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廣立微推出最精確的前端電容測試方案

2018-04-21
關(guān)鍵詞: 前端電容 QVCM 集成電路

廣立微(Semitronix)推出最精確的前端電容測試方案——Addressable QVCM電容測試技術(shù),其測量前端電容的精度可以達到1fF,同時能夠精確測試并繪制多個電容測試項的C-V曲線。該技術(shù)完善了廣立微集成電路工藝成套監(jiān)測方案的生態(tài)布局,使廣立微Addressable技術(shù)能夠滿足IC工藝制造中的全部監(jiān)控需求,是廣立微創(chuàng)新發(fā)展歷程中的一個重要里程碑。

 

據(jù)悉,電容是集成電路中的關(guān)鍵器件,同時寄生電容對芯片性能(功耗與速度)具有決定性的影響,特別是當(dāng)集成電路進入先進FinFET工藝后,寄生電容的精確測試已經(jīng)成為了困擾業(yè)界的難題與巨大挑戰(zhàn)之一。目前行業(yè)內(nèi)通常采用的LCR meter電容測試方法,其精度在幾十飛法(fF)以上,無法滿足晶體管級的電容測試;CBCM方法雖然可以精確地測量后端電容,但是因為前端存在各種leakage(如gate leakage…)而使CBCM方法無法精確測量前端電容。

 

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廣立微針對前端電容的精確測試這一難點和痛點,投入大量的時間與資源,首次將QVCM電容測試方法與可尋址測試芯片技術(shù)有機結(jié)合,所研發(fā)出的Addressable QVCM電容測試技術(shù)克服了傳統(tǒng)CBCM不能消除電荷注入和前端漏電效應(yīng)的影響,解決了當(dāng)前電容測試芯片占用面積過大、電容測試技術(shù)精度不足、寄生電容大、不同偏置電壓下前端電容不能測試、一個DUT僅能測試一個電容項等技術(shù)瓶頸,尤其適用于55nm、40nm、28nm、14nm及更先進工藝的FEOL電容測試,其測試精度能夠達到1fF,同時能夠測量多個電容測試項的C-V曲線。

 

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目前Addressable QVCM電容測試解決方案已經(jīng)在多個國內(nèi)外知名半導(dǎo)體企業(yè)成功實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用??蛻艨梢赃x擇性地結(jié)合廣立微的其他電性測試方案,使測試出的測試結(jié)果能夠有針對性地反映芯片存在的各方面問題,依據(jù)這些問題,工程師可以對設(shè)計或工藝環(huán)境做出相應(yīng)的改進,對于芯片良品率和性能提升具有非常重要的現(xiàn)實意義。



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技術(shù)指標

 

對于<100fF的電容實現(xiàn)電容測試精度達到1fF/<1%;

精確繪制出不同偏置電壓下的C-V曲線;

實現(xiàn)Cgg/Cgb/Cgsd@VB三個測試項在同一測試電路中覆蓋;

平均每個DUT僅占用0.25個Pad。


關(guān)于廣立微 

杭州廣立微電子有限公司(Semitronix)是一家專為半導(dǎo)體業(yè)界提供性能分析和良率提升方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,其成品率解決方案已成功應(yīng)用于180nm~7nm工藝技術(shù)節(jié)點。Semitronix提供基于測試芯片的軟、硬件系統(tǒng)產(chǎn)品以及整體解決方案,一方面為晶圓代工廠的新工藝制程研發(fā)提供整合性的技術(shù)服務(wù),包括從早期設(shè)計、中后期量產(chǎn)時的可尋址測試結(jié)構(gòu),直到 yield ramp階段基于產(chǎn)品版圖的測試芯片;另一方面為設(shè)計公司提供定制化的測試芯片工具和服務(wù),幫助提高IC設(shè)計的可制造性、性能、成品率并縮短產(chǎn)品上市時間。


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