2019年9月26 日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics ) 即日起開始備貨Texas Instruments  (TI)  LMG1210 200 V半橋MOSFET和GaN FET驅(qū)動器。LMG1210是TI性能出眾的氮化鎵 (GaN) 電源產(chǎn)品系列，與傳統(tǒng)硅替代方案相比，擁有更高的效率與功率密度，以及更小的整體系統(tǒng)尺寸，并專門針對速度關(guān)鍵型功率轉(zhuǎn)換應用進行了優(yōu)化。

　　TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動器，經(jīng)過特別設計，能與電壓高達200V的增強模式GaN FET搭配使用。LMG1210能實現(xiàn)超高性能與高效運行，并具有10 ns的超短傳播延遲，優(yōu)于傳統(tǒng)硅半橋驅(qū)動器。此器件還具有1 pF的低開關(guān)節(jié)點電容和用戶可調(diào)的死區(qū)時間控制，可讓設計人員優(yōu)化系統(tǒng)內(nèi)的死區(qū)時間，進而改善效率。

　　LMG1210擁有3.4 ns高側(cè)/低側(cè)延遲匹配、4 ns最小脈寬和內(nèi)部LDO，可確保在任何電源電壓下都能維持5V的柵極驅(qū)動電壓。本驅(qū)動器還具備超過300 V/ns的業(yè)內(nèi)超高共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTT)，可實現(xiàn)較高的系統(tǒng)抗擾性。

　　TI LMG1210驅(qū)動器適用于高速DC/DC轉(zhuǎn)換器、電機控制 、D類音頻放大器、E類無線充電 、RF包絡跟蹤以及其他功率轉(zhuǎn)換應用。

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　　貿(mào)澤電子/ TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅(qū)動器

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