對于存儲產(chǎn)業(yè)而言，2020年是不平凡的，上半年遭遇“疫情”和國際貿(mào)易戰(zhàn)的沖擊，下半年因晶圓代工產(chǎn)能緊缺而引發(fā)半導(dǎo)體芯片漲價潮，以及存儲產(chǎn)業(yè)行情的劇烈波動。
雖然存儲產(chǎn)業(yè)面臨著較大的挑戰(zhàn)，但是依然抵擋不住存儲產(chǎn)業(yè)前進(jìn)的步伐，為了更好的應(yīng)對市場變化，三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、SK海力士等原廠在投資、技術(shù)、策略等方面有了新的變化和突破。
NAND技術(shù)：SK海力士、美光相續(xù)突破176層3D NAND
2020年三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等主要是擴(kuò)大9x層3D NAND在市場上的普及。同時，三星1XX層、西部數(shù)據(jù)/鎧俠112層、SK海力士128層、美光128層、英特爾144層3D NAND不斷提高生產(chǎn)比重，并積極推動在SSD產(chǎn)品中的應(yīng)用。
到2020年底，美光、SK海力士公開宣布在176層3D NAND上率先取得突破進(jìn)展。美光是在11月份宣布開始批量生產(chǎn)全球首個176層3D NAND Flash，其讀取延遲和寫入延遲將改善35%以上，最大數(shù)據(jù)傳輸速率1600 MT/s，提高了33%，混合工作負(fù)載性能提高15%，緊湊設(shè)計(jì)使裸片尺寸減小約30%，每片Wafer將產(chǎn)生更多的GB當(dāng)量的NAND Flash。
SK海力士則是在12月份宣布推出176層4D NAND，與上一代相比，Bit生產(chǎn)率將提高35%以上，讀取速度加快了20%，數(shù)據(jù)傳輸速度也提高了33%，達(dá)到1.6Gbps，稍晚些還將推出基于176層的1Tb容量4D NAND，預(yù)計(jì)2021年中將有基于176層4D NAND新技術(shù)的UFS和SSD產(chǎn)品面世。
此外，三星也表示，將在2021年量產(chǎn)第七代V-NAND，使用“雙堆?！奔夹g(shù)，具體堆疊層數(shù)并未透露，而三星在128層工藝節(jié)點(diǎn)，采用的是“單堆?！奔夹g(shù)生產(chǎn)3D NAND。三星也強(qiáng)調(diào)，采用“雙堆?！奔夹g(shù)，不僅更具技術(shù)競爭力，3D NAND也有望堆疊層數(shù)達(dá)到256層，但并不一定意味著三星第七代NAND將具有這種配置。
DRAM技術(shù)：三星1Znm 率先導(dǎo)入EUV，原廠2021年將進(jìn)入1αnm技術(shù)新階段
2020年三星、美光、SK海力士等DRAM技術(shù)主要是從1Ynm全面向1Znm推進(jìn)，這也是DRAM第三代10nm級技術(shù)，到第四代10nm級之后，將會大規(guī)模的導(dǎo)入EUV工藝。
2020年，三星量產(chǎn)的16Gb LPDDR5首次導(dǎo)入EUV工藝，基于1Znm制程技術(shù)，更先進(jìn)的技術(shù)相較于12Gb容量提升了33%，封裝的厚度也薄了30%。同時，三星也規(guī)劃將在2021年大量生產(chǎn)基于第四代10nm級（1α）EUV工藝的16Gb DDR5/LPDDR5。
美光提高1Znm LPDDR5產(chǎn)量，以及推動GDDR6X不斷創(chuàng)新，同時處于研發(fā)階段的1αnm DRAM計(jì)劃將在2021上半年量產(chǎn)，在成熟良率下，1αnm工藝節(jié)點(diǎn)比1Znm節(jié)點(diǎn)每片Wafer晶圓增加40%的Bit量，1βnm工藝正處于初期研發(fā)階段。
SK海力士計(jì)劃利用EUV技術(shù)優(yōu)勢，推動第四代10nm級（1a）DRAM量產(chǎn)，預(yù)計(jì)2021年開始批量生產(chǎn)1a nm DRAM。
投資建廠：三星西安二期、平澤P2，鎧俠K2、Fab7…
存儲產(chǎn)業(yè)競爭之下，投資必不可少。2020年三星在中國的西安二期1階段投產(chǎn)，開始新建二期第二階段項(xiàng)目將在2021年下半年竣工，同時平澤P2工廠投資8兆韓元新建NAND Flash產(chǎn)線，計(jì)劃2021下半年開始量產(chǎn)，以及還在規(guī)劃新建P3工廠。
鎧俠與西部數(shù)據(jù)共同投資的巖手縣北上市新工廠K1已在2020上半年開始少量生產(chǎn)，在四日市存儲器生產(chǎn)基地北側(cè)，F(xiàn)ab7工廠土地正在動工中，建設(shè)將分兩個階段，第一階段建設(shè)計(jì)劃于2022年春季完成。另外，鎧俠還宣布將擴(kuò)建日本巖手縣生產(chǎn)基地，將在現(xiàn)有的K1工廠旁擴(kuò)產(chǎn)K2廠區(qū)，將于2021年春季開始，2022年春季完成。
