根據(jù)IC Insights發(fā)布的《 2020-2024年全球晶圓產(chǎn)能》報告，從2024年開始，領先（<10nm）工藝的IC產(chǎn)能預計將增長，并將成為整個行業(yè)每月安裝容量的最大來源。

　　報道指出，到2020年底，10nm以下工藝的產(chǎn)能預計將占IC工業(yè)晶圓總產(chǎn)能的10％，然后預計2022年將首次超過20％，并在2024年增加至全球產(chǎn)能的30％ （圖1）。

　　IC Insight表示，推進工藝尺寸的微縮變得越來越困難，如何測量這些小工藝，也給行業(yè)人士帶來困擾。因此，關于新工藝技術(shù)的晶圓廠產(chǎn)能的任何假設都可能以最小的特征尺寸對晶圓產(chǎn)能的預測產(chǎn)生重大影響。

　　報告進一步指出，不斷縮小晶體管的幾何尺寸動機是巨大的，因為這樣做有很多好處：更高的速度，更低的功耗，更低的單位面積成本等，但是有時會出現(xiàn)收益遞減的問題，這就讓芯片設計人員不得不懷疑高成本是否值得。而微縮帶來的成本優(yōu)勢也已經(jīng)不再是以前的比例。

　　此外，10nm以下制程技術(shù)相關的設備成本已經(jīng)飆升至許多IC供應商無法承受的地步。因此，目前只有三星，臺積電和英特爾建造小于10納米工藝技術(shù)的晶圓廠。

　　同時，設計難題（例如，繼續(xù)縮小DRAM和NAND閃存單元的體積）阻礙了IC行業(yè)使用多年的縮放方法。復雜的基于邏輯的芯片（例如微處理器，ASIC，F(xiàn)PGA和其他高級邏輯設備）也面臨挑戰(zhàn)。

　　IC Insights認為，隨著復雜的基于邏輯的芯片的細微特征尺寸的遷移速度繼續(xù)放緩，芯片設計人員也發(fā)現(xiàn)越來越難以證明較高的成本是合理的。因此那些能從高速，低功耗受益匪淺的應用將對先進的finFET工藝及更高工藝提出健康的需求。半代節(jié)點或現(xiàn)有過程的增強版本的推出也有助于在每個新一代節(jié)點之間傳遞更多的時間。

　　從IC Insights的2020-2024年全球晶圓產(chǎn)能報告，我們還有其他發(fā)現(xiàn)，包括：

　　1、2020年，預計所有晶圓容量的48％將用于最小幾何尺寸（或等效的最小幾何尺寸）小于20nm的設備（而小于10nm的占比10.0％；介乎10-20nm之間的是38.4％）。此類設備包括具有等效10nm級技術(shù)的高密度DRAM和高密度3D NAND閃存，高性能微處理器，低功耗應用處理器以及基于16 / 14nm，12 / 10nm的高級ASIC / ASSP / FPGA器件，或7 / 5nm技術(shù)。

　　2、在低于20nm的工藝中，韓國擁有66％的產(chǎn)能，與其他地區(qū)或國家相比，韓國的領先優(yōu)勢仍然明顯得多。鑒于三星和SK Hynix對高密度DRAM，閃存和三星應用處理器的重視，該國擁有最先進的專用晶圓產(chǎn)能就不足為奇了。

　　3、因為蘋果公司，華為公司和高通公司持續(xù)使用臺積電的先進工藝服務。這就使得中國臺灣小于20nm工藝的總產(chǎn)能超過35％。盡管如此，28nm，45 / 40nm和65nm世代繼續(xù)為臺積電和聯(lián)電等代工廠創(chuàng)造大量業(yè)務。

　　4、中國大陸大多數(shù)小于20nm的產(chǎn)能由外國公司擁有和控制，這些外國公司包括三星，SK海力士，英特爾和臺積電。YMTC和中芯國際是僅有的提供小于20nm制程技術(shù)的中國公司。