器件采用PowerPAK SO-8單體封裝，柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積優(yōu)值系數(shù)達到同類產(chǎn)品最佳水平

　　賓夕法尼亞、MALVERN -2020年8月17日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---SiRA99DP ，10 V條件下導(dǎo)通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET第四代SiRA99DP導(dǎo)通電阻達到業(yè)內(nèi)最低水平，采用熱增強型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝，專門用來提高功率密度。

　　日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實現(xiàn)更高功率密度。SiRA99DP超低柵極電荷僅為84 nC，柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，即開關(guān)應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù) （FOM） 為185 mW*nC，達到同類產(chǎn)品最佳水平。

　　器件是輸入電壓12 V電路的理想選擇，適用于適配器、電池和通用電源開關(guān)、反向極性電池保護、 OR-ing功能，以及電信設(shè)備、服務(wù)器、工業(yè)PC和機器人的電機驅(qū)動控制。SiRA99DP減少并聯(lián)器件數(shù)量，換句話說，加大單個器件電流，從而提高功率密度，節(jié)省這些應(yīng)用的主板空間。此外，作為p溝道MOSFET，器件不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓。

　　這款MOSFET經(jīng)過RG和UIS測試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。

　　SiRA99DP現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為12周，視市場情況而定。

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、通信、國防、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。