事實(shí)上，中國(guó)三大存儲(chǔ)器項(xiàng)目的起始年份都在2016年。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)：2016年2月23日國(guó)務(wù)院批復(fù)國(guó)家存儲(chǔ)器基地落戶武漢；2016年3月28日國(guó)家存儲(chǔ)器基地奠基；2016年7月26日長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司成立；2016年12月30日正式開工建設(shè)。

晉華集成：福建省“十三五”規(guī)劃綱要提出，建設(shè)福州、廈門、泉州、莆田等集成電路產(chǎn)業(yè)基地，形成沿海集成電路產(chǎn)業(yè)帶。2016年2月26日，晉華存儲(chǔ)器集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目正式落地晉江，這個(gè)三級(jí)政府合資的大手筆項(xiàng)目，目標(biāo)直指芯片國(guó)產(chǎn)化。

長(zhǎng)鑫集成：長(zhǎng)鑫集成起源于“506項(xiàng)目”，據(jù)悉在2016年5月6日，兆易創(chuàng)新朱一明董事長(zhǎng)和合肥市及經(jīng)開區(qū)主要領(lǐng)導(dǎo)研討合肥的存儲(chǔ)器項(xiàng)目發(fā)展戰(zhàn)略，因而得名?！?06”項(xiàng)目的主體包含長(zhǎng)鑫集成、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、睿力集成三個(gè)運(yùn)營(yíng)主體，項(xiàng)目的發(fā)展目標(biāo)就是為國(guó)內(nèi)自主發(fā)展主流 DRAM 存儲(chǔ)器 IDM邁大步。2016年6月13日長(zhǎng)鑫集成注冊(cè)成立。

時(shí)間來(lái)到2018年，三大存儲(chǔ)器廠商都將開始試投片，到2019年產(chǎn)能將逐步釋放。

根據(jù)筆者的統(tǒng)計(jì)，2018年第一季度長(zhǎng)鑫集成率先移進(jìn)機(jī)臺(tái)設(shè)備，第二季度長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式移進(jìn)機(jī)臺(tái)設(shè)備，而在第三季度晉華集成已經(jīng)正式移進(jìn)機(jī)臺(tái)設(shè)備，國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)器廠商“砸資金”和“見真功”的時(shí)候到了。

三大存儲(chǔ)器項(xiàng)目的重要時(shí)間節(jié)點(diǎn) 

芯思想研究院經(jīng)過(guò)和三大存儲(chǔ)器項(xiàng)目的溝通和拜訪，為大家列出三大存儲(chǔ)器項(xiàng)目的重要時(shí)間節(jié)點(diǎn)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目，主要產(chǎn)品為3D NAND，將以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲(chǔ)器產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測(cè)試、銷售于一體。國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目規(guī)劃，預(yù)計(jì)5年投入1600億元（約合240億美元），到2020年形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片的生產(chǎn)規(guī)模，到2030年建成每月100萬(wàn)片的產(chǎn)能。項(xiàng)目預(yù)計(jì)2018年第四季度實(shí)現(xiàn)32層64G NAND FLASH小規(guī)模量產(chǎn)，初期月產(chǎn)能5000片。

晉華集成(JHICC)是由福建省電子信息集團(tuán)、及泉州、晉江兩級(jí)政府共同出資設(shè)立，被納入我國(guó)“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃。晉華集成電路與臺(tái)灣聯(lián)華電子開展技術(shù)合作，專注于隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）領(lǐng)域。預(yù)估2018年9月正式投產(chǎn)，到2019年底一廠一期項(xiàng)目可實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)6萬(wàn)片12英寸晶圓的產(chǎn)能，到2020年底一廠二期也將達(dá)產(chǎn)6萬(wàn)片。并適時(shí)啟動(dòng)二廠的建設(shè)，到二廠達(dá)產(chǎn)時(shí)，總產(chǎn)能將達(dá)24萬(wàn)片。

2018年7月16日，長(zhǎng)鑫集成傳來(lái)喜訊，公司是國(guó)內(nèi)第一家正式投片的存儲(chǔ)器項(xiàng)目。

2017年10月，兆易創(chuàng)新（603986）與合肥產(chǎn)投簽署了《關(guān)于存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目之合作協(xié)議》，雙方在合肥經(jīng)開區(qū)開展19納米DRAM合作項(xiàng)目，預(yù)算約為180億元人民幣，目標(biāo)是在2018年12月31日前研發(fā)成功。該項(xiàng)目所需投資由兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投公司根據(jù)1:4的比例負(fù)責(zé)籌集，資金投入的方式包括但不限于由雙方直接或間接股權(quán)投資或通過(guò)自身或指定主體提供借款實(shí)現(xiàn)。在未來(lái)產(chǎn)能方面約定，項(xiàng)目研發(fā)及生產(chǎn)的DRAM等優(yōu)先供兆易創(chuàng)新銷售并滿足其客戶的市場(chǎng)需求，以及優(yōu)先承接其DRAM產(chǎn)品的代工需求。

全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)

目前全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)主要分為DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大部分。由于NOR FLASH市場(chǎng)太小，全球年銷售規(guī)模不足10億美元，目前主要玩家是旺宏、華邦和兆易創(chuàng)新。文章主要涉及DRAM、NAND FLASH。

