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東芝推出采用其最新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET,助力提高電源效率

–進一步擴展U-MOS X-H功率MOSFET系列產品線–
2020-03-30
來源:東芝電子
關鍵詞: 東芝 電源效率 MOSFET

  中國上海,2020年3月30日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,其“U-MOS X-H系列”產品線新增采用其最新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET適用于數據中心和通信基站所用的工業(yè)設備的開關電源。

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U-MOS X-H系列產品示意圖

  新增產品包括采用表面貼裝SOP Advance封裝的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封裝的“TPN19008QM”。產品于今日開始出貨。

  由于采用了其最新一代的工藝制造技術,與當前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V產品相比,新款80V U-MOS X-H產品的漏源導通電阻降低了大約40%。通過優(yōu)化器件結構,漏源導通電阻與柵極電荷特性[1]之間的平衡也得到了進一步的改善[2]。因此,新產品可提供業(yè)界最低[3]功耗。

  東芝正在擴展其降耗型產品線,從而為降低設備功耗提供幫助。

應用:

  開關電源(高效AC-DC轉換器、DC-DC轉換器等)

  電機控制設備(電機驅動等)

特性:

  業(yè)界最低功耗(通過改善導通電阻與柵極電荷特性[2]之間的平衡)

  業(yè)界最低導通電阻:

  RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)

  RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)

  高額定通道溫度:Tch=175℃

主要規(guī)格:                                                           (除非另有說明,@Ta=25℃)

圖片1.png

等線注釋:

  [1] 總柵極電荷(柵源+柵漏)、柵極開關電荷、輸出電荷。

  [2] 與TPH4R008NH(U-MOS Ⅷ-H系列)進行比較,TPH2R408QM的漏源導通電阻x總柵極電荷改善約為15%、漏源導通電阻 x 柵極開關電荷改善約為10%、漏源導通電阻x輸出電荷改善約為31%。

  [3] 截至2019年3月30日,東芝調研。

  


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