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研發(fā)2nm的工藝制程,有意義么?

2018-03-28

在邁向5nm、3nm或甚至2nm半導體制程技術之路,業(yè)界工程師可能有多種選擇,但有些人并不確定他們是否仍能從中找到任何商業(yè)利益,甚至是5nm制程。


為了打造尺寸日益縮小的芯片,所需的復雜度與成本越來越高,但卻導致收益遞減。日前于新思科技(Synopsys)用戶大會(SNUG)的一場座談會上,高通公司(Qualcomm)的一位工程師指出,行動處理器的資料速率將在3GHz達到峰值,而功耗和面積增益則從7nm開始縮減。


高通設計技術團隊資深工程總監(jiān)Paul Penzes指出,由于金屬導線中存在電阻性,使得10nm時速度提升的16%到了7nm時耗盡。此外,從10nm進展到7nm,功耗節(jié)省的幅度將從30%縮減到10-25%,面積微縮的幅度也會從37%減少到20-30%。


數(shù)十年來,電子產(chǎn)業(yè)一直循「摩爾定律」(Moore's law)所設定的開發(fā)藍圖——芯片上可容納的電晶體數(shù)量大約每隔兩年增加1倍。其結果是從個人電腦(PC)到智慧型手機等產(chǎn)品的尺寸越來越小、速度越來越快,價格也越來越便宜。


Penzes說:「目前的芯片面積仍然以很高的兩位數(shù)持續(xù)微縮,但在光罩背后所隱藏的成本增加,意味著實際的成本優(yōu)勢以及其他進展正開始放緩......目前尚不清楚到了5nm時還能保有什么?!惯@表示5nm節(jié)點很可能只是7nm的延伸。


來自Synopsys和三星(Samsung)的技術專家表示,當今的FinFET電晶體版本應該還能用于5nm節(jié)點。而當進展到低于3.5nm的寬度時,F(xiàn)inFET將會達到極限。


新思科技研究人員兼電晶體專家Victor Moroz說,設計人員可能必須過渡到采用大約三層的橫向納米線堆疊,或稱為「納米硅板」(nano-slabs)。三星則宣布計劃使用閘極全環(huán)(GAA)電晶體以實現(xiàn)4nm制程,目標是在2020年投入生產(chǎn)。


新思科技的Munoz表示,到了未來的技術節(jié)點,間距微縮將減緩至每世代約0.8倍左右。這將迫使設計人員將7nm時雙鰭、6軌的228nm單元高度結構,在3nm和2nm時縮減到單鰭、5軌的130-100nm結構。


他總結說,使用這種技術,「硅晶似乎就能讓我們安全地微縮至2nm,而在那之后,我們可能就會開始使用石墨烯?!?/p>


然而,在最后的問答環(huán)節(jié)中,一位與會者對于這種單鰭5軌單元的結構表示震驚。

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新思科技描繪邁向2nm的通用開發(fā)藍圖(來源:Synopsys)


新思科技部門研發(fā)總監(jiān)Henry Sheng表示,更精細制程的復雜度迫使芯片設計師面對日益嚴苛的設計規(guī)則。例如,F(xiàn)inFET對于工程師必須追蹤的波形傳播、電遷移和元件變異帶來了新的效應。但他也樂觀地認為,「這些效應最終都將得到解決」。


在這場座談會上的專家們認為,成功最終將取決于代工廠、EDA和設計工程師之間越來越密切的合作。在邁向目標進行時,高通公司認為,為了獲得最佳產(chǎn)能,必須在生產(chǎn)開始之前對其先進設計進行調(diào)整,以及更清楚地定義制程節(jié)點。


「由于行動處理器的競爭非常激烈,代工廠導入的節(jié)點越來越不成熟,」Penzes說:「如果超出了利潤,那么平均單位成本就會上漲,而變得缺乏競爭力。」


「現(xiàn)在,在了解單元的電氣特性之前,必須先掌握其環(huán)境,」他補充說。「即使是10%的變異也可能讓一個新節(jié)點的所有優(yōu)勢盡失,因此,以前存在的所有雜訊都必須克服。」


Penzes指出最近的一些開發(fā)工作為此帶來了希望。晶圓代工廠正在尋找以不同速率微縮各種單元的方法,而EDA供應商也承諾改善布線,其方式可能是采用極紫外光微影(EUV)技術。


Moroz表示,工程師們也開始探索其他許多技術,以降低金屬導線上的電阻率,從而為加速取得優(yōu)勢開啟大門。其方式包括新的結構,例如跨越多個金屬層的梯度和超導孔(super-vias),以及使用鈷(Co)和釕(Ru)等新材料。

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為了說明未來即將面對的挑戰(zhàn),Moroz詳細闡述開發(fā)藍圖。(來源:Synopsys)


例如,三星承諾為搭配EUV的7nm制程制訂規(guī)范,并計劃在今年制造晶圓,不過它仍然在等待步進器。Samsung Foundry設計支援副總裁Jongwook Kye在座談會上表示,「只要ASML能夠提供這些工具,我們就會開始投入大量制造。」。


同時,三星也正在試圖為2020年的4nm生產(chǎn)定義新的電晶體。Kyle說:「這是我們在未來幾年內(nèi)必須克服的挑戰(zhàn);只要能與工具供應商和其他公司密切合作,我相信我們最終能實現(xiàn)目標?!?/p>


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