）[R/OL]. 半導體材料與工藝設備，[2021-1-28].https://mp.weixin.qq.com/s?src=11×tamp=1632628874&ver=3337&signature=0mxm6mzHYjmZbjeUc5MGhNcYE2abEzmAzNxQmdmMJ4iO1ZYIqIChB2SZAx0q5l1PWNODIHAH7k6QyCSGBJ-zilOIH7ZBtUXowbXMjhHHG0Rgfto10lx6moLehuYsZl4n&new=1.
