將芯片從2D平鋪封裝改成3D立體式堆疊式封裝已經(jīng)成為目前半導(dǎo)體業(yè)界的共識(shí)，這種在第三維度上進(jìn)行拓展的封裝技術(shù)能夠有效降低整個(gè)芯片的面積，提升集成度。目前業(yè)界領(lǐng)頭羊都在3D封裝技術(shù)上面努力著，前有臺(tái)積電的CoWoS（實(shí)際上是2．5D），后有Intel的Foveros，現(xiàn)在三星也公布了自家的3D封裝技術(shù)，名為X－Cube。

今天早些時(shí)候，這家韓國(guó)科技巨頭表示，其新的 X－Cube 3D IC芯片封裝技術(shù)已經(jīng)可以使用，該技術(shù)可以同時(shí)提供更快的速度和更好的能源效率。

三星的合同芯片制造部門三星晶圓廠已經(jīng)完成了使用 X－Cube 術(shù)的測(cè)試芯片的生產(chǎn)，新的 3D 集成電路芯片封裝技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)可以用于制造 7 納米和 5 納米芯片。新技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)多個(gè)芯片的超薄堆疊，以制造更緊湊的邏輯半導(dǎo)體。該工藝使用通硅通 （TSV）技術(shù)進(jìn)行垂直電連接，而不是使用導(dǎo)線。

三星宣稱，芯片設(shè)計(jì)師可以利用其 X－Cube 技術(shù)設(shè)計(jì)出最適合自己獨(dú)特需求的定制芯片。由于采用了 TSV 技術(shù)，芯片中不同堆棧之間的信號(hào)路徑大大減少，提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和能源效率。各種邏輯塊、存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)芯片可以相互堆疊，以創(chuàng)造更緊湊的硅封裝。

三星公司表示，這項(xiàng)技術(shù)將用于 5G、AI、AR、HPC（高性能計(jì)算）、移動(dòng)和 VR 等領(lǐng)域。據(jù)了解，三星代工廠將在 8 月 18 日至 8 月 20 日舉行的 Hot Chips 2020 博覽會(huì)期間展示其新技術(shù)。此外，三星還在努力改進(jìn) 5nm 工藝，跳過(guò) 4nm，在不久的將來(lái)開發(fā) 3nm 技術(shù)。