臺積電有意并購、進軍存儲器產(chǎn)業(yè)的傳聞甚囂塵上，臺積電董事長劉德音也發(fā)言透露對存儲器的關注。難道處于晶圓代工領域龍頭地位的臺積電，也在尋求企業(yè)轉(zhuǎn)型嗎？隨著產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴大，半導體產(chǎn)業(yè)進入成熟階段，以2015——2016年來看，半導體產(chǎn)業(yè)從原本的分散化，進入到聚合式發(fā)展階段，不論是資本、技術(shù)、人才，產(chǎn)業(yè)并購接二連三出現(xiàn)。過去，無論是IDM廠還是Fabless廠，皆已出現(xiàn)多起并購案例，唯獨Foundry廠還未出現(xiàn)大規(guī)模并購，而劉德音的表態(tài)，不知是不是預示著產(chǎn)業(yè)的聚合式發(fā)展趨勢已延燒至Foundry大廠？
臺積電進軍存儲器產(chǎn)業(yè)進行業(yè)務整合絕非難事
其實臺積電早就開始進行業(yè)務整合，只不過是從與其IC制造業(yè)務緊密相關的封測業(yè)務開始，例如著名的封裝技術(shù)InFO(Integrated Fan-Out，整合型扇型封裝)，臺積電2014年推出InFO，優(yōu)勢在于能讓芯片與芯片間直接連結(jié)，減少封裝后的厚度，騰出更多空間給其他零件使用，更因為這項優(yōu)勢，讓臺積電從A11開始力壓Samsung，接連獨拿兩代Apple iPhone處理器訂單。
臺積電進軍存儲器產(chǎn)業(yè)并不是空穴來風，早在2017年Toshiba TMC業(yè)務并購案中，臺積電就曾考慮參與競購，從而進入NAND Flash領域，但后來因多方考量而放棄。劉德音接受日經(jīng)亞洲評論采訪時，提及臺積電不排除收購存儲器芯片廠商，不免讓外界猜測，臺積電很有可能為拓展存儲器業(yè)務進而并購一家存儲器廠商，開啟存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展之路。
臺積電意在布局邏輯與存儲器整合解決方案，以解決大量能源消耗問題
對進軍存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向，不認為臺積電或任何代工廠是單純?yōu)榻鉀Q當前DRAM與NAND問題而尋求存儲器合作伙伴，臺積電意在加速邏輯與存儲器整合解決方案進度，同步布局RRAM、MRAM等新式存儲器嵌入式解決方案，甚至提出新的混合式——包含引入嵌入式同步與獨立式新式存儲器、DRAM或Flash整合的創(chuàng)新技術(shù)。
嵌入式存儲器制程是在晶圓層級中，由晶圓代工廠把邏輯IC與存儲器芯片整合在同一顆芯片，其能達成最佳傳輸性能，也縮小芯片體積，透過一個芯片達成運算與儲存功能。
近期在SEMICON Taiwan 2018演說中，劉德音提到：「當前的人工智能運算，有8成以上的能源消耗在存儲器，是當前半導體技術(shù)的一大瓶頸?！共⒅赋?，資料中心的電力消耗占近一半營運成本，而人工智能(AI)更加劇這些成本，因為其需從儲存設備中密集傳輸存儲器，過多的能源消耗將花費芯片廠商許多成本，其希望做的就是想辦法減少這些能耗；對此，劉德音認為解決這項問題的方法，必須整合記憶、邏輯與高頻寬互連，打造真正的3D IC。
其實先前臺積電在整合封測技術(shù)業(yè)務中，提出的CoWoS技術(shù)即是為解決能耗問題而發(fā)展出的解決方案，但劉德音認為那只是目前的權(quán)宜之計，其希望未來存儲器和邏輯元件必須彼此堆疊，從而使互連密度再提高100倍。
臺積電于2017年發(fā)表eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取存儲器)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)技術(shù)，其研發(fā)目標就是要達成更高效能、更低電耗與更小體積，以滿足未來全方面運算需求。
另一方面，嵌入式存儲器具有超高耐用度，無論是對環(huán)境溫度的容忍范圍或存取次數(shù)，都能遠遠超過目前解決方案，因此嵌入式存儲器技術(shù)，不僅能解決劉德音提到的能效問題，更可將其運用在其他特定市場。
不過嵌入式存儲器芯片不僅整合難度高，晶片良率也是另一個重要的突破門檻，除了臺積電外，聯(lián)電、Samsung、GlobalFoundries與Intel大廠等，都投入大量人力在相關生產(chǎn)技術(shù)研發(fā)上。
此外，在資料中心的應用情境下，通常需要大量的存儲器容量，這是目前純粹透過遷入式存儲器技術(shù)較難克服的技術(shù)難題，故透過并購存儲器廠商，能快速提供臺積電足夠獲取大量的技術(shù)與產(chǎn)品支持，進而與布局多時的Intel/Micron合作案一較高下。
若臺積電如分析意在發(fā)展邏輯與存儲器整合技術(shù)以解決能效問題，雖然將有重重技術(shù)關卡與困難，但也因為如此，才能展現(xiàn)出其更具開創(chuàng)性的發(fā)展?jié)摿Α?/p>