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臺積電、ARM等聯(lián)手打造全球首款7nm芯片,2018年下半年出貨

2017-09-19
關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 ARM FinFET 加速器

屆時他們制造一類似CCIX的測試芯片。

最新消息顯示,半導(dǎo)體大廠臺積電計劃聯(lián)合ARM、Xilinx、Cadence共同打造全球首個基于7nm工藝的芯片,屆時他們將采用7nm FinFET工藝,制造一類似CCIX(緩存一致性互聯(lián)加速器)測試芯片,等到明年第一季度會完成流片,2018年下半年開始出貨。

據(jù)了解,這種CCIX芯片可以快速在各元件端順利存取和處理資料,不受限于資料存放的位置以及復(fù)雜的程式開發(fā)環(huán)境。能夠?qū)崿F(xiàn)全程在記憶體內(nèi)運行的資料庫做處理、影像分析、網(wǎng)路處理等應(yīng)用。

同時,這款測試芯片基于ARM v8.2計算核心,擁有DynamIQ、CMN-600互連總線,可支持異構(gòu)多核心CPU。

說到7nm工藝,三星也準(zhǔn)備在明年正式開始出貨7nm LPP,而臺積電這次合作推出的基于7nm工藝測試芯片,既是為了讓自己和三星競爭不處于下風(fēng),也是他們發(fā)展的一個重要節(jié)點。

7nm工藝可滿足從高性能到低功耗的各種應(yīng)用領(lǐng)域,第一個版本CLN 7FF保證能夠把功耗降低60%、核心面積縮小70%。等到2019年的時候,他們則將退出更高級的CLN 7FF+版本,融入EUV極紫外光刻,進(jìn)一步提升晶體管集成度、能效和良品率。

而測試芯片的推出,對于各方也是利事,可以試驗臺積電的新工藝,也便于驗證多核心ARM CPU和片外FPGA加速器協(xié)作的能力。


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