美光正在新建A3工廠潔凈室，預(yù)估將在2021年投入量產(chǎn)1Znm或1α技術(shù)，同時美光也計(jì)劃將在2021年提出建設(shè)A5廠項(xiàng)目的申請，持續(xù)加碼投資DRAM，將用于1Znm制程之后的微縮技術(shù)發(fā)展，進(jìn)一步擴(kuò)大先進(jìn)技術(shù)的量產(chǎn)規(guī)模。至于SK海力士，利川M16廠預(yù)計(jì)將在2021年上半投片，下半產(chǎn)品出貨。
長江存儲國家存儲器基地項(xiàng)目二期也正式開工建設(shè)，國家存儲器基地項(xiàng)目總投資達(dá)240億美元，分兩期建設(shè)3D NAND芯片工廠，一期于2016年底開工建設(shè)，并建成10萬片/月產(chǎn)能，二期規(guī)劃產(chǎn)能20萬片/月，兩期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后月產(chǎn)能共計(jì)30萬片。
策略調(diào)整：原廠重大結(jié)構(gòu)變化，將引發(fā)全球格局動蕩
1、三星公司高層人事調(diào)動
2020年12月份，三星對公司管理層進(jìn)行變動，5名三星高管發(fā)生人事變動，其中三名得到升遷：
三星電子消費(fèi)電子事業(yè)部Lee Jae-seung副社長升遷為三星電子消費(fèi)電子事業(yè)部社長；
三星電子存儲事業(yè)部DRAM開發(fā)副社長Lee Jung-bae升遷為三星電子存儲事業(yè)部社長
三星電子存儲器制造技術(shù)部Choi Si-young副社長升遷為三星電子Foundry事業(yè)部社長。
另外，三星對公司董事長一職并未安排人員頂替，目前仍處于空缺狀態(tài)。
2、西部數(shù)據(jù)整合Flash和HDD技術(shù)資源成立獨(dú)立的產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門
西部數(shù)據(jù)將Flash和HDD技術(shù)資源整合，并成立獨(dú)立的產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門，致力于提供多元化的存儲產(chǎn)品組合解決方案，將使得SSD和HDD產(chǎn)品線更加靈活調(diào)度，取長補(bǔ)短，更好的滿足市場需求。
3、鎧俠推遲原本在2020年IPO上市的計(jì)劃，同時東芝要賣鎧俠股份
因?yàn)槭袌鲂星槌掷m(xù)動蕩及“疫情”爆發(fā)帶來的不確定性，鎧俠推遲了原本在2020年10月6日的上市計(jì)劃，并將繼續(xù)評估上市的合適時機(jī)。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，若鎧俠錯過了2021年2月的截止日期，那么其IPO計(jì)劃將推遲到2021年下半年。
值得注意的是，作為鎧俠股東之一的東芝，表示無意繼續(xù)從事Memory相關(guān)的業(yè)務(wù)，于2020年8月宣布將出售其持有的部分鎧俠普通股。
4、SK海力士整合DRAM和NAND Flash兩大開發(fā)部門
SK海力士在2019年底宣布在2020年進(jìn)行一系列的人事調(diào)動和業(yè)務(wù)重組，其中將DRAM和NAND Flash兩大開發(fā)部門整合在一起，實(shí)現(xiàn)從開發(fā)、制造，以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理。重組后，SK海力士首席半導(dǎo)體技術(shù)專家Jin Kyo-won提升為開發(fā)制造總裁，負(fù)責(zé)DRAM和NAND Flash從開發(fā)到批量生產(chǎn)，提高運(yùn)營效率。
SK海力士在2020年宣布投資5500萬美元成立高斯實(shí)驗(yàn)室，將通過工業(yè)AI解決方案實(shí)現(xiàn)制造的創(chuàng)新。
5、英特爾將NAND業(yè)務(wù)和大連工廠出售給SK海力士
繼英特爾與美光結(jié)束了NAND Flash技術(shù)合作，以及將合資工廠的股份也全部賣給了美光之后，又將NAND業(yè)務(wù)賣給了SK海力士，包括生產(chǎn)3D NAND的中國大連工廠。
按照協(xié)議，英特爾NAND SSD業(yè)務(wù)、NAND組件和晶圓業(yè)務(wù)以及中國大連NAND工廠將在2021年底移交給SK海力士，但這項(xiàng)交易仍需獲得監(jiān)管部門的批準(zhǔn)。同時，英特爾將繼續(xù)在大連工廠生產(chǎn)NAND晶圓，并保留所有NAND晶圓制造和設(shè)計(jì)相關(guān)的知識產(chǎn)權(quán)，一直到2025年3月交易最終完成。這個生產(chǎn)結(jié)構(gòu)是為了保護(hù)知識產(chǎn)權(quán)的合法所有權(quán)。