《電子技術(shù)應(yīng)用》
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8英寸晶圓報(bào)價(jià)上漲 臺(tái)積電南科3納米廠N3供電遭質(zhì)疑

2018-06-04
關(guān)鍵詞: 格芯 AMD 制程 晶圓

  1.致力提高太陽(yáng)能電池效率,賀利氏光伏發(fā)布全新Hecaro導(dǎo)電膠

  日前,全球領(lǐng)先的可再生能源技術(shù)解決方案提供商賀利氏光伏在SNEC第十二屆(2018)國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源(上海)大會(huì)暨展覽會(huì)上推出了一系列新產(chǎn)品和新服務(wù),進(jìn)一步擴(kuò)大公司的產(chǎn)品組合。這些全新的解決方案結(jié)合賀利氏在全球金屬化漿料領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,成為了賀利氏戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型的組成部分。通過(guò)戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型,賀利氏將進(jìn)一步擴(kuò)大其創(chuàng)新成果的應(yīng)用范圍,從而讓整個(gè)光伏價(jià)值鏈?zhǔn)芤妗?/p>

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  本次展會(huì)上,賀利氏首次推出一款名為Hecaro的先進(jìn)導(dǎo)電膠,其含銀量極低,但與高含銀量導(dǎo)電膠相比,性能毫不遜色。除了節(jié)省總成本外,Hecaro還專門針對(duì)絲網(wǎng)印刷工藝進(jìn)行了優(yōu)化,不僅固化速度快,而且長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠。憑借上述優(yōu)點(diǎn),Hecaro導(dǎo)電膠必將成為炙手可熱的先進(jìn)太陽(yáng)能電池(如疊瓦組件、異質(zhì)結(jié)電池(HJT)和全背電極接觸晶硅太陽(yáng)能電池(IBC))連接材料。

  賀利氏向相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)張也是為了順應(yīng)光伏行業(yè)的市場(chǎng)趨勢(shì)——很多光伏企業(yè)都希望找到一家合作伙伴,能夠?yàn)樗麄兲峁└娴漠a(chǎn)品、解決方案與技術(shù)支持,幫助其精簡(jiǎn)工藝流程。

  賀利氏光伏執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)官?gòu)垈ャ懖┦勘硎?,賀利氏拓展銀漿以外的專業(yè)技術(shù)領(lǐng)域是順理成章的事。他談道:“賀利氏在銀漿領(lǐng)域所取得的輝煌成就在很大程度上要?dú)w功于我們?yōu)榭蛻籼峁┑娜娼鉀Q方案,幫助他們?cè)诮当驹鲂Х矫嫒〉酶蟮耐黄?。賀利氏最近重點(diǎn)推介的‘銀漿以外的產(chǎn)品組合’將進(jìn)一步提升他們的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)與創(chuàng)新能力。同樣重要的是,我們的努力還有助于太陽(yáng)能行業(yè)進(jìn)一步降低每瓦發(fā)電總成本?!?/p>

  經(jīng)擴(kuò)充后的賀利氏產(chǎn)品組合包括:

  HeraGlaze?:一款高純度、高密度防擴(kuò)散涂層,用于提高太陽(yáng)能多晶硅片生產(chǎn)過(guò)程中的坩堝性能;由于增加了硅錠的可用截面,HeraGlaze能夠同時(shí)提高硅片良率和電池轉(zhuǎn)換效率。

  Heraeus Solaray紅外線輻射加熱燈管:采用高質(zhì)量石英管及加熱材料,并通過(guò)控制材料特性來(lái)提高太陽(yáng)能電池?zé)Y(jié)工藝的穩(wěn)定性,幫助客戶實(shí)現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率;

  Hecaro:一款具有革命性的導(dǎo)電膠,含銀量低于50%,性能穩(wěn)定可靠,可快速涂覆。此外,Hecaro還適用于絲網(wǎng)印刷工藝;

  電池整線工藝優(yōu)化服務(wù):通過(guò)與世界級(jí)研究機(jī)構(gòu)密切合作,賀利氏能夠?yàn)榭蛻籼峁┩暾奶?yáng)能電池分析、模擬及工藝優(yōu)化服務(wù)。

