據(jù)重慶日報報道，目前，重慶郵電大學(xué)實驗室已成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片。
重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院副教授黃義透露，“目前，實驗室已成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片，這也是重慶市功率半導(dǎo)體、汽車電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新興方向?！睋?jù)悉，第三代半導(dǎo)體功率芯片主要應(yīng)用在汽車電子、消費電源、數(shù)據(jù)中心等方面，具備體積小、效率高、用電量少等特點。
“這款功率半導(dǎo)體芯片電量能節(jié)省10％以上，面積是硅芯片的1／5左右，開關(guān)速度提升10倍以上。”黃義透露，目前該項目已經(jīng)到了試驗性應(yīng)用階段，未來有望在各種電源節(jié)能領(lǐng)域和大數(shù)據(jù)中心使用。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。