事實上，中國三大存儲器項目的起始年份都在2016年。
長江存儲：2016年2月23日國務(wù)院批復(fù)國家存儲器基地落戶武漢；2016年3月28日國家存儲器基地奠基；2016年7月26日長江存儲科技有限責(zé)任公司成立；2016年12月30日正式開工建設(shè)。
晉華集成：福建省“十三五”規(guī)劃綱要提出，建設(shè)福州、廈門、泉州、莆田等集成電路產(chǎn)業(yè)基地，形成沿海集成電路產(chǎn)業(yè)帶。2016年2月26日，晉華存儲器集成電路生產(chǎn)線項目正式落地晉江，這個三級政府合資的大手筆項目，目標(biāo)直指芯片國產(chǎn)化。
長鑫集成：長鑫集成起源于“506項目”，據(jù)悉在2016年5月6日，兆易創(chuàng)新朱一明董事長和合肥市及經(jīng)開區(qū)主要領(lǐng)導(dǎo)研討合肥的存儲器項目發(fā)展戰(zhàn)略，因而得名?！?06”項目的主體包含長鑫集成、長鑫存儲、睿力集成三個運營主體，項目的發(fā)展目標(biāo)就是為國內(nèi)自主發(fā)展主流 DRAM 存儲器 IDM邁大步。2016年6月13日長鑫集成注冊成立。
時間來到2018年，三大存儲器廠商都將開始試投片，到2019年產(chǎn)能將逐步釋放。
根據(jù)筆者的統(tǒng)計，2018年第一季度長鑫集成率先移進(jìn)機(jī)臺設(shè)備，第二季度長江存儲正式移進(jìn)機(jī)臺設(shè)備，而在第三季度晉華集成已經(jīng)正式移進(jìn)機(jī)臺設(shè)備，國內(nèi)三大存儲器廠商“砸資金”和“見真功”的時候到了。
三大存儲器項目的重要時間節(jié)點
芯思想研究院經(jīng)過和三大存儲器項目的溝通和拜訪，為大家列出三大存儲器項目的重要時間節(jié)點。
長江存儲作為國家存儲器基地項目，主要產(chǎn)品為3D NAND，將以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體。國家存儲器基地項目規(guī)劃，預(yù)計5年投入1600億元（約合240億美元），到2020年形成月產(chǎn)能30萬片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年建成每月100萬片的產(chǎn)能。項目預(yù)計2018年第四季度實現(xiàn)32層64G NAND FLASH小規(guī)模量產(chǎn)，初期月產(chǎn)能5000片。
晉華集成(JHICC)是由福建省電子信息集團(tuán)、及泉州、晉江兩級政府共同出資設(shè)立，被納入我國“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃。晉華集成電路與臺灣聯(lián)華電子開展技術(shù)合作，專注于隨機(jī)存取存儲器（DRAM）領(lǐng)域。預(yù)估2018年9月正式投產(chǎn)，到2019年底一廠一期項目可實現(xiàn)月產(chǎn)6萬片12英寸晶圓的產(chǎn)能，到2020年底一廠二期也將達(dá)產(chǎn)6萬片。并適時啟動二廠的建設(shè)，到二廠達(dá)產(chǎn)時，總產(chǎn)能將達(dá)24萬片。
2018年7月16日，長鑫集成傳來喜訊，公司是國內(nèi)第一家正式投片的存儲器項目。
2017年10月，兆易創(chuàng)新（603986）與合肥產(chǎn)投簽署了《關(guān)于存儲器研發(fā)項目之合作協(xié)議》，雙方在合肥經(jīng)開區(qū)開展19納米DRAM合作項目，預(yù)算約為180億元人民幣，目標(biāo)是在2018年12月31日前研發(fā)成功。該項目所需投資由兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投公司根據(jù)1:4的比例負(fù)責(zé)籌集，資金投入的方式包括但不限于由雙方直接或間接股權(quán)投資或通過自身或指定主體提供借款實現(xiàn)。在未來產(chǎn)能方面約定，項目研發(fā)及生產(chǎn)的DRAM等優(yōu)先供兆易創(chuàng)新銷售并滿足其客戶的市場需求，以及優(yōu)先承接其DRAM產(chǎn)品的代工需求。
全球存儲器市場
目前全球存儲器市場主要分為DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大部分。由于NOR FLASH市場太小，全球年銷售規(guī)模不足10億美元，目前主要玩家是旺宏、華邦和兆易創(chuàng)新。文章主要涉及DRAM、NAND FLASH。
先看NAND FLASH情況。
全球NAND FLASH廠商主要有三星、SK海力士、美光、東芝、西部數(shù)據(jù)、英特爾等六家；長江存儲起碼排名全球第七。
