ROM在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持數(shù)據(jù)
RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的就是計算機的內(nèi)存。
一、ROM也有很多種：PROM（可編程的ROM）、EPROM（可擦除可編程ROM）、EEPROM
1、PROM是一次性的，早期的產(chǎn)品，現(xiàn)在已經(jīng)不可能使用了；
2、EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲器；
3、EEPROM是通過電子擦出，價格很高，寫入時間很長，寫入很慢；
舉個例子，手機軟件一般放在EEPROM中，我們打電話，有些最后撥打的號碼，暫時是存在SRAM中的，不是馬上寫入通訊記錄（通話記錄保存在EEPROM中），因為當時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓用戶忍無可忍的。
二、RAM有兩大類：靜態(tài)RAM（StaticRAM/SRAM）和動態(tài)RAM（Dynamic RAM/DRAM）
1、SRAM
不需要刷新電路，掉電丟失數(shù)據(jù)，而且一般不是行列地址復用的。
集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做CPU啟動時用的；
SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來存儲數(shù)據(jù)；
制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多；
因此目前SRAM基本上只用于CPU內(nèi)部的一級緩存以及內(nèi)置的二級緩存。僅有少量的網(wǎng)絡服務器以及路由器上能夠使用SRAM。
2、DRAM
掉電丟失數(shù)據(jù)。每隔一段時間就要刷新一次數(shù)據(jù)，才能保存數(shù)據(jù)。而且是行列地址復用的，許多都有頁模式。DRAM利用MOS管的柵電容上的電荷來存儲信息，一旦掉電信息會全部的丟失，由于柵極會漏電，所以每隔一定的時間就需要一個刷新機構(gòu)給這些柵電容補充電荷，并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補充電荷，這個就叫動態(tài)刷新，所以稱其為動態(tài)隨機存儲器。由于它只使用一個MOS管來存信息，所以集成度可以很高，容量能夠做的很大。SDRAM比它多了一個與CPU時鐘同步。
DRAM保留數(shù)據(jù)的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快；
從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內(nèi)存就是DRAM的；
DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，這里介紹其中的一種DDR RAM。
一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數(shù)據(jù)丟失的原因；刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大于滿電量的1／2，則認為其代表1，并把電容充滿電；若電量小于1／2，則認為其代表0，并把電容放電，藉此來保持數(shù)據(jù)的連續(xù)性。
2.1、DDR RAM（Data-Rate RAM）也稱作DDR SDRAM
這種改進型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來提高帶寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
2.2、SDRAM（Synchronous DRAM，同步動態(tài)隨機存儲器）
即數(shù)據(jù)的讀寫需要時鐘來同步。
其存儲單元不是按線性排列的，是分頁的。
DRAM和SDRAM由于實現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM。
一般的嵌入式產(chǎn)品里面的內(nèi)存都是用的SDRAM。
三、Flash（閃存）
它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還不會斷電丟失數(shù)據(jù)同時可以快速讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的優(yōu)勢），U盤和MP3里用的就是這種存儲器。
在過去的20年里，嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM（EPROM）作為它們的存儲設備，然而近年來Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統(tǒng)中的地位，它用作存儲Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼，或者直接當硬盤使用（U盤）。
采用的并行接口，有獨立的地址線和數(shù)據(jù)線，性能特點更像內(nèi)存，是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP， eXecute In Place），這樣應用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。
NAND采用的是串行的接口，地址線和數(shù)據(jù)線是共用的I/O線，類似電腦硬盤。CPU從里面讀取數(shù)據(jù)的速度很慢，所以一般用NAND做閃存的話就必須把NAND里面的數(shù)據(jù)先讀到內(nèi)存里面，然后CPU才能夠執(zhí)行。無法尋址和直接運行程序，只能存儲數(shù)據(jù)。另外NAND FLASH非常容易出現(xiàn)壞區(qū)，所以需要有校驗的算法。
NOR Flash：用戶可以直接運行裝載在NOR FLASH里面的代碼
目前Flash主要有NOR Flash和NADN Flash
1、類型
分為NOR（或非）、 NAND（與非）
2、接口理解
NOR（或非）----地址、數(shù)據(jù)總線分開；
NAND（與非）----地址、數(shù)據(jù)總線共用。
3、讀寫單位：
NOR（或非）----字節(jié)；
NAND（與非）----頁
4、組成結(jié)構(gòu)：
NOR（或非）----扇區(qū)、字節(jié)；
NAND（與非）----塊、頁；
5、擦除單位：
NOR（或非）----扇區(qū)；
NAND（與非）----塊；
6、讀寫擦除速度
NOR的讀速度比NAND稍快一些。
NAND的寫入/擦除速度比NOR快很多。
