《電子技術(shù)應用》
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一種并發(fā)雙頻段CMOS LNA的分析與設計
2018年電子技術(shù)應用第12期
高麗娜,龐建麗
黃淮學院,河南 駐馬店463000
摘要: 基于0.13 μm CMOS工藝,設計了一種應用于WLAN IEEE 802.11 a/b/g標準的并發(fā)雙頻段低噪聲放大器(LNA)。為了在功耗限制下同時實現(xiàn)噪聲系數(shù)和輸入阻抗的匹配,采用共源共柵電感退化拓撲結(jié)構(gòu)。該LNA在2.4 GHz和5.2 GHz下,輸入發(fā)射系數(shù)分別為-16.7 dB和-19.5 dB,正向增益分別為16.8 dB和17.2 dB。而且在2.4 GHz和5.2 GHz下,噪聲系數(shù)分別取得了3.1 dB和3.2 dB,輸入三階截止點分別為-18.5 dBm和-16.5 dBm。該LNA在1.2 V電壓供電下,所消耗的功耗為2.64 mW。
中圖分類號: TN432
文獻標識碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.181244
中文引用格式: 高麗娜,龐建麗. 一種并發(fā)雙頻段CMOS LNA的分析與設計[J].電子技術(shù)應用,2018,44(12):13-16.
英文引用格式: Gao Lina,Pang Jianli. Analysis and design of a cocurrent dual-band CMOS low noise amplifier[J]. Application of Electronic Technique,2018,44(12):13-16.
Analysis and design of a cocurrent dual-band CMOS low noise amplifier
Gao Lina,Pang Jianli
Huanghuai University,Zhumadian 463000,China
Abstract: A concurrent dual-band low noise amplifier(LNA) targeted for WLAN IEEE 802.11 a/b/g standards is designed using 0.13 μm CMOS process. To attain the power-constrained simultaneous noise figure and input matching, cascode inductive degeneration topology is adopted. The LNA achieves input reflection coefficients of -16.7 dB and -19.5 dB, forward gains of 16.8 dB and 17.2 dB at 2.4 GHz and 5.2 GHz, respectively. Furthermore, the LNA exhibits noise figures of 3.1 dB and 3.2 dB while input third-order intercept points of -18.5 and -16.5 dBm at 2.4 and 5.2 GHz, respectively. The LNA dissipates 2.64 mW of power from a 1.2 V supply.
Key words : dual-band;low noise amplifier(LNA);low power consumption;high gain

0 引言

    隨著無線應用的快速發(fā)展,要求通信系統(tǒng)具有更寬的帶寬以及更快的輸出傳輸率。由于窄帶系統(tǒng)已經(jīng)無法滿足這些需求,操作于2.4 GHz~5.2 GHz的寬帶系統(tǒng)應運而生,然而寬帶系統(tǒng)引入的帶外干擾退化了系統(tǒng)的靈敏度[1-2]。為了解決這種問題,可以用同時操作于兩個不同頻段的窄帶系統(tǒng)來實現(xiàn)。

    作為接收機系統(tǒng)的第一級模塊,低噪聲放大器LNA用于放大射頻輸入信號的功率以及抑制系統(tǒng)信噪比的退化。為了實現(xiàn)多頻段工作,文獻[3]-[6]提出了一種開關(guān)LNA,該電路在一個時刻工作于一個頻段,然而該結(jié)構(gòu)的延遲較大。文獻[7]-[8]提出了一種并行LNA,雖然可以同時工作于兩個頻段,然而卻是以犧牲功耗為代價的。為了在較低的功耗下實現(xiàn)LNA的雙頻段工作,需要設計一種并發(fā)的雙頻段LNA,這就需要對輸入匹配網(wǎng)絡和輸出匹配網(wǎng)絡進行雙頻段設計。

    本文在對多種雙頻段匹配網(wǎng)絡分析的基礎上,對帶通和帶阻濾波器相連的形式進行改進以實現(xiàn)電路的雙頻段工作。傳統(tǒng)的帶通和帶阻濾波器相連的結(jié)構(gòu),可能會引起增益幅度的不平衡。而本文提出新穎的雙頻段匹配網(wǎng)絡,可以在不使用帶阻濾波器的情況下,實現(xiàn)較高增益幅度的平衡。

