《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 嵌入式技術(shù) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 新穎的想法:創(chuàng)造一個(gè)帶有較低額定輸入電壓控制器的150V非同步降壓解決方案

新穎的想法:創(chuàng)造一個(gè)帶有較低額定輸入電壓控制器的150V非同步降壓解決方案

在如今的許多應(yīng)用中,要求的額定輸入電壓超過許多現(xiàn)有DC/DC控制器的VIN最大額定值。對此,傳統(tǒng)的解決辦法包括使用昂貴的前端保護(hù)或?qū)崿F(xiàn)低端柵極驅(qū)動(dòng)器件
2018-01-05

在如今的許多應(yīng)用中,要求的額定輸入電壓超過許多現(xiàn)有DC/DC控制器的VIN最大額定值。對此,傳統(tǒng)的解決辦法包括使用昂貴的前端保護(hù)或?qū)崿F(xiàn)低端柵極驅(qū)動(dòng)器件。這意味著采用隔離拓?fù)?,如反激式轉(zhuǎn)換器。隔離拓?fù)渫ǔP枰远x磁性,且與非隔離方法相比,設(shè)計(jì)復(fù)雜性和成本也有所增加。

存在著另一種解決方案,可以通過使用VIN max(最大輸入電壓)小于系統(tǒng)輸入電壓的簡易降壓控制器來解決問題。這是如何實(shí)現(xiàn)的呢?

降壓控制器通常來源于參考電位(0V)的偏置電源(圖1a)。偏置電源來自輸入電壓;因此,器件需要承受全部的VIN電位。然而,因?yàn)殚_通P通道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)所需的柵極驅(qū)動(dòng)電壓在VGS低于VIN,P通道降壓控制器具有參考VIN(圖1b)的柵極驅(qū)動(dòng)電源。關(guān)閉P通道MOSFET則僅需簡單地將柵極電壓變?yōu)閂IN(0V VGS)(圖2)。

4EEE26EC-7406-4F63-9FF7-FCFBAA864E25.JPG

 圖1:N通道(a)的VCC偏置生成;和P通道控制器(b)

proxy (18).png


 圖2:P通道控制器的柵極驅(qū)動(dòng)

 非同步P通道控制器導(dǎo)出其偏置電源以驅(qū)動(dòng)P通道柵極,可帶來巨大的效益,并且可能實(shí)現(xiàn)提供懸浮在0V電位以上的虛擬接地。對于N通道高側(cè)MOSFET,電壓來自接地的參考電源。這是使用升壓電容器和二極管泵送的電荷,以提供高于VIN源極電位的柵極電壓。使用P通道高側(cè)MOSFET可以顯著簡化該問題。要打開P通道MOSFET,柵極電位需要低于VIN的源極電位。因此,電源僅參考VIN,而非上面提到的VIN和接地。

懸浮接地

如何為控制器創(chuàng)建懸浮接地?這很簡單,通過使用射極跟隨器即可實(shí)現(xiàn)。圖3所示為這種方案的基本實(shí)踐。PNP發(fā)射極的電位為Vbe(~0.7V),低于齊納二極管電壓電位(Vz)。實(shí)質(zhì)上,您可以將控制器浮動(dòng)到VIN,并調(diào)節(jié)控制器的參考值,以限制VIN與器件接地之間的電壓。

proxy (19).png

 圖3:使用簡易射極跟蹤器方案創(chuàng)建虛擬接地

 輸出電壓轉(zhuǎn)換

這里有一項(xiàng)挑戰(zhàn)需要克服。由于控制器位于虛擬接地(Vz-Vbe),并產(chǎn)生參考接地(0V)電位的降壓輸出電壓,因此如何才能將輸出電壓信號轉(zhuǎn)換為位于虛擬接地上方的反饋電壓(通常介于0.8V和1.25V之間)?圖4說明了具體的挑戰(zhàn)。

