一种消除失调电压的低温度系数带隙基准电路
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文檔介紹：提出了一种利用多晶硅电阻的温度系数补偿负温度系数电压实现低温度系数的带隙基准电路，并且引入由二分频时钟控制的CMOS开关，使产生的失调电压正负交替做周期性变化相互抵消。采用BiCMOS 0.35 ?滋m工艺设计。仿真结果表明，此方法能够使MOS管在失配10%的情况下降低97%的失配，温度系数可达5.2 ppm/℃。工作电压为1.5 V～3.3 V、工作温度为-40 ℃～+70 ℃且工作在1.8 V常温下时，电路的工作电压为1.144 3 V，总电流为29.13 ?滋A，低频处的电源抑制比为-70 dB。
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