在英特爾宣布進(jìn)入ARM芯片代工市場(chǎng)，并為展訊代工了14nm八核X86架構(gòu)的64位LTE芯片平臺(tái)SC9861G-IA后，另一IDM模式巨頭三星于日前宣布將成立一個(gè)獨(dú)立的代工或合同芯片制造業(yè)務(wù)部門，強(qiáng)化代工業(yè)務(wù)。排名全球前兩位的半導(dǎo)體廠商對(duì)晶圓代工市場(chǎng)表現(xiàn)出了濃厚的興趣，那么臺(tái)積電、格羅方德、聯(lián)電及中芯國(guó)際等純晶圓代工市場(chǎng)上的四強(qiáng)又在做什么呢？

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臺(tái)積電

在晶圓代工領(lǐng)域，臺(tái)積電是當(dāng)之無愧的老大，也是英特爾和三星在代工市場(chǎng)上最強(qiáng)的對(duì)手。除了10nm制程工藝用于今年下半年將發(fā)布的iPhone 8的A11芯片外，早前曾有報(bào)道表示，臺(tái)積電已經(jīng)在測(cè)試尖端7nm芯片產(chǎn)品，且會(huì)在2018年量產(chǎn)，并將在一年后再投產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)加持的新版7nm。而臺(tái)積電5nm將會(huì)在2019年試產(chǎn)，主打移動(dòng)設(shè)備和高性能計(jì)算。

在5月25日的臺(tái)積電技術(shù)論壇上，臺(tái)積電首次揭露了研發(fā)多年的eMRAM（嵌入式磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存）和eRRAM（嵌入式電阻式內(nèi)存）分別將在明后年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，主要采用22nm制程。

格羅方德

在三星和臺(tái)積電就10nm制程工藝“大打出手”的時(shí)候，格羅方德卻決定跳過10nm直取7nm制程。雖然沒有對(duì)10nm“出手”，但格羅方德在去年推出了12nm FD-SOI工藝，對(duì)比16nm FinFET工藝，12nm制程能夠?qū)⒐慕档?0%，性能提升15%，掩膜成本較10nm降低40%。不過根據(jù)早前格羅方德透露的信息，全新的12nm FD-SOI工藝在2019年才能投入量產(chǎn)。

雖然制程工藝進(jìn)步的腳步比不過臺(tái)積電，但近日一則有關(guān)全球首款5nm芯片的消息中，卻出現(xiàn)了格羅方德的身影。IBM日前宣布，與三星、格羅方德組成的聯(lián)盟已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一個(gè)全新的硅納米片晶體管，為實(shí)現(xiàn)5nm工藝鋪平了道路。

另外格羅方德攜手成都市成立的合資公司格芯已經(jīng)展開建設(shè)工作，預(yù)計(jì)將于2018年年初完工。完工后，該晶圓廠將率先投入主流工藝的生產(chǎn)，進(jìn)而專注于22FDX的制造，預(yù)計(jì)將于2019年開始實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

聯(lián)電

聯(lián)電雖然貴為臺(tái)灣晶圓代工雙雄，但在晶圓代工市場(chǎng)上遠(yuǎn)不如臺(tái)積電精彩。今年年初時(shí)，公司宣布了其自主研發(fā)的14nm FinFET工藝，已成功進(jìn)入客戶芯片量產(chǎn)階段，且良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)水準(zhǔn)。在成功量產(chǎn)14nm后，聯(lián)電也啟動(dòng)了廈門子公司聯(lián)芯的28nm制程量產(chǎn)計(jì)劃，劍指大陸快速成長(zhǎng)的中低端手機(jī)芯片市場(chǎng)。

中芯國(guó)際

中芯國(guó)際作為大陸晶圓代工一哥，已經(jīng)開始量產(chǎn)28nm PolySiON工藝，而對(duì)于更高級(jí)并將扮演更重要角色的28nm HKMG，中芯國(guó)際曾透漏，對(duì)于HKMG平臺(tái)，今年將積極導(dǎo)入設(shè)備與試產(chǎn)，最快第三季備妥產(chǎn)能，預(yù)期今年“會(huì)持續(xù)成長(zhǎng)，但貢獻(xiàn)度有限”。

新任CEO趙海軍也表示過，中芯將持續(xù)投入28nm新平臺(tái)與14nm研發(fā)的推進(jìn)，預(yù)計(jì)2019年14nm投入試產(chǎn)。

另外，中芯國(guó)際也開始啟動(dòng)了7nm制程工藝的研發(fā)，并與北方華創(chuàng)、中微建立了長(zhǎng)期合作關(guān)系。