北方華創(chuàng)宣布，2020年4月7日，北方華創(chuàng)THEORIS SN302D型12英寸氮化硅沉積設(shè)備搬入(Move in)國(guó)內(nèi)集成電路制造龍頭企業(yè)。該設(shè)備的交付，意味著國(guó)產(chǎn)立式LPCVD設(shè)備在先進(jìn)集成電路制造領(lǐng)域的應(yīng)用拓展上實(shí)現(xiàn)重大進(jìn)展。

    化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)是用來(lái)制備高純、高性能固體薄膜的主要技術(shù)。在典型的CVD工藝過(guò)程中，把一種或多種蒸汽源原子或分子引入腔室中，在外部能量作用下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并在襯底表面形成需要的薄膜。由于CVD技術(shù)具有成膜范圍廣、重現(xiàn)性好等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛用于多種不同形態(tài)的成膜。

    低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)是在低壓和特定溫度條件下通過(guò)氣體混合發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在硅片表面淀積一層固體膜的工藝。例如：氮化硅薄膜淀積、多晶硅薄膜淀積、非晶硅薄膜淀積、二氧化硅薄膜淀積等。在集成電路制造技術(shù)特征尺寸越來(lái)越小的趨勢(shì)下，立式LPCVD爐管設(shè)備(300mm/200mm)的溫度均勻性差、顆粒控制指標(biāo)，對(duì)產(chǎn)品電氣特性和良 率將產(chǎn)生越來(lái)越大的影響，因而對(duì)高端LPCVD爐管設(shè)備的性能提出了更高的要求，包括高精度溫度場(chǎng)控制、高精度壓力控制、良好的工藝均勻性、先進(jìn)的顆?？?制技術(shù)、完整的工廠自動(dòng)化接口、高速的數(shù)據(jù)采集算法等。對(duì)未來(lái)技術(shù)發(fā)展而言，會(huì)出現(xiàn)更高均勻性、更少顆粒、更高產(chǎn)能、更智能控制的進(jìn)一步需求，這些需求將 帶來(lái)對(duì)高端LPCVD爐管設(shè)備進(jìn)一步的挑戰(zhàn)。

    氮化硅(Si3N4)薄膜是一種應(yīng)用廣泛的介質(zhì)材料。作為非晶絕緣物質(zhì)，氮化硅膜的介質(zhì)特性優(yōu)于二氧化硅薄膜，具有對(duì)可動(dòng)離子阻擋能力強(qiáng)、結(jié)構(gòu)致密、針孔密度小、化學(xué)穩(wěn)定性好、介電常數(shù)高等優(yōu)點(diǎn)，常用于集成電路制造中的介質(zhì)絕緣、雜質(zhì)掩蔽、淺溝道隔離、掩膜、外層鈍化保護(hù)等工藝。

    作為一種性能優(yōu)良的重要介質(zhì)材料，在集成電路制造領(lǐng)域，氮化硅薄膜得到廣泛使用，而顆?？刂扑绞荓PCVD設(shè)備能力的一項(xiàng)重要指標(biāo)。

    北方華創(chuàng)在氮化硅工藝設(shè)備THEORIS SN302D的開發(fā)過(guò)程中，通過(guò)整合已有產(chǎn)品平臺(tái)技術(shù)，針對(duì)性地研發(fā)了快速升降溫加熱技術(shù)和爐口氣流優(yōu)化技術(shù)，良好地解決了氮化硅工藝過(guò)程中顆?？刂撇环€(wěn)的技術(shù)性難題。并在滿足常規(guī)生產(chǎn)能力的基礎(chǔ)上，為提升客戶使用的附加價(jià)值，進(jìn)一步開發(fā)了長(zhǎng)恒溫區(qū)反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了高產(chǎn)能的硬件技術(shù)解決方案，匹配市場(chǎng)的多樣化需求。

    經(jīng)過(guò)10余年的創(chuàng)新發(fā)展，北方華創(chuàng)立式爐從無(wú)到有，從設(shè)備研發(fā)到產(chǎn)業(yè)化，目前已形成氧化(Oxide)、退火(Anneal)、化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、合金(Alloy)四大系列工藝設(shè)備，設(shè)備性能達(dá)到國(guó)際同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平。北方華創(chuàng)在不斷拓展產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域的同時(shí)，也將致力于幫助客戶提升工藝性能、提高產(chǎn)能、降低成本，為半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域的廣大客戶帶來(lái)無(wú)限可能。