中國高端制造又一顆新星閃耀，掌握5nm刻蝕機(jī)技術(shù)，與半導(dǎo)體設(shè)備巨頭專利交手并贏得勝利，國內(nèi)第一大半導(dǎo)體設(shè)備制造商再創(chuàng)佳績，成為臺積電最先進(jìn)7nm工藝設(shè)備供應(yīng)商。

據(jù)臺媒報(bào)道，目前臺積電的7nm布局最積極，近期臺積電更是轉(zhuǎn)變了7nm制程設(shè)備的采購策略，將應(yīng)用材料(AppliedMaterials)、科林研發(fā)(LAM)、東京威力科創(chuàng)(TEL)、日立先端(Hitach)、中微半導(dǎo)體5大設(shè)備商均納入采購名單，致力平衡7nm制程設(shè)備商生態(tài)價(jià)格。

值得注意的是，中微半導(dǎo)體是唯一進(jìn)入臺積電7nm制程蝕刻設(shè)備的大陸本土設(shè)備商。據(jù)悉，中微與臺積電在28nm制程時(shí)便已開始合作，并一直延續(xù)到10nm制程，以及現(xiàn)在的7nm制程。未來，中微也將與臺積電跨入下一世代5nm合作。此外，中微也將與聯(lián)電展開14nm工藝制程的合作。

為符合大陸半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化的政策目標(biāo)，2016年，有兩家大陸半導(dǎo)體設(shè)備商獲得國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(大基金)投資。其中一家便是中微半導(dǎo)體，獲得4.8億元投資；另一家是上海微電子設(shè)備(SMEE)。

今年4月，中微半導(dǎo)體CEO尹志堯在公共場合表示，目前中微半導(dǎo)體在全球各地已經(jīng)建置共計(jì)582臺刻蝕反應(yīng)臺，并預(yù)期今年將增長至770臺。目前中微半導(dǎo)體產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入第三代10nm、7nm工藝，并進(jìn)入晶圓廠驗(yàn)證生產(chǎn)階段，即將進(jìn)入下一世代5nm、甚至3.5nm工藝。

據(jù)尹志堯透露，過去幾年公司銷售維持30-35%增長率，預(yù)期2017年增長率將達(dá)到80%。2017年，中微銷售將達(dá)11億元人民幣，在此基礎(chǔ)上，未來十年將持續(xù)開發(fā)新產(chǎn)品，擴(kuò)大市場占有率，中微的目標(biāo)是：2020年20億元、2050年50億元，并進(jìn)入國際五強(qiáng)半導(dǎo)體設(shè)備公司。

目前，中微有460多個(gè)介質(zhì)刻蝕反應(yīng)臺，并在海內(nèi)外27條生產(chǎn)線上生產(chǎn)了約4000多萬片晶圓；同時(shí)，中微還開發(fā)了12英寸的電感型等離子體ICP刻蝕機(jī)；此外，中微還開發(fā)了8英寸和12英寸TSV硅通孔刻蝕設(shè)備，不僅占有約50%的國內(nèi)市場，而且已進(jìn)入臺灣、新加坡、日本和歐洲市場，尤其在MEMS領(lǐng)域擁有意法半導(dǎo)體（ST）、博世半導(dǎo)體（BOSCH）等國際大客戶。

在專利方面，中微共申請了超過800件相關(guān)專利，其中絕大部分是發(fā)明專利，目前有一半以上已獲授權(quán)。

公司董事長尹志堯博士簡介

尹志堯出生于北京，中學(xué)就讀于北京四中，本科及碩士分別畢業(yè)于中科大、北大，1980年赴美留學(xué)，獲得加州大學(xué)物理化學(xué)博士學(xué)位。先后在intel、LAM技術(shù)部門工作，1991年后一直在美國硅谷從事半導(dǎo)體行業(yè)，在世界最大的百億美元的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)——美國應(yīng)用材料公司擔(dān)任總公司副總裁，曾被譽(yù)為“硅谷最有成就的華人之一”，參與了美國幾代等離子體刻蝕機(jī)的研發(fā)，在半導(dǎo)體行業(yè)20多年，擁有60多項(xiàng)專利技術(shù)。然而在2004年，60歲的他依然放棄美國的百萬美元的年薪，沖破美國政府的層層審查，所有的工藝配方、設(shè)計(jì)圖紙都被美國沒收。帶領(lǐng)之三十多人的團(tuán)隊(duì)回到中國，創(chuàng)建中微公司。