proxy (20).png

 圖4:展示VOUT(參考0V接地)與控制器的反饋電壓(參考虛擬接地)之間電壓電位差的示意圖

 要關(guān)閉環(huán)路,您可以使用一對配對晶體管以實(shí)踐圖5所示的電路。一匹配對將反饋信號發(fā)送至VIN;另一匹配對產(chǎn)生從VIN到虛擬接地之上電位的電流。

proxy (21).png


 圖5:非同步控制器和使用配對晶體管的饋電實(shí)踐的高級原理圖

 綜上所述

LM5085是我所述應(yīng)用的理想選擇,因?yàn)樗且粋€(gè)P通道非同步控制器,其VCC偏置電源參考VIN。在傳統(tǒng)應(yīng)用中,LM5085可承受高達(dá)75VIN的輸入電壓。對于輸入瞬態(tài)電壓遠(yuǎn)高于75V的應(yīng)用,請考慮此處提出的解決方案,該輸出為12V。

從控制器反饋電壓1.25V開始,使用電流將反饋(Ifb)設(shè)置為1mA,使用公式1計(jì)算Rfb值:

1729E64C-32B0-4186-97DD-43B321B8F284.JPG


式中,Rfb = 1.25k。

Rfb1設(shè)置電流鏡的參考電流。再次以1mA作為參考電流,并使用公式2,計(jì)算Rfb1,以設(shè)置輸出電壓:

1E5DA5C2-7068-46FE-8EFA-9F017DD05A9A.JPG

式中,VOUT = 12V,Rfb1 = 11.3k,Vbe為~0.7V。

當(dāng)1mA流入Rfb2且發(fā)射極電流大致等于集電電流(Ie?Ic)時(shí),設(shè)置參考電流Iref2。環(huán)路閉合,且電壓將調(diào)節(jié)到所述的設(shè)定電壓。

 輸出電壓調(diào)節(jié)

當(dāng)瞬態(tài)電壓顯著高于LM5085的絕對最大值時(shí),適合應(yīng)用這一想法。LM5085是一個(gè)恒定導(dǎo)通時(shí)間(COT)控制器;因此,其導(dǎo)通時(shí)間(Ton)與VIN成反比。然而,當(dāng)將VIN鉗位到LM5085時(shí),Ton將不再隨著VIN(至功率級)的增加而調(diào)整,因?yàn)槠骷⒕哂杏升R納二極管設(shè)置的固定電壓,而VIN(至功率級)將不斷增大。這將導(dǎo)致頻率下降,因?yàn)楣β始壿斎腚妷旱脑黾又党^LM5085的鉗位電壓;因此調(diào)節(jié)電壓可能會(huì)稍微開始增加。因此,為確保以Type 1 紋波注入標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定紋波注入電壓的大小。最終,確保紋波被制定在可接受的范圍內(nèi),以維持穩(wěn)定性及最小化當(dāng)紋波增加時(shí)的輸出誤差。

 示例原理圖

圖6所示為絕對最大VIN額定值為150V的48V電源的示意圖。示例可以在3A條件下提供12VOUT。

563EED6B-1DAE-44D3-B321-2FB5DAB88919.JPG

 圖6:使用LM5085在3A設(shè)計(jì)時(shí)為24V至150VIN(最大)/ 12VOUT 

 圖7所示為從原型電路板獲得的效率圖,圖中兩大參數(shù)為效率(%)和負(fù)載電流(A)。

proxy (22).png


 圖7:不同輸入電壓下效率(%)與負(fù)載電流(A)的關(guān)系

 圖8所示為150VIN時(shí)的開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓和電感紋波電流。

13471B50-A664-4211-AF47-1C02ABFBEF02.JPG


 圖8:通道1開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓,通道4電感紋波電流

 結(jié)論

您可以在系統(tǒng)輸入電壓高于器件最大輸入電壓額定值的應(yīng)用中使用P通道非同步降壓控制器。該應(yīng)用的優(yōu)點(diǎn)在于使用成本較低的控制器,且最大程度地減少了組件數(shù)量。關(guān)于降壓轉(zhuǎn)換器功率級的設(shè)計(jì)指導(dǎo),請參見LM5085數(shù)據(jù)表中的應(yīng)用信息。

 


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,請及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。