1 雙頻段輸出匹配網(wǎng)絡

    以往文獻提出了一種并聯(lián)帶通和帶阻濾波器實現(xiàn)的雙頻段輸出匹配網(wǎng)絡,如圖1所示[9],其中,L1和C1構(gòu)成帶通濾波器,L2和C2構(gòu)成帶阻濾波器,信號通過電容Cc2耦合到輸出端,帶通濾波器和帶阻濾波器分別在諧振頻率ωs處產(chǎn)生一個通帶、一個阻帶,這樣就產(chǎn)生了兩個帶通信號,并且這兩個帶通信號的中心頻率ω1和ω2分別發(fā)生于圖1所示的P1點和P2點處。由圖1所示,如果將該電路應用于輸出匹配網(wǎng)絡,那么LNA在工作頻率ω1和ω2處會出現(xiàn)明顯的增益下降問題。而且,如圖2所示,如果諧振頻率ωs1略低于或者略高于ωs時,LNA的增益退化更嚴重。例如,當ωs1s時,LNA在較高的頻段處產(chǎn)生較低的增益;相反,當ωs1s時,LNA在較低的頻段處產(chǎn)生較低的增益,會出現(xiàn)增益的非平衡問題。為了解決這個問題,本文提出了一種新穎的雙頻段輸出匹配網(wǎng)絡。

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    為了在兩個工作頻段內(nèi)實現(xiàn)高增益的平衡,可以采用兩個帶通濾波器串聯(lián)的形式,如圖3所示,兩個帶通濾波器分別諧振于2.4 GHz和5.2 GHz處,并且該形式并沒有用到帶阻濾波器電路。

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2 并發(fā)雙頻段LNA設計

    圖4所示即為本文所提出的并發(fā)雙頻段LNA,該電路采用基于源極電感退化技術(shù)的共源共柵拓撲結(jié)構(gòu),晶體管M1和M2分別為共源放大器和共柵放大器,它們連接組成共源共柵結(jié)構(gòu)。為了進一步改善輸入和輸出之間的隔離度,引入由晶體管M3和M4組成的輸出緩沖級,M3作為源級跟隨器,M4作為輸出緩沖級的電流源。為了在功耗限制下實現(xiàn)較低的噪聲系數(shù),在晶體管M1的源極引入電感Ls[10],而電容Cex的引入則是為了在保證良好的輸入匹配情況下,進一步優(yōu)化電路的噪聲系數(shù)[11]。為了實現(xiàn)雙頻段輸入阻抗網(wǎng)絡,采用由L3和C3組成的并聯(lián)網(wǎng)絡與窄帶LNA輸入匹配網(wǎng)絡串聯(lián)的形式,窄帶LNA輸入匹配網(wǎng)絡則由源極電感Ls、柵極電感Lg和柵源極間外加電容Cex組成。而且,在輸入端、輸出端以及共源共柵結(jié)構(gòu)和輸出緩沖級之間分別引入耦合電容Cc1、Cc3和Cc2。

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    整體接收機的噪聲性能主要取決于第一級的LNA模塊。圖5給出了LNA電路輸入級噪聲分析的小信號等效電路。

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    經(jīng)計算得,輸入網(wǎng)絡的最優(yōu)噪聲阻抗Zopt為:

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    將式(6)的實部和虛部分開得到:

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    假設Kc等于1,那么可得Zopt的虛部等于Zin虛部的負值,因而,通過對參數(shù)的認真選取,可以使式(11)和式(12)成立,由式(9)和式(10)可見,需要使得Zin和Zopt的實部分別與源阻抗Zs的實部和虛部相等,然而,由式(4)可見,由于Zopt的實部在兩個不同頻率處有偏差[2],因而無法實現(xiàn)噪聲匹配。為了實現(xiàn)噪聲系數(shù)在兩個頻段處的平衡,將式(4)重寫為:

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3 芯片實現(xiàn)與測試

    基于SMIC 0.13 μm CMOS工藝,采用Cadence軟件對圖4所示的并發(fā)雙頻段LNA電路進行設計仿真并流片實現(xiàn),圖6所示即為流片實現(xiàn)的LNA芯片照片,芯片大小為740 μm×670 μm。LNA在1.2 V電壓供電條件下,消耗了2.2 mA的電流、2.64 mW的功耗。

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    圖7給出了正向增益S21、輸入發(fā)射系數(shù)S11以及輸出發(fā)射系數(shù)S22的測試結(jié)果,在2.4 GHz和5.2 GHz處,正向增益分別取得了16.8 dB和17.2 dB的較高數(shù)值,可見在兩個不同頻段下,正向增益相差無幾,只相差0.4 dB,實現(xiàn)了雙頻段處的增益平衡。輸入發(fā)射系數(shù)在2.4 GHz和5.2 GHz處,分別為-16.7 dB和-19.5 dB,輸出發(fā)射系數(shù)在兩個頻率處分別取得了-18.3 dB和-11.4 dB,輸入輸出發(fā)射系數(shù)性能較優(yōu)。

