周三，南韓記憶體大廠海力士(SK Hynix)宣布，將計(jì)劃在2022年之后的十年之內(nèi)斥資120兆韓圜，于南韓龍仁市建造四座半導(dǎo)體工廠，海力士發(fā)言人表示，目前規(guī)劃龍仁市新廠主要產(chǎn)品將是次世代的儲存記憶體及DRAM芯片。

目前海力士已經(jīng)遞交了投資意向書，而該項(xiàng)投資計(jì)劃約占地450 萬平方公尺，估計(jì)未來共有50 家半導(dǎo)體材料商、設(shè)備商等都將進(jìn)駐該區(qū)，進(jìn)而打造成全球最大的半導(dǎo)體聚落。

海力士指出，也將在未來十年內(nèi)，繼續(xù)投資現(xiàn)有的兩座南韓利川、清川半導(dǎo)體廠共55兆韓圜，擴(kuò)大產(chǎn)能，但中國無錫廠則是尚未決定是否擴(kuò)廠。

海力士發(fā)言人表示，本次計(jì)劃是海力士長達(dá)十年的投資規(guī)劃，未來策略可能視市場狀況改變，但現(xiàn)行目標(biāo)為新廠將生產(chǎn)DRAM 記憶體和次世代記憶體。

南韓券商Mirae Asset Daewoo 分析師亦分析，雖然目前來自自駕車的芯片需求仍不足，但估計(jì)在未來十年間，自駕車芯片市場需求將大幅成長，可望為海力士創(chuàng)造更多的記憶體芯片需求。

全球DRAM 品牌廠市占率(以營收排名) 圖片來源：DRAMeXchange

中、韓的半導(dǎo)體競爭

近年來，中國在半導(dǎo)體大基金的籌資帶動(dòng)下，早已介入進(jìn)半導(dǎo)體記憶體領(lǐng)域，雖然目前全球記憶體產(chǎn)業(yè)仍以三星電子、海力士二大巨頭為首，但據(jù)2018 年南韓產(chǎn)業(yè)技術(shù)振興院發(fā)布( KIAT) 的報(bào)告顯示，雖然中國半導(dǎo)體技術(shù)仍然落后，但中國已可以透過30、40 奈米技術(shù)，生產(chǎn)非伺服器或行動(dòng)記憶體芯片。

南韓產(chǎn)業(yè)技術(shù)振興院該份報(bào)告并指出，若中國自產(chǎn)的DRAM、NAND Flash記憶體開始逐步量產(chǎn)進(jìn)入市場，那么估計(jì)將沖擊韓國記憶體產(chǎn)業(yè)78億美元，其中沖擊DRAM產(chǎn)業(yè)67億美元、NAND Flash產(chǎn)業(yè)11億美元。

據(jù)南韓媒體《DDaily》去年11 月報(bào)導(dǎo)，目前中國長江存儲在NAND Flash 技術(shù)上已經(jīng)獲得突破，估計(jì)在2019 年Q4 即能夠量產(chǎn)64 層堆疊的3D NAND Flash 快閃記憶體，但預(yù)計(jì)量產(chǎn)規(guī)模不會(huì)太大，因長江存儲的最終目的，是希望在2020 年跳過96 層堆疊技術(shù)，快速切入128 層堆疊3D NAND Flash 快閃記憶體量產(chǎn)。

面對中國來勢洶洶的進(jìn)攻，市場分析，由于這次中國受到美國政府針對《中國制造2025》的「科技禁售令」打壓，例如將中國福建晉華列入出口管制清單，「禁售令」已造成中國DRAM 廠今年的投產(chǎn)計(jì)劃延后，中國DRAM 在短期內(nèi)可能很難討論到量產(chǎn)事宜，而本次韓廠擴(kuò)大投資，即是希望趁此拉開與中國的技術(shù)與產(chǎn)能差距。

南韓海力士的大規(guī)模投資，估計(jì)將加劇南韓與中國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上的軍備競賽，目前南韓是全球最大的半導(dǎo)體記憶體出口國，而中國方面則是全球最大的芯片消費(fèi)國，中國正極力增加半導(dǎo)體投資，以降低進(jìn)口依賴程度。

上周南韓財(cái)長Hong Nam-ki 亦表示，南韓政府將加速審批相關(guān)的半導(dǎo)體投資案，以加快南韓半導(dǎo)體企業(yè)的投資進(jìn)程，預(yù)期南韓與中國在記憶體產(chǎn)業(yè)上的碰撞，將會(huì)越來越激烈。