  銀漿-網(wǎng)版組合:專為光伏客戶設(shè)計(jì)的一站式解決方案,能縮短測(cè)試時(shí)間、降低生產(chǎn)成本。網(wǎng)版可有效優(yōu)化光伏電池生產(chǎn)線的金屬化工藝,實(shí)現(xiàn)細(xì)線印刷并確保長(zhǎng)期的印刷穩(wěn)定性。

  在本屆光伏展(W3-510展臺(tái))期間,賀利氏光伏的技術(shù)專家還詳細(xì)介紹銀漿以外的光伏產(chǎn)業(yè)解決方案。

  2.格芯調(diào)整 7 納米制程AMD 易于迎接臺(tái)積電

  向來(lái)是 AMD 忠實(shí)合作伙伴的格芯(Globalfoundries),回應(yīng)了日前 AMD 宣布 7 納米制程節(jié)點(diǎn)將加入臺(tái)積電代工一事。令人感動(dòng)的是,為了讓 AMD 產(chǎn)品在兩家代工廠之間不會(huì)出現(xiàn)太大差異性,格芯將調(diào)整相關(guān)制程,盡可能與臺(tái)積電一致,使雙方生產(chǎn)的產(chǎn)品效能保持一致。

  AMD 規(guī)劃下一代產(chǎn)品發(fā)展將進(jìn)入 7 納米制程節(jié)點(diǎn)之際,包括 Zen 2 架構(gòu)處理器、Navi 架構(gòu) GPU、Vgea 架構(gòu)顯示卡等產(chǎn)品都確定采用 7 納米制程之后,AMD 也已決定,7 納米制程同時(shí)使用臺(tái)積電及格芯兩家的技術(shù)。問(wèn)題是代工廠的生產(chǎn)技術(shù)各不同,AMD 要如何保證產(chǎn)品一致性成為難題。格芯日前接受外媒訪問(wèn)時(shí)表示將讓步,會(huì)調(diào)整制程技術(shù),使其與臺(tái)積電 7 納米制程技術(shù)接近,讓 AMD 能同時(shí)采用格芯與臺(tái)積電的技術(shù)。

  生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片的廠商,雖然臺(tái)積電、格芯、三星都有 7 納米制程技術(shù),問(wèn)題是每家技術(shù)都不相同,都是 7 納米制程生產(chǎn)的芯片線寬不見得一樣,這讓同時(shí)使用兩家芯片的晶圓代工廠會(huì)遇到很多問(wèn)題。例如之前蘋果 A9 處理器就使用臺(tái)積電 16 納米和三星 14 納米制程技術(shù),最后兩家代工廠的處理器性能、功耗都不一樣,給蘋果惹了不少麻煩,所以之后決定由臺(tái)積電獨(dú)家生產(chǎn)。

  因此,雖然 AMD 在 Polaris 架構(gòu)發(fā)布時(shí),也曾提過(guò)會(huì)使用臺(tái)積電和格芯兩家代工廠生產(chǎn),但之后的代工廠只有格芯一家,但 7 納米制程節(jié)點(diǎn),AMD 又重新表態(tài),將同時(shí)使用兩家代工廠。這么做雖然麻煩很多,但 AMD 更可能擔(dān)心依賴單一廠商一旦出現(xiàn)問(wèn)題,所有生產(chǎn)就陷入停擺,多個(gè)臺(tái)積電來(lái)生產(chǎn)會(huì)更可靠。

  至于,因?yàn)榕_(tái)積電與格芯兩家的 7 納米制程并不相同,AMD 如何保證代工出來(lái)的芯片品質(zhì)會(huì)是一樣?甚至,最低要求也是不能出現(xiàn)明顯的差異。格芯日前針對(duì)外媒的采訪時(shí)表示,他們調(diào)整了 7 納米制程的閘極距以及 SRAM 單元,使之與臺(tái)積電的 7 納米制程更加相近,這就能讓 AMD 能同時(shí)使用兩家的 7 納米制程。