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    圖8給出了噪聲系數(shù)NF的實測結(jié)果,在2.4 GHz和5.2 GHz處,噪聲系數(shù)分別為3.1 dB和3.2 dB,兩者僅僅相差0.1 dB,再次驗證了所提出技術(shù)的有效性。并且由功率特性測試結(jié)果可知,在2.4 GHz處,輸入三階截止點IIP3為-18.5 dBm,在5.2 GHz處,輸入三階截止點IIP3為-16.5 dBm。與文獻[12]~[13]中所設計的LNA相比,本文所提出的LNA在正向增益和功耗方面具有較優(yōu)的性能,并且正向增益和噪聲系數(shù)在兩個頻段處具有更平衡的幅度。

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4 結(jié)論

    本文提出了一種新型的并發(fā)雙頻段LNA,該電路嵌有改進的輸出匹配網(wǎng)絡以改善增益的平衡度?;赟MIC 0.13 μm CMOS工藝對本文提出的并發(fā)雙頻段LNA進行了驗證,芯片實測結(jié)果表明,在兩個不同的頻段下,增益僅相差0.4 dB,實現(xiàn)了雙頻段處的增益平衡,并且噪聲系數(shù)僅相差0.1 dB,再次驗證了所提出技術(shù)的有效性。

參考文獻

[1] RAMYA A,RAO T R,VENKATARAMAN R.Concurrent multi-band low-noise amplifier[J].Journal of Circuits,Systems,and Computers,2017,26(6):1750104.

[2] HSIAO Y C,MEMG C,YANG C.Design optimization of single-/dual-band FET LNAs using noise transformation matrix[J].IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,2016,64(2):519-532.

[3] MADAN A,MCPARTLIN M J,ZHOU Z F,et al.Fully integrated switch-LNA front-end IC design in CMOS:a systematic approach for WLAN[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,2011,46(11):2613-2622.

[4] CHEN W,WANG Z Y,CHEN H,et al.4–20 GHz low noise amplifier MMIC with on-chip switchable gate biasing circuit[J].IEICE Electronics Express,2017,14(18):1-6.

[5] GUAN R,JIN J,PAN W J,et al.Wideband dual-mode complementary metal–oxide–semiconductor receiver[J].IET Circuits,Devices & Systems,2016,10(2):87-93.

[6] VALIZADE A,REZAEI P,OROUJI A A.Design of reconfigurable active integrated microstrip antenna with switchable low-noise amplifier/power amplifier performances for wireless local area network and WiMAX applications[J].IET Microwaves,Antennas & Propagation,2015,9(9):872-881.

[7] KUMAR S,KANAUJIA B K,DWARI S,et al.Co-design approach for wide-band asymmetric cross shaped slotted patch antenna with LNA[J].Wireless Personal Communications,2015,85(3):863-877.

[8] WU S,RAZAVI B.A 900 MHz/1.8 GHz CMOS receiver for dual-band applications[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,1998,33(12):2178-2185.

[9] HONG Y J,WANG S F,CHEN P T,et al.A concurrent dual-band 2.4/5.2 GHz low noise amplifier using gain enhanced techniques[C].IEEE Asia-Pacific Symposium on Electromagnetic Compatibility.IEEE:231-234.

[10] KONG S,LEE H D,LEE M S,et al.A V-Band current-reused LNA with a double-transformer-coupling technique[J].IEEE Microwave and Wireless Components Letters,2016,26(11):942-944.

[11] KIM B K,IM D,CHOI J,et al.A highly linear 1 GHz 1.3 dB NF CMOS low-noise amplifier with complementary transconductance linearization[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,2014,49(6):1286-1302.

[12] ZHANG Y P,CHEW K W,WONG P F.Analysis and design of a fully integrated CMOS low-noise amplifier for concurrent dual-band receivers[C].International Journal of RF & Microwave Computer-Aided Engineering.IEEE,2005:444-453.

[13] HASHEMI H,HAJIMIRI A.Concurrent multi-band low noise amplifiers-theory,design and applications[J].IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,2002,50(1):288-301.



作者信息:

高麗娜,龐建麗

(黃淮學院,河南 駐馬店463000)

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