Microchip擴(kuò)展碳化硅(SiC)電源器件系列產(chǎn)品,助力在系統(tǒng)層面優(yōu)化效率、尺寸和可靠性
2020-03-18
來源:Microchip
業(yè)界希望基于碳化硅(SiC)的系統(tǒng)能最大程度地提升效率、減小尺寸和重量,從而幫助工程師創(chuàng)建創(chuàng)新的電源解決方案;這一需求正在持續(xù)、快速地增長(zhǎng)。SiC技術(shù)的應(yīng)用場(chǎng)景包括電動(dòng)汽車、充電站、智能電網(wǎng)、工業(yè)電力系統(tǒng)和飛機(jī)電力系統(tǒng)等。Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)今日宣布推出更小、更輕及效率更高的SiC電源模塊,進(jìn)一步豐富了其電源產(chǎn)品線。憑借新型SiC電源模塊及各類單片機(jī)和模擬產(chǎn)品, Microchip能夠滿足客戶對(duì)大功率系統(tǒng)控制、驅(qū)動(dòng)和功率級(jí)電路等方面的需求,提供完整的系統(tǒng)解決方案。
Microchip的SiC系列產(chǎn)品包含以肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)為基礎(chǔ)的700V、1200V和1700V商業(yè)級(jí)電源模塊。除了提供不同的電流和封裝方案之外,新推出的系列電源模塊還采用雙二極管(Dual Diode)、全橋(Full Bridge)、相腳(Phase Leg)、雙共陰極(Dual Common Cathode)和三相橋(3-Phase bridge)等各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。SiC SBD模塊可將多個(gè)SiC二極管芯片與可選件結(jié)合在一起,將基片和底板材料集成到單個(gè)模塊,進(jìn)而簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),最大程度地提升開關(guān)效率,減少溫升并縮小系統(tǒng)尺寸。
Microchip分立器件事業(yè)部副總裁Leon Gross表示:“SiC技術(shù)的應(yīng)用和拓展是當(dāng)前系統(tǒng)創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)力。作為行業(yè)領(lǐng)軍者,Microchip正同所有細(xì)分市場(chǎng)和全球各地的客戶開展合作。我們始終將提供可靠的新型解決方案作為業(yè)務(wù)重點(diǎn)。從產(chǎn)品定義到產(chǎn)品發(fā)布的各個(gè)階段,我們的SiC技術(shù)提供優(yōu)越的可靠性和穩(wěn)健性,可幫助電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員保障電力系統(tǒng)的長(zhǎng)期運(yùn)行,而不會(huì)降低系統(tǒng)性能?!?/p>
豐富多樣的700V、1200V和1700V SiC SBD模塊產(chǎn)品線采用Microchip最新一代的SiC芯片,可最大程度地提升系統(tǒng)可靠性和穩(wěn)健性,保障電力系統(tǒng)的壽命和穩(wěn)定性。這些器件的高雪崩性能可使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員減少對(duì)緩沖電路的需求。由于這些器件的體二極管具有穩(wěn)定性,電力系統(tǒng)可在內(nèi)部采用體二極管,避免長(zhǎng)期運(yùn)行后出現(xiàn)性能退化。Microchip內(nèi)部檢測(cè)和第三方檢測(cè)顯示,相比其他使用SiC制造的器件,這些器件在關(guān)鍵的可靠性指標(biāo)上表現(xiàn)更佳。
開發(fā)工具
Microchip的30kW三相Vienna功率因數(shù)校正(PFC)功能、SiC分立器件和SP3/SP6L模塊驅(qū)動(dòng)參考設(shè)計(jì)/驅(qū)動(dòng)板可幫助系統(tǒng)開發(fā)人員縮短開發(fā)周期。
供貨
700V、1200V和1700V SiC SBD電源模塊現(xiàn)已發(fā)布并開放訂購(gòu)。多個(gè)SiC SPICE模型、SiC驅(qū)動(dòng)板參考設(shè)計(jì)和PFC Vienna參考設(shè)計(jì)為整個(gè)SiC產(chǎn)品系列提供支持。Microchip的SiC產(chǎn)品及其輔助產(chǎn)品現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。Microchip針對(duì)SiC MOSFET和SiC二極管提供各種裸片和封裝方案。
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