據(jù)報道，臺積電全球總裁魏哲家今日表示，當(dāng)前，臺積電每年可以生產(chǎn)1200萬片的12英寸晶圓，1100萬片8英寸晶圓，每年增加產(chǎn)能14.3%。

　　他表示，今年投100億美元增產(chǎn)能，下一步5納米技術(shù)，已經(jīng)有客戶在此技術(shù)基礎(chǔ)上設(shè)計產(chǎn)品。明年第一、第二季度，5納米技術(shù)為支撐的產(chǎn)品將可以量產(chǎn)。并且，整個IP可以繼續(xù)使用，在工藝提升時，很多IP可以重復(fù)使用。

　　臺積電確定會是全球第一個提供5納米量產(chǎn)服務(wù)的晶圓代工廠，并再度完封三星，獨攬?zhí)O果新處理器大單。

　　臺積電供應(yīng)鏈指出，臺積電目前在5納米制程已獲重大突破，尤其中國大陸表態(tài)不會反制蘋果作為中美貿(mào)易談判籌碼后，讓蘋果吃下定心丸，要求臺積電布建5納米產(chǎn)能，明年導(dǎo)入量產(chǎn)。

　　魏哲家稍早在美西技術(shù)論壇時，已宣布推出5納米先進制程設(shè)計套件平臺，等于向全球宣示臺積電在5納米晶圓代工領(lǐng)先全球，未來在3納米也將維持領(lǐng)先。

　　近日，臺積電官宣，正式啟動2nm工藝的研發(fā)，工廠設(shè)置在位于臺灣新竹的南方科技園，預(yù)計2024年投入生產(chǎn)。

　　臺積電并沒有透露2nm工藝所需要的技術(shù)和材料，通過晶體管的結(jié)構(gòu)能夠看到目前并沒有明顯變化，進一步壓榨硅半導(dǎo)體技術(shù)。按照臺積電的指示，2nm將會是一個重要節(jié)點，Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x，同時Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm，Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm，相比于3nm都小了23%。