先看NAND FLASH情況。

全球NAND FLASH廠商主要有三星、SK海力士、美光、東芝、西部數(shù)據(jù)、英特爾等六家；長(zhǎng)江存儲(chǔ)起碼排名全球第七。

目前三星主要依托韓國(guó)的FAB12/FAB16/FAB18和西安的FAB1X等四個(gè)工廠進(jìn)行生產(chǎn)，截止2018年第一季度，三星的NAND FLASH月產(chǎn)能高達(dá)50萬(wàn)片，其中3D NAND月產(chǎn)能約28萬(wàn)片。依據(jù)公司規(guī)劃，F(xiàn)AB12/FAB16/FAB1X已經(jīng)達(dá)到滿載，2018年的增長(zhǎng)主要來(lái)自FAB18。

除三星的FAB18廠擴(kuò)產(chǎn)外，SK海力士的M14、美光的美國(guó)Lehi和新加坡Fab 10X、東芝Fab 2/Fab 6，以及英特爾大連廠(Fab 68)都在進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)。

SEMI報(bào)告顯示，從設(shè)備支出數(shù)據(jù)來(lái)看，2017年NAND產(chǎn)業(yè)設(shè)備支出約190億美元，較2016年100億美元爆發(fā)性成長(zhǎng)，預(yù)估2018年NAND產(chǎn)業(yè)設(shè)備支出上看200億美元；從產(chǎn)能上看，3D NAND產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)能在2017年成長(zhǎng)130%，2018年預(yù)計(jì)再成長(zhǎng)48%。

再看DRAM情況。

DRAM主要是三星、SK海力士、美光等三巨頭以及臺(tái)灣的華亞科技、華邦電子，長(zhǎng)鑫集成和晉華集成無(wú)論如何都排名前七。

兩大韓系廠商三星、SK海力士是積極擴(kuò)產(chǎn)，三星在FAB18 P1廠房和FAB 15、SK海力士的M14、美光Fab 15和Fab 16都有DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，但主要的增加仍是三星、SK海力士。

SEMI報(bào)告顯示，從設(shè)備支出數(shù)據(jù)來(lái)看，2017年DRAM廠設(shè)備支出約130億美元，較2016年是成長(zhǎng)一倍，預(yù)計(jì)2018年持續(xù)成長(zhǎng)至140億美元水平；從產(chǎn)能上看，2017年DRAM產(chǎn)能增加幅度是3%，2018年成長(zhǎng)幅度上看10%。

2017年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)高達(dá)853億美元，根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，存儲(chǔ)器需求端未來(lái)呈現(xiàn)大噴發(fā)姿態(tài)，一直到2021年，DRAM需求端的成長(zhǎng)率高達(dá)30%，而NAND Flash更是高達(dá)45%。

根據(jù)業(yè)界人士分析，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的增長(zhǎng)有四大驅(qū)動(dòng)力，第一為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)相關(guān)應(yīng)用；第二類是大規(guī)模運(yùn)算，涵蓋固態(tài)硬盤、存儲(chǔ)器磁碟陣列、深度學(xué)習(xí)系統(tǒng)等；第三類是汽車電子相關(guān)應(yīng)用；第四類是消費(fèi)性產(chǎn)品、通訊產(chǎn)品等。

三大項(xiàng)目如何評(píng)判

從目前公布的時(shí)間節(jié)點(diǎn)來(lái)看，三大存儲(chǔ)器項(xiàng)目的進(jìn)度似乎差不多，基本上都是2018年試投片，2019年進(jìn)入量產(chǎn)階段。至于什么時(shí)間企業(yè)能實(shí)現(xiàn)贏利，這是個(gè)可望但不可急的目標(biāo)。做為國(guó)家戰(zhàn)略項(xiàng)目，盈利應(yīng)該不是短期內(nèi)的目標(biāo)。

根據(jù)規(guī)劃，長(zhǎng)鑫集成主攻移動(dòng)式內(nèi)存產(chǎn)品，目前中國(guó)品牌手機(jī)出貨已占全球四成以上，LPDDR4能順利量產(chǎn)并達(dá)到理想的良率，將有助于進(jìn)口取代的策略。

晉華集成專注利基型內(nèi)存的開發(fā)，將憑借著國(guó)內(nèi)龐大的內(nèi)需市場(chǎng)迅速壯大自身，如果產(chǎn)能爬坡和良率提升能夠如期完成，將影響國(guó)際巨頭在中國(guó)市場(chǎng)的銷售策略，目前和美光的訴訟案已經(jīng)影響了美光在國(guó)內(nèi)的布局，雖然影響的產(chǎn)品僅占美光的不足1%，但后續(xù)發(fā)展值得期待。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)代表國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)的全新起點(diǎn)，2018年第四季度進(jìn)入小規(guī)模量產(chǎn)，2019年進(jìn)入64層128Gb 3D NAND的技術(shù)研發(fā)；4月11日在“2018供應(yīng)商大會(huì)”上宣布，公司的32層3D NAND芯片已經(jīng)接獲首筆訂單，數(shù)量達(dá)10776顆芯片，將應(yīng)用在8GB USD卡上，這代表國(guó)內(nèi)3D NAND芯片研發(fā)已經(jīng)跨出成功的第一步，不但研發(fā)成功，并且進(jìn)入商用化！

三大存儲(chǔ)器已經(jīng)做好了與國(guó)際巨頭搶市場(chǎng)的準(zhǔn)備，不管未來(lái)如何，我們都要堅(jiān)持。無(wú)論是國(guó)家支持的項(xiàng)目，還是地方政府支持的項(xiàng)目，都要具有民族產(chǎn)業(yè)發(fā)展的胸懷。

堅(jiān)持就是勝利。