  格芯還進(jìn)一步指出,對(duì)于 AMD 另外采用臺(tái)積電作為代工廠也表示理解。原因是 AMD 的訂單需求超過(guò)了格芯的產(chǎn)能,因此尋求臺(tái)積電加入代工,這對(duì)格芯來(lái)說(shuō)是完全沒有問(wèn)題的。至于,AMD 在同時(shí)采用兩家代工廠的 7 納米制程后,兩家代工廠個(gè)別會(huì)分到什么樣的訂單呢?市場(chǎng)人士預(yù)估,依照目前的情況來(lái)看,CPU 部分的 Zen 2 處理器將可能繼續(xù)留在格芯生產(chǎn),而一直有高性能 GPU 生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)的臺(tái)積電,則將分配到 GPU 芯片的生產(chǎn)訂單。

  3.8英寸晶圓代工產(chǎn)能緊俏 傳報(bào)價(jià)調(diào)漲

  受到MOSFET缺貨、價(jià)格喊漲影響,上游8英寸晶圓產(chǎn)能拉警報(bào),再度傳出8英寸報(bào)價(jià)調(diào)漲,世界先進(jìn)8英寸產(chǎn)能持續(xù)短缺,業(yè)界預(yù)估至明年初仍無(wú)法獲得抒解。

  近期MOSFET報(bào)價(jià)調(diào)漲,由于中國(guó)大陸家電產(chǎn)品對(duì)變頻化趨勢(shì)持續(xù)推進(jìn),對(duì)MOSFET等需求持續(xù)上升,另外,無(wú)線充電、物聯(lián)網(wǎng)、車用等新應(yīng)用,帶動(dòng)相關(guān)元件需求增加,導(dǎo)致全球8英寸晶圓代工廠的產(chǎn)能利用率維持在100%左右的水準(zhǔn)。

  加上全球晶圓代工廠擴(kuò)產(chǎn)主要以12英寸先進(jìn)制程為主,8英寸設(shè)備昂貴,不符合投資效益,全球晶圓代工廠并沒有大幅度擴(kuò)產(chǎn)的計(jì)劃,在總體需求持續(xù)增加,導(dǎo)致供需狀況將更加緊俏。

  另外,外商IDM大廠電源管理及車用訂單將大量開出,且此一榮景將一路延續(xù)至2019年,且業(yè)內(nèi)預(yù)期未來(lái)IDM大廠釋單趨勢(shì)只會(huì)增加不會(huì)減少,主要因外商進(jìn)行產(chǎn)品組合優(yōu)化,持續(xù)將中端毛利訂單釋出給專業(yè)代工廠生產(chǎn),企業(yè)集中資源專注于車用、工控等利基型產(chǎn)品研發(fā),降低生產(chǎn)成本及費(fèi)用,世界先進(jìn)已通過(guò)多家IDM客戶認(rèn)證,可望持續(xù)受惠此趨勢(shì)。

  4.江豐電子承擔(dān)的國(guó)家科技重大專項(xiàng)項(xiàng)目通過(guò)正式驗(yàn)收

  5月31日,由江豐電子主持的國(guó)家科技重大專項(xiàng)(02專項(xiàng))“45-28nm配線用超高純系列濺射靶材開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目(項(xiàng)目編號(hào):2011ZX02705,以下簡(jiǎn)稱“項(xiàng)目”)順利通過(guò)國(guó)家02專項(xiàng)驗(yàn)收專家組的正式驗(yàn)收。

  據(jù)披露,該項(xiàng)目中由江豐電子主要承擔(dān)其中三項(xiàng)課題:1、45-28nm配線用Cu合金、Co、Ni、Ta的薄膜性能測(cè)試與分析(課題編號(hào):2011ZX02705-001);2、45-28nm配線用超高純Ta、Cu合金、Co、Ni合金靶材開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化(課題編號(hào):2011ZX02705-002);3、45-28nm配線用超高純Cu陽(yáng)極制備與產(chǎn)業(yè)化(課題編號(hào):2011ZX02705-007)。

