《電子技術(shù)應(yīng)用》
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深愛半導(dǎo)體：扎根技術(shù)開拓進(jìn)取

2021-03-09
來源：中電會展

2021年4月9日至11日，第九屆中國電子信息博覽會攜手第97屆中國電子展（CITE2021）在深圳會展中心舉辦。屆時，1500余家知名企業(yè)參展，50余場專業(yè)論壇同期舉辦，超過100,000名專業(yè)觀眾現(xiàn)場參觀。毫無疑問，CITE2021會是一場科技交流的絕佳盛會。

深圳深愛半導(dǎo)體股份有限公司成立于1988年2月，現(xiàn)有一條5英寸雙極功率晶體管芯片生產(chǎn)線，一條FRD&肖特基二極管芯片生產(chǎn)線，一條5英寸MOSFET芯片生產(chǎn)線，一條6英寸MOSFET生產(chǎn)線。深愛目前是深圳唯一一家具有前、后工序生產(chǎn)線的功率半導(dǎo)體器件制造企業(yè)，主導(dǎo)產(chǎn)品如雙極功率晶體管、功率MOSFET、功率二極管、LED驅(qū)動IC、電源管理IC,等在業(yè)內(nèi)享有較高聲譽并已批量進(jìn)入國際市場。

深愛半導(dǎo)體專注于功率半導(dǎo)體器件，主要經(jīng)營 IGBT，碳化硅二極管，氮化鎵MOS、高低壓MOS，COOLMOS，BJT，LED驅(qū)動IC，ACDC充電器IC。產(chǎn)品主要面向UPS、變頻器、適配器、快充電源、PC電源、小家電及LED照明領(lǐng)域。IGBT是深愛的重點研發(fā)產(chǎn)品，主要應(yīng)用于電磁加熱和變頻領(lǐng)域，目前深愛重點關(guān)注氮化鎵及IGBT功率器件，進(jìn)工業(yè)及車規(guī)級產(chǎn)品，預(yù)計2021年優(yōu)先推動氮化鎵和IGBT器件量產(chǎn)。本次展會中，對高壓MOSFET產(chǎn)品-Planar MOS，高壓MOSFET產(chǎn)品-Super junction，肖特基二極管(SBD)，LED驅(qū)動IC等芯片產(chǎn)品。

高壓MOSFET產(chǎn)品-Planar MOS

公司針對不同需求有高性價比、高可靠性、高速三大系列高壓MOSFET產(chǎn)品，反壓覆蓋200-900V，電流覆蓋0.5-24A。產(chǎn)品廣泛用于消費電子、家電、計算機領(lǐng)域的電源系統(tǒng)和LED照明領(lǐng)域。

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應(yīng)用領(lǐng)域

高壓MOSFET產(chǎn)品-Super junction

公司針對不同需求有高性價比、高可靠性、高速兩大系列高壓Super junction MOSFET產(chǎn)品，反壓覆蓋500-800V，電流覆蓋2-20A。

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應(yīng)用領(lǐng)域

中低壓MOSFET產(chǎn)品

公司中低壓MOS，反壓覆蓋20-200V，導(dǎo)通電阻2-1300mΩ。產(chǎn)品廣泛用于消費電子、家電、計算機領(lǐng)域的電源系統(tǒng)中的同步整流線路。

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應(yīng)用領(lǐng)域

大功率雙極晶體管

公司擁有MJE/BUL/BLD 系列功率晶體管廣泛用于充電器、電子鎮(zhèn)流器、電源、節(jié)能燈領(lǐng)域等。

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應(yīng)用領(lǐng)域

肖特基二極管(SBD)

公司肖特基二極管(Planar SBD)電壓覆蓋20-200V，電流覆蓋1-30A，結(jié)溫覆蓋125-175℃，廣泛用于各類電源系統(tǒng)和太陽能領(lǐng)域。

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應(yīng)用領(lǐng)域

LED驅(qū)動IC

公司擁有非隔離、隔離、高PF非隔離、高PF隔離、調(diào)光、調(diào)色溫、去頻閃、DC-DC、線性九大系列108款LED驅(qū)動IC，廣泛用于各式LED照明，現(xiàn)已成為LED照明領(lǐng)域主流供應(yīng)商。

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應(yīng)用領(lǐng)域

IGBT產(chǎn)品

公司1200V/7-25A NPT型IGBT。主要應(yīng)用于電磁加熱和變頻領(lǐng)域；

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應(yīng)用領(lǐng)域

PD （Photo  Diode）產(chǎn)品

用途：高速光的檢測、光通信、光纖、遙控、光電三極管、寫字筆、傳真、照度計、彩色傳感器、光電三極管、線性圖像傳感器、分光光度計、照相機曝光計。 

FRD產(chǎn)品

公司FRD電壓覆蓋200-1200V，電流覆蓋6-60A，廣泛用于UPS電源和PFC電路，電焊機等領(lǐng)域。

與眾多同行相比，深愛有較完備的管理體系和技術(shù)實力，先后通過了ISO9001、ISO14001、QC080000、SO50001等多個體系認(rèn)證，是深圳市市級“企業(yè)技術(shù)中心”單位、國家級“高新技術(shù)企業(yè)”、“國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程單位”，2019被授予“廣東省功率半導(dǎo)體工程技術(shù)研究中心“稱號，設(shè)有功率半導(dǎo)體器件工程實驗室。公司不僅有完善的半導(dǎo)體芯片工藝生產(chǎn)及封裝線，扎根半導(dǎo)體行業(yè)30多年，還擁有成熟的設(shè)計及生產(chǎn)體系。針對目前消費市場及工業(yè)需求，深愛做出了長遠(yuǎn)的計劃安排，未來將著重于氮化鎵及IGBT產(chǎn)品的系列開發(fā)，逐漸完善產(chǎn)品線，為國產(chǎn)半導(dǎo)體取代進(jìn)口器件做技術(shù)儲備。

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