武漢國家存儲器基地項(xiàng)目邁出重要一步，正式從工程建設(shè)轉(zhuǎn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。11日，市長萬勇在國家存儲器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺搬入活動上強(qiáng)調(diào)，要以習(xí)近平新時代中國特色社會主義思想為指導(dǎo)，堅(jiān)決貫徹黨中央、國務(wù)院和省委省政府決策部署，加快推進(jìn)國家存儲器基地項(xiàng)目建設(shè)和技術(shù)攻關(guān)，讓“中國芯”在武漢越做越大、越做越強(qiáng)。

　　2016年7月，國家存儲器基地項(xiàng)目花落武漢，承擔(dān)著中國集成電路閃存芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破、改變我國通用存儲器全部依賴進(jìn)口被動局面的重大使命。去年9月，國家存儲器基地項(xiàng)目提前封頂，此次芯片生產(chǎn)機(jī)臺進(jìn)場安裝后，年內(nèi)有望產(chǎn)出我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片。

　　萬勇說，國家存儲器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺搬入，是“中國芯”的一大步，也是“新武漢造”的一大步。建設(shè)國家存儲器基地的過程，是武漢勇?lián)鷩沂姑?、推進(jìn)制造強(qiáng)國的過程，武漢一直在為圓國家存儲器基地的美夢而不懈努力。

　　事非經(jīng)歷不知難。萬勇與現(xiàn)場嘉賓分享了國家存儲器基地項(xiàng)目從爭取建設(shè)、洽談項(xiàng)目、會商合作，到選址建設(shè)、廠房封頂、研發(fā)產(chǎn)品等多個重要時刻的所見所感，引發(fā)了現(xiàn)場與會人員的強(qiáng)烈共鳴。他說，正是這一路走來的一個個精彩場景，成就了當(dāng)天機(jī)臺搬入這一激動人心的時刻。