埃賦隆半導體（Ampleon）今天宣布其參加即將在美國賓夕法尼亞州費城舉辦的IEEE MTT國際微波研討會（IMS）的細節(jié)。

　　在B廳1449號埃賦隆半導體的展臺上，該公司將展示最新的技術和解決方案。其中包括主打效率的新一代廣播產品的推出、基于最新一代LDMOS的全套雷達產品組合，以及全球最高性能的射頻能量應用用LDMOS晶體管和模塊。此外，在效率、成本和尺寸方面提供最佳折中的移動寬帶網(wǎng)絡用創(chuàng)新解決方案，以及面向工業(yè)、醫(yī)療和科研市場使用、極端堅固耐用的大功率晶體管的最新創(chuàng)新技術也將進行展示。

　　埃賦隆半導體的工作人員將在活動期間發(fā)表一些技術論文，如下所示：

　　- 6月12日，星期二 - 上海開發(fā)團隊負責人Levin Lin將會發(fā)表《Rugged Characterization of Bonding Wire Arrays in LDMOSFET-based Power Amplifiers（LDMOSFET功率放大器中鍵合線陣列的嚴格表征）》一文

　　- 6月13日，星期三 - 射頻創(chuàng)新工程師Andre Prata將會發(fā)表《Optimized DPD Feedback Loop for m-MIMO sub-6 GHz Systems（針對m-MIMO 6GHz以下系統(tǒng)的優(yōu)化DPD反饋環(huán)路）》一文

　　- 6月15日，星期五 – 先進概念暨系統(tǒng)事業(yè)部負責人Sergio Pires將會發(fā)表《Power Amplifier Implementation Challenges in Front-Ends for 5G mobile broadband（5G移動寬帶前端中的功率放大器的實現(xiàn)挑戰(zhàn)）》一文

　　- 6月15日，星期五 - 應用暨組合管理副總裁John Gajadharsing將會發(fā)表《Synthesis of Advanced Doherty Amplifier Combiners（高級Doherty放大器合路器的綜合）》一文

　　以上演講的時間和地點將在現(xiàn)場提供。請參閱會議日程了解更多詳情。

　　關于埃賦隆半導體（Ampleon）：

　　埃賦隆半導體創(chuàng)立于2015年，在射頻功率領域擁有50年的領導地位，旨在發(fā)揮射頻領域數(shù)據(jù)和能量傳輸?shù)娜繚摿?。埃賦隆半導體在全球擁有超過1,350名員工，致力于為客戶創(chuàng)造最佳價值。其創(chuàng)新而又一致的產品組合，可為諸如移動寬帶基礎設施、無線電和電視廣播、CO2激光器和等離子體、核磁共振成像（MRI）、粒子加速器、雷達和空中交通管制、非蜂窩通信、射頻烹飪和除霜、射頻加熱和等離子照明等廣泛應用提供產品和解決方案。欲了解有關射頻功率領域全球領先合作伙伴的詳細信息，請訪問www.ampleon.com。