《電子技術(shù)應(yīng)用》
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半導(dǎo)體材料的知識“盛宴”,泰克半導(dǎo)體材料與器件科學(xué)云課堂開啟

幫助工程師理解新一代半導(dǎo)體材料的特性和實際應(yīng)用,消除測試痛點
2020-04-28
來源:Tektronix

中國北京2020年4月28日 – 泰克針對半導(dǎo)體材料與器件科學(xué)云課堂即將開播,這一場專門針對半導(dǎo)體材料的知識盛宴分為兩季,第一季以納米材料、二維材料、量子材料、憶阻器器件為主角,第二季以寬禁帶半導(dǎo)體、功率IGBT、MEMS測試、MOSFET測試、半導(dǎo)體器件可靠性HCI/NBTI測試為主題。預(yù)約直播http://live.vhall.com/873582375。

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半導(dǎo)體材料的發(fā)展經(jīng)過以硅Si、鍺Ge為主的第一代和以砷化鎵GaAs、磷化銦InP為代表的第二代,現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展到以氮化鎵GaN、碳化硅SiC為熱點的第三代。第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點,滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻及抗輻射等惡略條件的新要求。

每一次半導(dǎo)體材料的突破帶來的是一系列技術(shù)革新,也使尖端的新型器件研發(fā)面世成為可能。3D Flash存儲器,人工智能芯片,MEMS/傳感器芯片,GaN/SiC 功率半導(dǎo)體器件在前所未有的應(yīng)用領(lǐng)域,推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。新應(yīng)用標準,新材料特性,新設(shè)計和測試方式,新生產(chǎn)工藝流程,新半導(dǎo)體流片技術(shù)對測試設(shè)備和技術(shù)帶來持續(xù)挑戰(zhàn)。

第一季的第一講將于4月29日14:30-15:45開播,題目為“納米材料及納米電子器件IV和CV(直流基本參數(shù))測試”。納米材料指的是三維空間尺度至少有一維處于納米量級(1-100nm)的材料,可以分為零維、一維、二維及三維納米材料。由于納米材料具有許多異于宏尺度材料的特性,被廣泛應(yīng)用于納米多種器件中。泰克公司在納米材料及納米電子器件電性能測科研測試領(lǐng)域中擁有很高的市場占有率,本直播將介紹如何應(yīng)對納米尺寸電性能測試的挑戰(zhàn),如何選擇適當(dāng)?shù)臏y試儀器,以及納米電子器件IV/CV 特性測試演示。

在接下來的日子里,泰克云講堂將每月為您呈現(xiàn)兩期半導(dǎo)體材料知識的直播講座,每期都有不同的熱點知識輪番上演,為您開啟新視界。泰克作為專業(yè)的測試平臺,將帶您從測試的角度,切分出六大類測試流程,去剖析并解決半導(dǎo)體從設(shè)計到生產(chǎn)過程中帶來的一系列新問題。

第一季直播課程:(4~6月)

納米材料及納米電子器件IV和CV(直流基本參數(shù))測試 :4月29日

二維材料/石墨烯及其電子器件IV和CV(直流基本參數(shù))測試:5月15日

量子材料及超導(dǎo)材料電輸運物性表征測試: 5月29日

憶阻器器件測試及Crossbar神經(jīng)元芯片陣列測試前瞻: 6月

第二季直播課程:(7~9月)

寬禁帶半導(dǎo)體(GaN/SiC)材料及器件測試

功率IGBT器件測試系統(tǒng)及自動化簡介

微機電系統(tǒng)MEMS測試概述

MOSFET的準靜態(tài)CV/超低頻CV測試

半導(dǎo)體器件可靠性HCI/NBTI測試

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