12月22日，上交所正式受理了江蘇宏微科技股份有限公司提交的科創(chuàng)板上市申請，保薦機構(gòu)為民生證券，擬募資5．58億元，用于投建新型電力半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)基地項目、研發(fā)中心建設(shè)項目、償還銀行貸款及補充流動資金項目。

圖片摘自宏微科技官網(wǎng)

招股書顯示，宏微科技從事IGBT、FRED為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管、模塊和電源模組的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導(dǎo)體器件的解決方案。

宏微科技官網(wǎng)也顯示，其業(yè)務(wù)范圍主要包括：1、設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新型電力半導(dǎo)體芯片、分立器件及模塊，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、標準模塊及用戶定制模塊（CSPM）；2、高效節(jié)能電力電子裝置的模塊化設(shè)計、制造及系統(tǒng)的解決方案，如動態(tài)節(jié)能照明電源、開關(guān)電源、UPS、逆變及變頻裝置等。

IGBT是工業(yè)控制及自動化領(lǐng)域的核心元器件，屬于國家戰(zhàn)略高新技術(shù)及核心關(guān)鍵技術(shù)。

據(jù)悉，宏微科技目前已具備并掌握先進的IGBT、FRED芯片設(shè)計能力、工藝設(shè)計能力、模塊的封裝設(shè)計與制造能力、特性分析與可靠性研究能力、器件的應(yīng)用研究與失效分析能力。宏微科技在IGBT、FRED等功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊的設(shè)計、封裝和測試裝等方面積累了不少的優(yōu)秀核心技術(shù)，其中芯片領(lǐng)域的核心技術(shù)主要包括微細溝槽柵、多層場阻斷層、虛擬元胞、逆導(dǎo)集成結(jié)構(gòu)等IGBT芯片設(shè)及制造技術(shù)；軟恢復(fù)結(jié)構(gòu)、非均勻少子壽命控制技術(shù)等FRED芯片設(shè)計及制造技術(shù)；高可靠終端設(shè)計等高壓MOSFET芯片設(shè)計及制造技術(shù)等。宏微自主研發(fā)設(shè)計的芯片是宏微科技模塊產(chǎn)品具有高性價比的主要競爭力之一。

募資5．58億，投建電力半導(dǎo)體器件項目等

招股書顯示，宏微科技擬募資5．58億元，投建于新型電力半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)基地項目、研發(fā)中心建設(shè)項目、償還銀行貸款及補充流動資金項目。宏微科技稱，本次募集資金投資項目均系圍繞公司主營業(yè)務(wù)與核心技術(shù)進行。

截圖自宏微科技招股書

「新型電力半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)基地項目」主要系在現(xiàn)有技術(shù)和現(xiàn)有工藝基礎(chǔ)上通過擴充生產(chǎn)線，通過配置高性能的生產(chǎn)硬件設(shè)備和自動化設(shè)備，并引入制造企業(yè)生產(chǎn)過程執(zhí)行管理系統(tǒng)等……為高端IGBT產(chǎn)品的生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)，以更好地滿足下游客戶的需求。

「研發(fā)中心建設(shè)項目」主要圍繞「新能源領(lǐng)域的IGBT芯片與封裝技術(shù)」、「高電流密度、大功率IGBT芯片與模塊」、「SiC功率器件」、「用戶定制模塊」等研發(fā)方向，購置先進研發(fā)設(shè)備、測試儀器及專業(yè)軟件，引進高素質(zhì)的研發(fā)技術(shù)人才，進行多個前沿方向的研發(fā)……研發(fā)中心建成后……（宏微科技）能夠同時進行芯片和模塊方向多個項目的研發(fā)，提高研發(fā)效率，增強核心技術(shù)競爭力。

宏微科技還聲稱，現(xiàn)已掌握核心的IGBT、FRED芯片設(shè)計、制造、測試及可靠性技術(shù)，開發(fā)出IGBT、FRED芯片及單管產(chǎn)品100余種，IGBT、FRED、整流橋及晶閘管等模塊產(chǎn)品400余種，電流范圍從3A到1000A，電壓范圍從60V到2000V，產(chǎn)品類型齊全。