事件:2021年6月7日公司發(fā)布公告,設(shè)立潤(rùn)西微電子(重慶)有限公司,注冊(cè)資本擬為50億元人民幣,由項(xiàng)目公司投資建設(shè)12寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目,項(xiàng)目計(jì)劃投資75．5億元人民幣。

優(yōu)化產(chǎn)業(yè)布局,蓄內(nèi)力謀持續(xù)發(fā)展。項(xiàng)目總投資75．5億元,建成后預(yù)計(jì)將形成月產(chǎn)3萬片12寸中高端功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)能力,并配套建設(shè)12寸外延及薄片工藝能力。通過優(yōu)化產(chǎn)業(yè)布局和適度擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能規(guī)模,增強(qiáng)了公司的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),進(jìn)一步提升公司產(chǎn)品的核心競(jìng)爭(zhēng)力,從而提升公司的持續(xù)發(fā)展能力,奠定公司在國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的龍頭地位。

功率MOSFET全國(guó)龍頭,漲價(jià)周期IDM模式更為受益。公司的MOSFET產(chǎn)品適用-100V至1500V范圍內(nèi)低、中、高壓全系列,可以滿足不同客戶和不同應(yīng)用場(chǎng)景的需要。根據(jù)統(tǒng)計(jì),2019年度以銷售額計(jì),公司在中國(guó)MOSFET市場(chǎng)中排名第三,僅次于英飛凌和安森美,是中國(guó)本土最大的MOSFET廠商。目前半導(dǎo)體周期上行,很多設(shè)計(jì)公司拿不到晶圓廠的產(chǎn)能,這對(duì)于設(shè)計(jì)公司模式的半導(dǎo)體公司銷售額增長(zhǎng)產(chǎn)生不利影響,但是像華潤(rùn)微這樣的IDM模式的功率半導(dǎo)體公司,擴(kuò)產(chǎn)和成本都可以自行控制,可以充分受益漲價(jià)周期。

持續(xù)提升工藝技術(shù)能力,多產(chǎn)品進(jìn)入驗(yàn)證與導(dǎo)入階段。代工事業(yè)群持續(xù)推動(dòng)先進(jìn)BCD、MEMS高性能模擬特色工藝技術(shù)能力提升。晶圓制造方面,公司0．18μmBCD G3工藝平臺(tái)綜合技術(shù)能力進(jìn)一步提升,逐步進(jìn)行客戶產(chǎn)品導(dǎo)入并量產(chǎn)。先進(jìn)工藝系列技術(shù)平臺(tái)方面,整體技術(shù)水平達(dá)到0．11μm節(jié)點(diǎn),導(dǎo)入600V SOI工藝平臺(tái)產(chǎn)品驗(yàn)證。MEMS技術(shù)方面,公司繼續(xù)保持產(chǎn)業(yè)化優(yōu)勢(shì),8英寸硅麥克風(fēng)工藝產(chǎn)品逐步量產(chǎn),6英寸高信噪比硅麥克風(fēng)量產(chǎn)良率穩(wěn)步提升,初步建立晶圓延伸疊加先進(jìn)封裝技術(shù)的工藝流程。

研發(fā)技術(shù)雄厚,SiC生產(chǎn)進(jìn)展順利。據(jù)統(tǒng)計(jì),2019年SiC應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模約6．5億美元,受新能源汽車行業(yè)龐大的需求驅(qū)動(dòng),以及光伏風(fēng)電和充電樁等領(lǐng)域?qū)τ谛屎凸囊筇嵘挠绊?預(yù)計(jì)到2025年SiC應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模將超過24億美元,2019-2025年的復(fù)合增速接近24%。公司充分利用IDM模式優(yōu)勢(shì)和在功率器件領(lǐng)域雄厚的技術(shù)積累開展SiC功率器件研發(fā),2020年向市場(chǎng)發(fā)布第一代SiC工業(yè)級(jí)肖特基二極管(1200V、650V)系列產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)。

盈利預(yù)測(cè):我們預(yù)計(jì)公司2021-2023年?duì)I業(yè)收入分別為88．3/104．5/128．5億元,歸母凈利潤(rùn)分別為18．4/21．8/25．9億元,維持“強(qiáng)烈推薦”評(píng)級(jí)。

風(fēng)險(xiǎn)提示:(1)行業(yè)景氣度不及預(yù)期;(2)產(chǎn)品研發(fā)及上量不及預(yù)期;(3)原材料供應(yīng)緊張影響出貨風(fēng)險(xiǎn)。