最新數(shù)據(jù)顯示,ASML在12月中完成了第100臺EUV光刻機的出貨。業(yè)內(nèi)預(yù)估ASML今年(2021年)的EUV光刻機產(chǎn)能將達到45~50臺的規(guī)模。
7納米及更先進制程,必須借助光刻設(shè)備轉(zhuǎn)印半導(dǎo)體電路圖案。追逐先進制程的芯片制造廠商中,臺積電和三星均已引入光刻機。目前,臺積電和三星已進入5nm工藝的量產(chǎn)階段,臺積電代工的產(chǎn)品包括蘋果A14、M1、華為麒麟9000等,后者則包括Exynos 1080、驍龍888等。
據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道,在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域?qū)㈦娐忿D(zhuǎn)印到基板的設(shè)備市場上,尼康、佳能和荷蘭ASML這三家企業(yè)形成壟斷,但支持EUV技術(shù)的設(shè)備目前只有ASML成功實現(xiàn)商用化。
ASML表示,迭代到5nm后,EUV的層數(shù)達到了10~14層,包括但不限于觸點、過孔以及關(guān)鍵金屬層等過程。未來的3nm、2nm,對EUV的依賴將更甚。
另外,ASML定于明年中旬交付最新一代EUV光刻機TWINSCAN NXE:3600D,生產(chǎn)效率提升18%、機器匹配套準(zhǔn)精度改進為1.1nm,單臺價格或高于老款的1.2億歐元(約合9.5億元人民幣)。
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