前言：

    韓國(guó)將以日本此次的措施為契機(jī)，意外加快了本國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心材料、零件、設(shè)備的研發(fā)速度和競(jìng)爭(zhēng)力，打了日本一個(gè)措手不及。

    韓國(guó)被日本“逼上梁山”

    韓日貿(mào)易巨額逆差的主要問(wèn)題是技術(shù)差距，韓國(guó)半導(dǎo)體和顯示器產(chǎn)業(yè)規(guī)模雖然不斷擴(kuò)大但在關(guān)鍵領(lǐng)域依賴日本，而且多是需要長(zhǎng)時(shí)間技術(shù)積累才能生產(chǎn)的零部件和材料產(chǎn)品。

    韓國(guó)統(tǒng)計(jì)廳7日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，今年第一季度韓國(guó)進(jìn)口的日本制造業(yè)原材料比例為15．9％，與2010年同期25．5％的比例相比下降近10％。

    從2014年一季度開(kāi)始，中國(guó)超越日本成為韓國(guó)制造業(yè)原材料最大來(lái)源地。今年一季度來(lái)自中國(guó)的原材料占韓國(guó)進(jìn)口總量的25．8％，遠(yuǎn)超第二位日本的15．9％。

    雖然日本原材料總體比例在下降，中國(guó)的原材料也在替換，但在一些需要高科技的核心原材料方面，即使日本的價(jià)高，韓國(guó)也無(wú)法找到替代來(lái)源。

    管控逆襲從支援開(kāi)始

    韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部基于上月發(fā)布的制造業(yè)復(fù)興戰(zhàn)略，進(jìn)一步細(xì)化了關(guān)于材料、零部件、設(shè)備產(chǎn)業(yè)的投資方向。去年起十年內(nèi)對(duì)半導(dǎo)體材料、零部件、設(shè)備研發(fā)投入1萬(wàn)億韓元，約合58億元人民幣。

    至于普通材料、零部件、設(shè)備，政府正在對(duì)從2021年開(kāi)始的6年內(nèi)投入5萬(wàn)億韓元的方案進(jìn)行可行性調(diào)查。

    韓國(guó)政府每年將投入1萬(wàn)億韓元，積極推進(jìn)支柱產(chǎn)業(yè)所需材料進(jìn)口渠道的多邊化，提高國(guó)內(nèi)生產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。產(chǎn)業(yè)部計(jì)劃在本月內(nèi)提出加強(qiáng)國(guó)內(nèi)零部件材料競(jìng)爭(zhēng)力的具體方案。

    去年三星電子DRAM的銷售額為437億4700萬(wàn)美元，市占率為43．9％；SK海力士也緊追在后，銷售額達(dá)294億900萬(wàn)美元，市占率為29．5％。

    也就是說(shuō)，這兩家韓國(guó)企業(yè)在全球DRAM市場(chǎng)占有率高達(dá)73．4％。此時(shí)DRAM榜單中再無(wú)日本廠商身影，韓國(guó)從日本手中拿過(guò)了DRAM的交接棒。

    1993年時(shí)韓國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)比例僅8％，2007年提升至20％，2015年時(shí)已來(lái)到約30％，2017年達(dá)到33％。

    成果明顯提升數(shù)倍

    在5月11日召開(kāi)的韓國(guó)第二次后疫情產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略會(huì)議上表示：雖然自2019年7月以來(lái)，日本加強(qiáng)管控對(duì)韓國(guó)出口半導(dǎo)體、顯示屏相關(guān)的三類材料：氟聚酰亞胺、EYV光刻膠、高純度氟化氫”，而韓國(guó)不僅完成了實(shí)質(zhì)上的穩(wěn)定供給，自去年8月以來(lái)一直致力于強(qiáng)化材料、配件、設(shè)備中嚴(yán)重依賴進(jìn)口的100類產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)把庫(kù)存水準(zhǔn)提升至以往的數(shù)倍。

    針對(duì)日本限制出口的三類產(chǎn)品，韓國(guó)不僅代替日本從美國(guó)、中國(guó)、歐洲采購(gòu)，且致力于實(shí)施吸引外資企業(yè)加大對(duì)韓投資、擴(kuò)大韓國(guó)企業(yè)的生產(chǎn)等措施，從而獲得了實(shí)質(zhì)性的成果、實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定的供貨。

    就半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中用于蝕刻的氟化氫而言，已經(jīng)有多家韓國(guó)企業(yè)正在新設(shè)或者增設(shè)量產(chǎn)工廠、確保產(chǎn)能，以充分滿足韓國(guó)國(guó)內(nèi)企業(yè)的需求。

    日本防流失開(kāi)始拉攏巨頭

    日本半導(dǎo)體零件、裝置等優(yōu)勢(shì)企業(yè)正在流失，在國(guó)內(nèi)建造最強(qiáng)工廠可以預(yù)防并改變這種情況，日本經(jīng)產(chǎn)省對(duì)國(guó)內(nèi)技術(shù)空洞化有強(qiáng)烈的危機(jī)感。

    日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省正在討論引進(jìn)世界大型半導(dǎo)體制造商進(jìn)駐日本，為了促進(jìn)本國(guó)半導(dǎo)體材料企業(yè)的回歸，計(jì)劃啟動(dòng)外資引進(jìn)項(xiàng)目。

    日本經(jīng)產(chǎn)省正推動(dòng)引進(jìn)世界大型半導(dǎo)體企業(yè)的生產(chǎn)及研發(fā)基地，初步目標(biāo)是美國(guó)英特爾和中國(guó)臺(tái)積電等，采用本土制造商提供的零件和裝置，最終促成日本半導(dǎo)體零件及設(shè)備制造商的回歸。

    實(shí)施該項(xiàng)目的直接原因是日韓問(wèn)題，由于日本具有競(jìng)爭(zhēng)力的材料制造對(duì)韓國(guó)三星等制造商的依賴已十分明顯，而且近年來(lái)中國(guó)的供應(yīng)商影響力也很大。

    不過(guò)早在去年，美國(guó)政府就與英特爾和臺(tái)積電進(jìn)行接觸，希望后者能夠把更多規(guī)模的晶圓代工工廠放在美國(guó)本土，美國(guó)將為這些工廠提供更多的稅收優(yōu)惠，但后來(lái)臺(tái)積電沒(méi)有做出正面回應(yīng)。

    除此之外，美國(guó)政府還與英特爾進(jìn)行了談判，希望后者在美國(guó)建廠造芯片，目前雙方還在溝通當(dāng)中。

    看來(lái)，日本將要面臨的是“外焦里嫩”的窘境，從硬氣地管控到如今的顧慮，日本的底氣逐漸消散。

    結(jié)尾：

    韓國(guó)整體產(chǎn)業(yè)政策模式有一個(gè)制度背景，就是基本上不鼓勵(lì)合資政策，其目的就是要防止技術(shù)鎖定，防止國(guó)內(nèi)企業(yè)太依賴于國(guó)外的技術(shù)。

    可以說(shuō)，韓國(guó)半導(dǎo)體逆襲的背后，是市場(chǎng)化力量的成功，也是三星構(gòu)建以三星為核心、上下游韓國(guó)企業(yè)共同打造及構(gòu)建重點(diǎn)扶持、長(zhǎng)期計(jì)劃所得來(lái)的成功；在此過(guò)程中，三星、政府、高校乃至許多奮斗在一線的工程師、研究員，缺一不可。