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自力更生!韓國在半導(dǎo)體材料逆襲,那日本該何去何從

2020-05-19
來源:Ai芯天下

    前言:

    韓國將以日本此次的措施為契機,意外加快了本國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心材料、零件、設(shè)備的研發(fā)速度和競爭力,打了日本一個措手不及。

    韓國被日本“逼上梁山”

    韓日貿(mào)易巨額逆差的主要問題是技術(shù)差距,韓國半導(dǎo)體和顯示器產(chǎn)業(yè)規(guī)模雖然不斷擴(kuò)大但在關(guān)鍵領(lǐng)域依賴日本,而且多是需要長時間技術(shù)積累才能生產(chǎn)的零部件和材料產(chǎn)品。

    韓國統(tǒng)計廳7日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,今年第一季度韓國進(jìn)口的日本制造業(yè)原材料比例為15.9%,與2010年同期25.5%的比例相比下降近10%。

    從2014年一季度開始,中國超越日本成為韓國制造業(yè)原材料最大來源地。今年一季度來自中國的原材料占韓國進(jìn)口總量的25.8%,遠(yuǎn)超第二位日本的15.9%。

    雖然日本原材料總體比例在下降,中國的原材料也在替換,但在一些需要高科技的核心原材料方面,即使日本的價高,韓國也無法找到替代來源。

    

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    管控逆襲從支援開始

    韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部基于上月發(fā)布的制造業(yè)復(fù)興戰(zhàn)略,進(jìn)一步細(xì)化了關(guān)于材料、零部件、設(shè)備產(chǎn)業(yè)的投資方向。去年起十年內(nèi)對半導(dǎo)體材料、零部件、設(shè)備研發(fā)投入1萬億韓元,約合58億元人民幣。

    至于普通材料、零部件、設(shè)備,政府正在對從2021年開始的6年內(nèi)投入5萬億韓元的方案進(jìn)行可行性調(diào)查。

    韓國政府每年將投入1萬億韓元,積極推進(jìn)支柱產(chǎn)業(yè)所需材料進(jìn)口渠道的多邊化,提高國內(nèi)生產(chǎn)競爭力。產(chǎn)業(yè)部計劃在本月內(nèi)提出加強國內(nèi)零部件材料競爭力的具體方案。

    去年三星電子DRAM的銷售額為437億4700萬美元,市占率為43.9%;SK海力士也緊追在后,銷售額達(dá)294億900萬美元,市占率為29.5%。

    也就是說,這兩家韓國企業(yè)在全球DRAM市場占有率高達(dá)73.4%。此時DRAM榜單中再無日本廠商身影,韓國從日本手中拿過了DRAM的交接棒。

    1993年時韓國半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)比例僅8%,2007年提升至20%,2015年時已來到約30%,2017年達(dá)到33%。

    

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    成果明顯提升數(shù)倍

    在5月11日召開的韓國第二次后疫情產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略會議上表示:雖然自2019年7月以來,日本加強管控對韓國出口半導(dǎo)體、顯示屏相關(guān)的三類材料:氟聚酰亞胺、EYV光刻膠、高純度氟化氫”,而韓國不僅完成了實質(zhì)上的穩(wěn)定供給,自去年8月以來一直致力于強化材料、配件、設(shè)備中嚴(yán)重依賴進(jìn)口的100類產(chǎn)品的競爭力,同時把庫存水準(zhǔn)提升至以往的數(shù)倍。

    針對日本限制出口的三類產(chǎn)品,韓國不僅代替日本從美國、中國、歐洲采購,且致力于實施吸引外資企業(yè)加大對韓投資、擴(kuò)大韓國企業(yè)的生產(chǎn)等措施,從而獲得了實質(zhì)性的成果、實現(xiàn)了穩(wěn)定的供貨。

    就半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中用于蝕刻的氟化氫而言,已經(jīng)有多家韓國企業(yè)正在新設(shè)或者增設(shè)量產(chǎn)工廠、確保產(chǎn)能,以充分滿足韓國國內(nèi)企業(yè)的需求。

    

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    日本防流失開始拉攏巨頭

    日本半導(dǎo)體零件、裝置等優(yōu)勢企業(yè)正在流失,在國內(nèi)建造最強工廠可以預(yù)防并改變這種情況,日本經(jīng)產(chǎn)省對國內(nèi)技術(shù)空洞化有強烈的危機感。

    日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省正在討論引進(jìn)世界大型半導(dǎo)體制造商進(jìn)駐日本,為了促進(jìn)本國半導(dǎo)體材料企業(yè)的回歸,計劃啟動外資引進(jìn)項目。

    日本經(jīng)產(chǎn)省正推動引進(jìn)世界大型半導(dǎo)體企業(yè)的生產(chǎn)及研發(fā)基地,初步目標(biāo)是美國英特爾和中國臺積電等,采用本土制造商提供的零件和裝置,最終促成日本半導(dǎo)體零件及設(shè)備制造商的回歸。

    實施該項目的直接原因是日韓問題,由于日本具有競爭力的材料制造對韓國三星等制造商的依賴已十分明顯,而且近年來中國的供應(yīng)商影響力也很大。

    不過早在去年,美國政府就與英特爾和臺積電進(jìn)行接觸,希望后者能夠把更多規(guī)模的晶圓代工工廠放在美國本土,美國將為這些工廠提供更多的稅收優(yōu)惠,但后來臺積電沒有做出正面回應(yīng)。

    除此之外,美國政府還與英特爾進(jìn)行了談判,希望后者在美國建廠造芯片,目前雙方還在溝通當(dāng)中。

    看來,日本將要面臨的是“外焦里嫩”的窘境,從硬氣地管控到如今的顧慮,日本的底氣逐漸消散。

    

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    結(jié)尾:

    韓國整體產(chǎn)業(yè)政策模式有一個制度背景,就是基本上不鼓勵合資政策,其目的就是要防止技術(shù)鎖定,防止國內(nèi)企業(yè)太依賴于國外的技術(shù)。

    可以說,韓國半導(dǎo)體逆襲的背后,是市場化力量的成功,也是三星構(gòu)建以三星為核心、上下游韓國企業(yè)共同打造及構(gòu)建重點扶持、長期計劃所得來的成功;在此過程中,三星、政府、高校乃至許多奮斗在一線的工程師、研究員,缺一不可。

    

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