11月2日，據(jù)外媒報(bào)道，華為正計(jì)劃在上海建設(shè)一家不使用美國技術(shù)的芯片工廠。該報(bào)告稱，華為的目標(biāo)是在2021年年底前為“物聯(lián)網(wǎng)”設(shè)備生產(chǎn)28納米，到2022年為5G電信設(shè)備生產(chǎn)20納米。

　　該報(bào)告稱，華為沒有芯片制造經(jīng)驗(yàn)，該工廠將由上海市政府支持的上海集成電路研發(fā)中心有限公司（國際復(fù)興開發(fā)銀行）運(yùn)營。

　　據(jù)悉，該工廠將從低端45納米芯片開始做起，目標(biāo)明年底之前實(shí)現(xiàn)28納米芯片制造，2022年底之前升級(jí)到用于5G電信設(shè)備的20納米芯片。而45納米工藝曾在10年前用于生產(chǎn)蘋果iPhone 4所用的A4芯片。目前華為Mate 40系列已搭載5納米麒麟9000芯片。

　　受禁令影響，華為高端手機(jī)芯片已斷供。為了解決芯片危機(jī)，華為曾考慮尋找替代方案。但是，目前中國內(nèi)地規(guī)模最大的芯片制造商中芯國際最先進(jìn)的工藝是14納米，和最前沿的5納米工藝相比還有很大差距，長(zhǎng)遠(yuǎn)來看，并不能滿足華為的需求。更嚴(yán)峻的是，近日中芯國際也遭到美國封鎖，部分供應(yīng)商向中芯國際供貨被加強(qiáng)管制，未獲許可不得供貨。

　　來自美國金融咨詢機(jī)構(gòu) Bernstein Research 的半導(dǎo)體分析師 Mark Li 認(rèn)為，華為有可能實(shí)現(xiàn)這個(gè)芯片自產(chǎn)計(jì)劃，但大概需要兩年時(shí)間。

　　Mark Li 還表示，雖然華為制造移動(dòng)基站所需的芯片理想情況下應(yīng)采用 14nm 或更先進(jìn)的工藝技術(shù)，但使用 28nm 是可能的。他表示：華為可以彌補(bǔ)軟件和系統(tǒng)方面的不足。與海外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比，中國生產(chǎn)商可以容忍更高的成本和運(yùn)營效率低下。

　　至于這一計(jì)劃的實(shí)施，Mark Li 認(rèn)為，這樣一個(gè)設(shè)施很可能是由來自不同中國供應(yīng)商的設(shè)備組合而成，比如 AMEC 和 Naura，再加上一些它們可以在市場(chǎng)上找到的二手外國工具。

　　據(jù)內(nèi)人士的說法，華為計(jì)劃最終在其國內(nèi)生產(chǎn)設(shè)備上完全配備中國制造的機(jī)器，但有分析師指出，這一目標(biāo)尚需數(shù)年時(shí)間。

　　據(jù)官網(wǎng)介紹，上海集成電路研發(fā)中心有限公司（ICRD）成立于2002年，ICRD由中國集成電路相關(guān)企業(yè)集團(tuán)和高校聯(lián)合投資組建而成。上海集成電路研發(fā)中心位于上海市張江高科技園區(qū)，地理位置毗鄰華力微電子和中芯國際。ICRD建有中國12英寸開放式集成電路先進(jìn)工藝研發(fā)和裝備材料試驗(yàn)平臺(tái)，凈化面積超過3000平方米，研發(fā)環(huán)境及管理系統(tǒng)和大生產(chǎn)線完全匹配，可實(shí)現(xiàn)硅片無沾污進(jìn)出和工藝流程無縫銜接，加快了技術(shù)研發(fā)和驗(yàn)證速度。