  通過(guò)項(xiàng)目的實(shí)施,江豐電子在300毫米晶圓用45-28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了超高純金屬濺射靶材、高純Cu-P合金銅陽(yáng)極產(chǎn)品的量產(chǎn),并且建成了相關(guān)產(chǎn)品的分析檢測(cè)平臺(tái)。驗(yàn)證報(bào)告顯示上述量產(chǎn)的產(chǎn)品經(jīng)國(guó)際知名半導(dǎo)體客戶認(rèn)證,產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

  根據(jù)國(guó)家重大專項(xiàng)管理的相關(guān)規(guī)定,此次驗(yàn)收的項(xiàng)目為事前立項(xiàng)事后補(bǔ)助(預(yù)撥啟動(dòng)費(fèi))方式。在項(xiàng)目實(shí)施過(guò)程中,公司已經(jīng)收到所承擔(dān)課題及參與合作課題的政府補(bǔ)助資金人民幣1,601.66萬(wàn)元,本次內(nèi)部驗(yàn)收確認(rèn)的實(shí)際執(zhí)行金額為人民幣4,427.16萬(wàn)元,根據(jù)“45-28nm配線用超高純系列濺射靶材開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目的立項(xiàng)批復(fù),項(xiàng)目正式驗(yàn)收通過(guò)后,公司預(yù)計(jì)可獲得政府補(bǔ)助資金不超過(guò)人民幣2,825.50萬(wàn)元。

  江豐電子表示,公司本次承擔(dān)的國(guó)家重大專項(xiàng)課題的目標(biāo)是促進(jìn)我國(guó)電子材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,形成我國(guó)半導(dǎo)體靶材從原材料到成品、再到最終使用客戶的產(chǎn)業(yè)鏈,為我國(guó)正在建設(shè)的多家半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)廠商的材料需求提供堅(jiān)實(shí)保障。項(xiàng)目的順利實(shí)施對(duì)公司未來(lái)發(fā)展也將產(chǎn)生積極影響。

  5.臺(tái)積電南科3納米廠N3遭質(zhì)疑供電問(wèn)題

  臺(tái)南市議員蔡育輝、王家貞、洪玉鳳等人31日召開記者會(huì),不僅質(zhì)疑未來(lái)臺(tái)積電N3廠(3納米制程)的供電問(wèn)題,也懷疑臺(tái)南是否會(huì)大停電。

  入夏用電創(chuàng)高峰,臺(tái)南市議員今天質(zhì)疑臺(tái)積電3納米制程廠未來(lái)落腳南科后、供電是否有問(wèn)題。臺(tái)南市政府經(jīng)濟(jì)發(fā)展局副局長(zhǎng)蕭富仁說(shuō),臺(tái)積電3納米制程廠的供電無(wú)虞。

  臺(tái)南市議員蔡育輝、王家貞、洪玉鳳等人今天召開記者會(huì),不僅質(zhì)疑未來(lái)臺(tái)積電N3廠(3納米制程)的供電問(wèn)題,也懷疑臺(tái)南是否會(huì)大停電。

  蕭富仁說(shuō),南部科學(xué)工業(yè)園區(qū)臺(tái)南園區(qū)現(xiàn)有電力足夠供給臺(tái)積電N5廠(5納米制程),臺(tái)積電N3廠的電力,未來(lái)將朝回收電力、增設(shè)臨時(shí)變電所和超高壓變電所因應(yīng),在中央和地方的規(guī)劃下,供電無(wú)虞。

  他表示,臺(tái)南推廣太陽(yáng)光電多年,社區(qū)申請(qǐng)光電件數(shù)4650件,裝置容量達(dá)445MW(百萬(wàn)瓦),占全國(guó)的16%,市府也會(huì)加強(qiáng)節(jié)電宣導(dǎo)。

  南科管理局長(zhǎng)林威呈告訴中央社記者,臺(tái)積電N5廠今年1月動(dòng)土興建中,明年的水、電都要到位;N3廠預(yù)定明年年中旬交地,臺(tái)灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)部和水利署都已承諾,N3廠的水、電供應(yīng)沒有問(wèn)題。


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