雙晶體管模塊針對宏基站設計提供無與倫比的性能

　　中國，北京 - 2017年8月10日 -實現互聯世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布，推出一款全新的非對稱型 Doherty 放大器---QPD2731，有助于客戶在設計無線基站設備的過程中實現超高功效。該新一代碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）解決方案在單個封裝中采用兩個晶體管，可最大限度提高線性度、效率和增益，并最終降低運營成本。

　　Strategy Analytics服務總監(jiān)Eric Higham表示：“相比GaAs和InP等其他高頻技術，GaN器件可以處理更高的功率；相比LDMOS等其他功率技術，GaN的頻率性能更出色?！?/p>

　　Qorvo高性能解決方案業(yè)務部門總經理Roger Hall表示：“如今的電信基礎設施設計就是要實現可降低成本的高功效。我們的客戶告訴我們，隨著運營商在線提供更多功能，新型GaN-on-SiC QPD2731晶體管可實現這些目標?！?/p>

　　因為LDMOS和GaN-on-Si與之相比，熱性能較差，客戶正越來越多地轉向使用GaN-SiC，以大幅改善無線基站的性能、線性度和效率。QPD2731通過預匹配分立式GaN-on-SiC高電子遷移率晶體管（HEMT）實現這一轉變。目前提供樣片的這款新型放大器可在2.5至2.7 GHz的工作范圍內提供業(yè)內最高性能。

　　根據Qorvo之前發(fā)布的內容，通過標準的市售第三方DPD系統(tǒng)可實現QPD2731的線性化。

　　QPD2731功能

　　工作頻率范圍

　　2.5 - 2.7 GHz

　　Doherty 峰值輸出功率

　　55.0dBm (316W)

　　Doherty 漏極效率

　　60.0% (47.5dBm)

　　Doherty 增益

　　16.0 dB

　　4引腳無耳式陶瓷法蘭 NI780 封裝

　　Qorvo提供包含不同功率、電壓和頻率級別水平的廣泛的氮化鎵（GaN）分立式晶體管產品，采用裸片級和封裝級解決方案。有關這些產品的更多信息，請訪問：http://www.qorvo.com/products/discrete-transistors/gan-hemts。