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AMD獲散熱專利:3D堆疊內(nèi)嵌熱電模塊散熱

2019-07-02
關(guān)鍵詞: AMD 半導(dǎo)體

  隨著2D平面半導(dǎo)體技術(shù)漸入瓶頸,2.5D、3D立體封裝普遍被視為未來大趨勢,AMD Fiji/Vega GPU核心與HBM顯存、Intel Foveros全新封裝、3D NAND閃存等等莫不如此。但隨著堆疊元器件的增多,集中的熱量如何有效散出去也成了大問題,AMD就悄然申請了一項非常巧妙的專利設(shè)計。

  

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  根據(jù)專利描述,AMD計劃在3D堆棧的內(nèi)存或邏輯芯片中間插入一個熱電效應(yīng)散熱模塊(TEC),原理是利用帕爾貼效應(yīng)(Peltier Effect)。

  它也被稱作熱電第二效應(yīng)、溫差電效應(yīng)。由N型、P型半導(dǎo)體材料組成一對熱電偶,通入直流電流后,因電流方向不同,電偶結(jié)點(diǎn)處將產(chǎn)生吸熱和放熱現(xiàn)象。

  

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  按照AMD的描述,利用帕爾貼效應(yīng),位于熱電偶上方和下方的上下內(nèi)存/邏輯芯片,不管哪一個溫度更高,都可以利用熱電偶將熱量吸走,轉(zhuǎn)向溫度更低的一側(cè),進(jìn)而排走。

  不過也有不少問題AMD沒有解釋清楚,比如會不會導(dǎo)致上下的元器件溫度都比較高?熱電偶本身也會耗電發(fā)熱又如何處理?

  但總的來說,AMD的這個思路非常新奇巧妙,未來或許會有很光明的前景。

  

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