5月15日，美國(guó)商務(wù)部宣布，將嚴(yán)格限制華為使用美國(guó)的技術(shù)、軟件設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體芯片，任何相關(guān)行為都必須事先通過審批，以保護(hù)美國(guó)國(guó)家安全，并切斷華為試圖脫離美國(guó)出口管控的途徑。

    這意味著，在美國(guó)境外為華為生產(chǎn)芯片的晶圓廠商們，只要使用了美國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，就需要向美國(guó)申請(qǐng)?jiān)S可證。這意味著，從芯片制造、到芯片設(shè)計(jì)EDA軟件、再到半導(dǎo)設(shè)備，美國(guó)開始選擇采取釜底抽薪的方式阻斷全球半導(dǎo)體供應(yīng)商向華為供貨。

    2019年5月16日，美國(guó)商務(wù)部宣布將華為納入實(shí)體制裁清單，自此，開啟一系列針對(duì)華為的打壓措施。

    到今天，2020年5月16日，禁令已經(jīng)一年了，華為面臨的環(huán)境更惡劣了。

    21IC了解到，日前臺(tái)積電從華為獲得7億美元訂單。

    消息稱，該訂單將直接加速麒麟1100的生產(chǎn)，從之前臺(tái)積電的客戶名單看，2020年臺(tái)積電只為兩家公司量產(chǎn)5nm芯片，分別是蘋果和華為海思，前者是A14和A14X處理器，華為海思的則是麒麟1000及網(wǎng)絡(luò)處理器。

    消息顯示，華為在2019年給臺(tái)積電貢獻(xiàn)了361億人民幣的營(yíng)收，同比增長(zhǎng)超過80％，占到臺(tái)積電整體營(yíng)收比重，從8％提升至至14％。這讓華為成為臺(tái)積電第二大客戶，僅次于蘋果。

    華為占比飆升的原因除了自身業(yè)務(wù)增長(zhǎng)帶來(lái)的需求擴(kuò)大，更是因?yàn)榉婪睹绹?guó)制裁的風(fēng)險(xiǎn)，大舉增加芯片庫(kù)存，庫(kù)存水位提升到100天以上。業(yè)界認(rèn)為，如果華為遭美國(guó)進(jìn)一步制裁，將是臺(tái)積電未來(lái)業(yè)務(wù)發(fā)展的隱憂。

    根據(jù)臺(tái)積電公開消息顯示，5nm完全采用極紫外光（EUV）方案，于2019年3月進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)階段，預(yù)期2020年第二季拉高產(chǎn)能并進(jìn)入量產(chǎn)。主力生產(chǎn)工廠是Fab 18。

    與7nm制程相較，但5nm從前到后都是全新的節(jié)點(diǎn)，邏輯密度是之前7nm的1．8倍，SRAM密度是7nm的1．35倍，可以帶來(lái)15％的性能提升，以及30％的功耗降低。5納米的另一個(gè)工藝是N5P，預(yù)計(jì)2020年第一季開始試產(chǎn)，2021年進(jìn)入量產(chǎn)。與5nm制程相較在同一功耗下可再提升7％運(yùn)算效能，或在同一運(yùn)算效能下可再降低15％功耗。

    5nm之后的全節(jié)點(diǎn)提升的工藝是3納米，根據(jù)一些細(xì)節(jié)顯示，臺(tái)積電3nm工藝?yán)^續(xù)采用FinFET工藝，晶體管密度達(dá)到每平方毫米2．5億個(gè)（250MTr／mm2），相對(duì)于5納米來(lái)說(shuō)，晶體管密度提升達(dá)1．5倍，性能提升7％，能耗減少15％。

    至于2nm工藝，臺(tái)積電表示已經(jīng)于2019年領(lǐng)先半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行制程技術(shù)的研發(fā)，并將著重于改善極紫外光（EUV）技術(shù)的質(zhì)量與成本。