目前三星主要依托韓國的FAB12/FAB16/FAB18和西安的FAB1X等四個工廠進(jìn)行生產(chǎn)，截止2018年第一季度，三星的NAND FLASH月產(chǎn)能高達(dá)50萬片，其中3D NAND月產(chǎn)能約28萬片。依據(jù)公司規(guī)劃，F(xiàn)AB12/FAB16/FAB1X已經(jīng)達(dá)到滿載，2018年的增長主要來自FAB18。
除三星的FAB18廠擴(kuò)產(chǎn)外，SK海力士的M14、美光的美國Lehi和新加坡Fab 10X、東芝Fab 2/Fab 6，以及英特爾大連廠(Fab 68)都在進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)。
SEMI報告顯示，從設(shè)備支出數(shù)據(jù)來看，2017年NAND產(chǎn)業(yè)設(shè)備支出約190億美元，較2016年100億美元爆發(fā)性成長，預(yù)估2018年NAND產(chǎn)業(yè)設(shè)備支出上看200億美元；從產(chǎn)能上看，3D NAND產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)能在2017年成長130%，2018年預(yù)計再成長48%。
再看DRAM情況。
DRAM主要是三星、SK海力士、美光等三巨頭以及臺灣的華亞科技、華邦電子，長鑫集成和晉華集成無論如何都排名前七。
兩大韓系廠商三星、SK海力士是積極擴(kuò)產(chǎn)，三星在FAB18 P1廠房和FAB 15、SK海力士的M14、美光Fab 15和Fab 16都有DRAM擴(kuò)產(chǎn)計劃，但主要的增加仍是三星、SK海力士。
SEMI報告顯示，從設(shè)備支出數(shù)據(jù)來看，2017年DRAM廠設(shè)備支出約130億美元，較2016年是成長一倍，預(yù)計2018年持續(xù)成長至140億美元水平；從產(chǎn)能上看，2017年DRAM產(chǎn)能增加幅度是3%，2018年成長幅度上看10%。
2017年全球存儲器市場高達(dá)853億美元，根據(jù)SEMI統(tǒng)計，存儲器需求端未來呈現(xiàn)大噴發(fā)姿態(tài)，一直到2021年，DRAM需求端的成長率高達(dá)30%，而NAND Flash更是高達(dá)45%。
根據(jù)業(yè)界人士分析，存儲器產(chǎn)業(yè)的增長有四大驅(qū)動力，第一為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)相關(guān)應(yīng)用；第二類是大規(guī)模運算，涵蓋固態(tài)硬盤、存儲器磁碟陣列、深度學(xué)習(xí)系統(tǒng)等；第三類是汽車電子相關(guān)應(yīng)用；第四類是消費性產(chǎn)品、通訊產(chǎn)品等。
三大項目如何評判
從目前公布的時間節(jié)點來看，三大存儲器項目的進(jìn)度似乎差不多，基本上都是2018年試投片，2019年進(jìn)入量產(chǎn)階段。至于什么時間企業(yè)能實現(xiàn)贏利，這是個可望但不可急的目標(biāo)。做為國家戰(zhàn)略項目，盈利應(yīng)該不是短期內(nèi)的目標(biāo)。
根據(jù)規(guī)劃，長鑫集成主攻移動式內(nèi)存產(chǎn)品，目前中國品牌手機(jī)出貨已占全球四成以上，LPDDR4能順利量產(chǎn)并達(dá)到理想的良率，將有助于進(jìn)口取代的策略。
晉華集成專注利基型內(nèi)存的開發(fā)，將憑借著國內(nèi)龐大的內(nèi)需市場迅速壯大自身，如果產(chǎn)能爬坡和良率提升能夠如期完成，將影響國際巨頭在中國市場的銷售策略，目前和美光的訴訟案已經(jīng)影響了美光在國內(nèi)的布局，雖然影響的產(chǎn)品僅占美光的不足1%，但后續(xù)發(fā)展值得期待。
長江存儲代表國內(nèi)實現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)的全新起點，2018年第四季度進(jìn)入小規(guī)模量產(chǎn)，2019年進(jìn)入64層128Gb 3D NAND的技術(shù)研發(fā)；4月11日在“2018供應(yīng)商大會”上宣布，公司的32層3D NAND芯片已經(jīng)接獲首筆訂單，數(shù)量達(dá)10776顆芯片，將應(yīng)用在8GB USD卡上，這代表國內(nèi)3D NAND芯片研發(fā)已經(jīng)跨出成功的第一步，不但研發(fā)成功，并且進(jìn)入商用化！
三大存儲器已經(jīng)做好了與國際巨頭搶市場的準(zhǔn)備，不管未來如何，我們都要堅持。無論是國家支持的項目，還是地方政府支持的項目，都要具有民族產(chǎn)業(yè)發(fā)展的胸懷。
堅持就是勝利。