除了臺(tái)積電與三星以外,英特爾也表現(xiàn)出對(duì)3nm的極大期望。

日前,臺(tái)積電官方正式宣布,將在2023年推出3nm工藝的增強(qiáng)版,該工藝將被命名為“3nm Plus”,首發(fā)客戶依然是蘋果。按蘋果一年更新一代芯片的速度,屆時(shí)使用3nm Plus工藝的將是“A17”芯片。

臺(tái)積電官方并未透露出3nm Plus工藝的詳細(xì)信息,從以往的升級(jí)可以推測(cè),3nm Plus將比3nm擁有更多的晶體管密度以及更低功耗。

參照臺(tái)積電此前公布的3nm工藝,晶體管密度提升了70%。相比較5nm工藝,3nm工藝將減少25～30%的功耗,并且?guī)?0～15%的性能提升。

在今年九月,臺(tái)積電就公布其3nm工藝量產(chǎn)目標(biāo),2022年下半年的單月生產(chǎn)能力上升到5．5萬張,到2023年的單月上升到10萬張。同時(shí),蘋果已經(jīng)包攬下最早一批3nm產(chǎn)能。

而三星一直希望在3nm工藝上實(shí)現(xiàn)對(duì)臺(tái)積電的反超。在核心技術(shù)方面,三星的3nm將改用Gate-All-Around(GAA,環(huán)繞柵極晶體管),臺(tái)積電則堅(jiān)持使用FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。三星也希望搶在明年就推出3nm產(chǎn)品,這也給臺(tái)積電極大的壓力。

目前來看,3nm工藝將成為各家晶圓代工廠競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵點(diǎn),除了臺(tái)積電與三星以外,英特爾也表現(xiàn)出對(duì)3nm抱有極大期望,并且在5nm工藝階段就放棄FinFET,轉(zhuǎn)向GAA。