新型晶體管為915MHz應用提供750W CW

　　邁阿密–2017年6月20日（IMPI年度微波功率研討會）–全球最大的射頻功率晶體管供應商恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達克代碼：NXPI）今日宣布推出業(yè)內(nèi)面向915MHz應用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波(CW)，比目前市場上同類產(chǎn)品高出百分之五十。MRF13750H晶體管基于50V硅技術LDMOS，突破了半導體射頻功率放大器的極限，使之成為在高功率工業(yè)系統(tǒng)中替代真空管的極具吸引力的產(chǎn)品。

　　這款晶體管簡單易用，極大方便了微波發(fā)生器設計人員。與真空管時代的技術（如磁控管）相比，MRF13750H具有卓越的精度、控制性和可靠性。MRF13750H支持在0至750W的全動態(tài)范圍內(nèi)進行精確的功率控制，并可實現(xiàn)頻移，有助于精確地使用射頻能量。而且，MRF13750H的性能隨時間推移下降很小，能夠運行數(shù)十年，降低了總擁有成本。MRF13750H的工作電壓為50V，比磁控管更安全。另外，固態(tài)功率放大器尺寸小，有助于實現(xiàn)設計冗余和靈活性。

　　恩智浦市場射頻功率工業(yè)技術高級總監(jiān)兼總經(jīng)理Pierre Piel表示：“長期以來，半導體器件的可靠性和優(yōu)異的控制特性早已得到認同，但是工業(yè)系統(tǒng)設計人員難以組合多個晶體管來匹配磁控管的功率水平。現(xiàn)在憑借MRF13750H的優(yōu)異性能，工業(yè)加熱工程師能在非常高功率的系統(tǒng)中使用這種晶體管?！?/p>

　　射頻能量聯(lián)盟執(zhí)行董事Klaus Werner表示：“鑒于固態(tài)射頻能量作為高效可控的熱源和功率源具有諸多優(yōu)勢，射頻能量聯(lián)盟(RFEA)認為該技術有著不可估量的市場機會，不僅能夠改善現(xiàn)有的射頻能量應用，而且有助于開發(fā)新的能量應用。新產(chǎn)品MRF13750H的強大性能無疑將加速行業(yè)向固態(tài)射頻技術的轉(zhuǎn)型?！?/p>

　　這款新晶體管專為工業(yè)、科學和醫(yī)療(ISM)應用而設計，范圍從700MHz至1300MHz，特別適合工業(yè)加熱/干燥、固化和材料焊接及顆粒加速器應用。MRF13750H在915MHz時可提供750W CW，效率為67％，封裝為3×3.8英寸(7.6×9.7厘米)小封裝。