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Globalfoundries首個(gè)300mm硅鍺晶圓的晶振頻率高達(dá)370GHz

2018-12-05
關(guān)鍵詞: 2212FDX工藝 CPU Power處理器

8月底Globalfoundries(格羅方德,簡(jiǎn)稱GF)公司宣布放棄7nm及節(jié)點(diǎn)工藝研發(fā),專注目前的14/12nm FinFET及22/12FDX工藝。這一變化導(dǎo)致AMD將7nm工藝的CPU、GPU芯片訂單全部交給臺(tái)積電代工,另一家公司IBM也選擇臺(tái)積電代工未來的Power處理器。GF放棄7nm工藝雖然讓他們無法參與未來高性能CPU/GPU競(jìng)賽,不過對(duì)GF自己來說這次可以說甩掉了負(fù)擔(dān),現(xiàn)在他們專注更賺錢的RF射頻芯片業(yè)務(wù)了,上周GF宣布推出業(yè)界首個(gè)300mm硅鍺晶圓工藝,該技術(shù)提供出色的低電流/高頻率性能,改善了異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)性能,與之前的硅鍺 8XP和8HP相比,最大振蕩頻率(Fmax)提高了35%,達(dá)到370GHz。

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硅鍺晶圓是一種特殊的半導(dǎo)體工藝,傳統(tǒng)半導(dǎo)體是硅基晶圓為主,不過金屬鍺具備優(yōu)秀的電氣性能,成本與硅晶圓相當(dāng),比砷化鎵工藝更低,在FR射頻芯片中使用較多,該技術(shù)是IBM發(fā)明的,但GF公司收購了IBM的晶圓業(yè)務(wù),繼承了IBM在硅鍺晶圓技術(shù)上的衣缽并發(fā)揚(yáng)光大,這次推出的300mm硅鍺晶圓就是業(yè)界首次,因?yàn)橹暗墓桄N晶圓主要使用200mm晶圓。


該工藝被稱為9Hp(一種90nm硅鍺工藝),相比目前的8XP/8HP使用的130nm工藝,9Hp工藝還提升到了90nm水平,其生產(chǎn)工廠遷移至紐約州東菲什基爾的格芯Fab 10工廠以實(shí)現(xiàn)300mm晶圓生產(chǎn)技術(shù)。


GF的9HP延續(xù)了成熟的高性能硅鍺BiCMOS技術(shù)的優(yōu)勢(shì),支持微波和毫米波頻率應(yīng)用高數(shù)據(jù)速率的大幅增長(zhǎng),適用于下一代無線網(wǎng)絡(luò)和通信基礎(chǔ)設(shè)施,如TB級(jí)光纖網(wǎng)絡(luò)、5G毫米波和衛(wèi)星通信(SATCOM)以及儀器儀表和防御系統(tǒng)。該技術(shù)提供出色的低電流/高頻率性能,改善了異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)性能,與之前的硅鍺 8XP和8HP相比,最大振蕩頻率(Fmax)提高了35%,達(dá)到370GHz。


在紐約東菲什基爾的Fab 10工廠,正在進(jìn)行基于多項(xiàng)目晶圓(MPW)的9HP 300mm工藝客戶原型設(shè)計(jì),預(yù)計(jì)2019年第二季度將提供合格的工藝和設(shè)計(jì)套件。


在退出7nm高性能工藝節(jié)點(diǎn)研發(fā)之后,RF射頻芯片相關(guān)的業(yè)務(wù)已經(jīng)稱為GF公司的重點(diǎn)。


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