據(jù)悉，恩智浦半導(dǎo)體（NXP）宣布正式啟用位于美國亞利桑那州錢德勒（Chandler）的 6 英寸射頻氮化鎵（GaN）晶圓廠，這是美國境內(nèi)專注于 5G 射頻功率放大器的最先進(jìn)晶圓廠。
恩智浦表示，這座全新氮化鎵晶圓廠已通過認(rèn)證，首批產(chǎn)品將持續(xù)推出上市，預(yù)計(jì) 2020 年底將達(dá)到產(chǎn)能滿載。
恩智浦指出，此全新工廠結(jié)合恩智浦射頻功率領(lǐng)導(dǎo)者的專業(yè)與大規(guī)模量產(chǎn)技術(shù)，代表實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新，有助支持 5G 基站與先進(jìn)通信基礎(chǔ)設(shè)施在工業(yè)、航空航天和國防市場的擴(kuò)展。
恩智浦半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官 Kurt Sievers 在演講中表示，今日象征著恩智浦的重要里程碑。通過在亞利桑那州建立此先進(jìn)廠房與吸引關(guān)鍵人才，讓恩智浦能夠更聚焦于發(fā)展氮化鎵技術(shù)，將其作為推動下一代 5G 基站基礎(chǔ)建設(shè)的一部分。
隨著 5G 的發(fā)展，射頻解決方案中每個(gè)天線所需的功率密度呈指數(shù)級增長，但仍需保持相同的機(jī)箱尺寸，并降低功耗。氮化鎵功率晶體管已成為滿足這些嚴(yán)格要求的新黃金標(biāo)準(zhǔn)，能夠大幅提高功率密度和效率。
同時(shí)，恩智浦半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼無線電功率業(yè)務(wù)部總經(jīng)理 Paul Hart 表示，恩智浦團(tuán)隊(duì)向來致力于建造世界上最先進(jìn)的射頻氮化鎵晶圓廠，該晶圓廠的能力可擴(kuò)展至 6G 甚至更高。
氮化鎵是硅的替代品，被視為是第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料第一代為硅，第二代是砷化鎵，第三代除了氮化鎵，還包括碳化硅。氮化鎵是 5G 網(wǎng)絡(luò)中的關(guān)鍵材料之一，因?yàn)樗芴幚響?yīng)用于 5G 網(wǎng)絡(luò)的高頻率，同時(shí)比其他芯片材料功號更低，所占空間更少。
利用氮化鎵量產(chǎn)芯片仍是一項(xiàng)具利基的嘗試，多數(shù)的供應(yīng)來自恩智浦、SkyWorks Solutions 與 Qorvo。
恩智浦半導(dǎo)體表示，這座新工廠將生產(chǎn) 6 英寸的氮化鎵晶圓，與用于多數(shù)傳統(tǒng)硅計(jì)算芯片的晶圓尺寸相比只有一半，但在替代性材料中，這樣的尺寸很常見。
據(jù)悉，恩智浦的亞利桑那州工廠將設(shè)有一座研發(fā)中心，協(xié)助工程師加速氮化鎵半導(dǎo)體的開發(fā)與申請專利。
恩智浦表示，預(yù)計(jì)這座工廠年底前就會產(chǎn)能全開。
值此之際，美國政府正討論推出百十億美元的激勵計(jì)劃，用以讓更多芯片制造商將生產(chǎn)線遷回美國本土。
由此來看，恩智浦在美國設(shè)廠的重要原因，或許是為了給予平息美國的“擔(dān)憂”，從而進(jìn)一步開拓當(dāng)?shù)厥袌觥?/p>
據(jù)日經(jīng)亞洲評論 9 月 26 日消息，美國國會正醞釀一項(xiàng)計(jì)劃，打算撥款 250 億美元（折合約 1705 億元人民幣）作為激勵資金，鼓勵更多跨國芯片制造商將生產(chǎn)線遷至美國。根據(jù)美國的設(shè)想，將對每個(gè)新來的芯片項(xiàng)目發(fā)放 30 億美元（折合約 204 億元人民幣）的補(bǔ)貼。
早從去年 10 月開始，美國就頻繁對外喊話，希望更多制造商將供應(yīng)鏈放到美國。這一舉動的背后，就是美國擔(dān)憂華為、中興等中國企業(yè)的崛起，或?qū)嗫鐕酒圃焐虒⑸a(chǎn)集中至中國，屆時(shí)美國失去了在芯片領(lǐng)域的優(yōu)勢地位，很有可能將面臨“斷供”的困境。
值得一提的是，恩智浦半導(dǎo)體與華為也有著不小的“淵源”。在 2018 年華為公布的 92 家核心供應(yīng)商名單中，這家荷蘭巨頭是華為為數(shù)不多的連續(xù)十年金牌供應(yīng)商之一，另一個(gè)是美國巨頭英特爾。隨著 9 月 14 日美國新規(guī)正式生效，外界也紛紛猜測華為在歐洲的供貨商是否會受到影響。
數(shù)據(jù)顯示，中國是恩智浦全球第一大市場，2018 年，來自中國的訂單額在其全年?duì)I收的占比高達(dá) 36%。而據(jù)美國媒體報(bào)道，截至目前，恩智浦半導(dǎo)體還未對美國的新規(guī)做出任何回應(yīng)。