flash閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進行，所以大多數(shù)情況下，在進行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內(nèi)所有的位都寫為0。由于擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。
NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
（注：NOR FLASH SECTOR擦除時間視品牌、大小不同而不同，比如，4M FLASH，有的SECTOR擦除時間為60ms，而有的需要最大6s。）
7、容量
NOR flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場的大部分
NAND flash只是用在8～128MB的產(chǎn)品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質(zhì)中，NAND適合于數(shù)據(jù)存儲
8、可靠性和耐用性：
可以從壽命（耐用性）、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。
A）壽命（耐用性）
在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。
NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
B）位交換
所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下（很少見，NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多），一個比特（bit）位會發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報告反轉(zhuǎn)了。
一位的變化可能不很明顯，但是如果發(fā)生在一個關(guān)鍵文件上，這個小小的故障可能導致系統(tǒng)停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。
當然，如果這個位真的改變了，就必須采用錯誤探測/錯誤更正（EDC/ECC）算法。位反轉(zhuǎn)的問題更多見于NAND閃存，NAND的供應商建議使用NAND閃存的時候，同時使用EDC/ECC算法。
這個問題對于用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確?？煽啃?。
C）壞塊處理
NAND器件需要對介質(zhì)進行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標記為不可用。在已制成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
9、易于使用：
基于NOR的閃存，可以像其他存儲器那樣連接，并可以在上面直接運行代碼。
由于NANDLFASH需要I/O接口，所以要復雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。
在使用NAND器件時，必須先寫入驅(qū)動程序，才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當?shù)募记桑驗樵O計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。
10、軟件支持：
在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟件支持；
在NAND器件上進行執(zhí)行操作時，通常需要 驅(qū)動程序，也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動程序（MTD）；
NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。
11、尋址：
NAND每次讀取數(shù)據(jù)時都是指定塊地址、頁地址、列地址，列地址就是讀的頁內(nèi)起始地址，每次都是先將數(shù)據(jù)讀入頁緩沖區(qū)內(nèi)，再 由I/O輸入地址 在緩沖區(qū)內(nèi)尋址，其實這里列地址，只是指定起始地址的作用。NAND是以頁為基本單位 操作的。寫入數(shù)據(jù)也是首先在頁面緩沖區(qū)內(nèi)緩沖，數(shù)據(jù)首先寫入這里，再寫命令后，再統(tǒng)一寫入頁內(nèi)。因此NAND頁緩沖區(qū)的作用就是，保證芯片的按頁的讀、寫操作，是I/O操作與芯片操作的接口、橋梁，因為數(shù)據(jù)是從I/O輸入的，又是每次一個字節(jié)，因此需要緩沖。即使每次改寫一個字節(jié)，都要重寫整個頁，因為它只支持頁寫，而且如果頁內(nèi)有未擦除的部分，則無法編程，在寫入前必須保證頁是空的。
NOR的 讀、寫是字節(jié)為基本單位操作的，但擦除是以扇區(qū)操作的。
綜上所述在芯片操作上，NAND要比NOR快很多，因為NAND是頁操作的而NOR是字節(jié)操作的。
12、應用：
NAND 正是基于這種構(gòu)造：塊、頁，無法字節(jié)尋址，頁讀寫本身就靠的是內(nèi)部復雜的串、并行轉(zhuǎn)換 ，因此也沒有很多地址引腳，所以其地址、數(shù)據(jù)線共用，所以容量可以做的很大 。
NOR 是和SRAM一樣的可隨機存儲的，也不需要驅(qū)動，因此，其地址就有限，所以容量普遍較小，其實是受限于地址線。
基于以上幾點，在工業(yè)領(lǐng)域，NOR 用的較多，特別是程序存儲，少量數(shù)據(jù)存儲等。
在消費領(lǐng)域，大量數(shù)據(jù)存儲，NAND較多。
Flash ROM是利用浮置柵上的電容存儲電荷來保存信息，因為浮置柵不會漏電，所以斷電后信息仍然可以保存。也由于其機構(gòu)簡單所以集成度可以做的很高，容量可以很大。Flash rom寫入前需要用電進行擦除，而且擦除不同與EEPROM可以以byte（字節(jié)）為單位進行，flash rom只能以sector（扇區(qū)）為單位進行。不過其寫入時可以byte為單位。flash rom主要用于bios，U盤，Mp3等需要大容量且斷電不丟數(shù)據(jù)的設備
存儲器局限性
閃存最關(guān)鍵的限制可能是寫/擦除周期數(shù)有限。
為應對這種限制，可采用固件或文件系統(tǒng)驅(qū)動器，對存儲器寫的次數(shù)進行逐次計數(shù)。這些軟件將動態(tài)地重新映射這些塊，在扇區(qū)間分享寫操作。換句話說，萬一寫操作失敗，軟件通過寫驗證和重新映射向未使用的扇區(qū)授權(quán)寫操作。
像RAM一樣，閃存可以一個字節(jié)或一個字一次進行讀或編程，但擦除必須是一次進行一個完整的塊，將塊中的所有位重新置位為1。這意味著需要花更多時間進行編程。例如，如果將一位（0）寫入一個塊，要對該塊重新編程，就必須完全擦除此塊，而不是僅僅重寫該位。