3 月 10 日訊，據(jù)悉，韓國科學(xué)技術(shù)研究院一個團隊已經(jīng)成功開發(fā)出一種新的化合物，可以取代 GaN 來生產(chǎn)藍光 LED，該研究成果的意義在于，通過在硅襯底上生長高質(zhì)量的銅鹵素單晶碘化銅，實現(xiàn)高效的藍光發(fā)射，在世界范圍內(nèi)首次展示了一種新的使用銅鹵素化合物的半導(dǎo)體材料新技術(shù)。

　　該團隊使用碘化銅（CuI）化合物發(fā)出藍光，該化合物是通過合成銅和碘制成的。研究小組說：“我們發(fā)現(xiàn)碘化銅半導(dǎo)體可以發(fā)出比 GaN 基器件高 10 倍的藍光。它們還具有出色的光電效率和長期的器件穩(wěn)定性?！?/p>

　　研究人員研發(fā)的碘化銅半導(dǎo)體可以在低成本、缺陷小的硅襯底上生長，因此具有使用目前市面上可買到的大尺寸硅襯底(300 毫米)的優(yōu)勢。此外，碘化銅薄膜的生長溫度與硅基工藝中使用的溫度（低于 300 攝氏度）相似，因此可以在不犧牲性能的情況下沉積碘化銅薄膜。因此，它可以應(yīng)用于低成本、簡單的硅半導(dǎo)體工藝。

　　LED 需要紅，綠和藍三色搭配才能產(chǎn)生白光。此前，日本已經(jīng)開發(fā)出一種制造高質(zhì)量 GaN 的方法來生產(chǎn)藍光 LED，該 LED 被用作智能手機，顯示器，電子產(chǎn)品和高頻設(shè)備的核心設(shè)備。

　　GaN 是第三代半導(dǎo)體材料的代表之一，具備易散熱，體積小，損耗小，功率大等諸多優(yōu)點，被業(yè)內(nèi)寄予厚望?？杀粦?yīng)用于光電、功率和射頻等多個領(lǐng)域，同時能滿足高功率密度、低能耗、高頻率等要求。