隨著3D NAND快閃(Flash)內(nèi)存技術(shù)日益成熟，以及相關(guān)供貨商大力推廣下，工業(yè)用儲存所采用的內(nèi)存規(guī)格今年將大舉轉(zhuǎn)向3D NAND方案，同時也將導入傳輸效能更好的PCIe接口，以進一步提高儲存容量密度與產(chǎn)品性價比。

宇瞻科技(Apacer)垂直市場應(yīng)用產(chǎn)品處處長林志亮表示，2D微縮制程已進入瓶頸，使得內(nèi)存制造商擴大采用新型3D堆棧與三層式儲存(TLC)設(shè)計架構(gòu)，讓NAND Flash芯片容量密度激增，且成本顯著下滑，吸引固態(tài)硬盤開發(fā)商大舉采納，用以打造兼具高儲存容量和價格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。

林志亮認為，在工業(yè)內(nèi)存制造規(guī)格上，2017年最大改變除了將2D NAND汰換成3D NAND之外，過去在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中，較少有AES數(shù)據(jù)加密功能的產(chǎn)品，預(yù)計導入AES數(shù)據(jù)加密功能的內(nèi)存也將會是2017年一大重點，尤其是軍工產(chǎn)品。

不僅如此，PCIe接口規(guī)格導入工控儲存產(chǎn)品也將是2017年的亮點之一。 現(xiàn)階段PCIe接口主要的應(yīng)用市場在云端服務(wù)器領(lǐng)域，因為該領(lǐng)域?qū)τ诖笕萘颗c寬帶的需求殷切；不過，后續(xù)針對同樣要求高效能的軍工、電競市場，都是下一步將導入的重點領(lǐng)域。

整體而言，林志亮推測，2018年開始，將有一半以上的工業(yè)計算機(IPC)廠商開始陸續(xù)采用3D NAND，預(yù)估2017下半年會陸續(xù)做驗證動作。

林志亮分析，近兩年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)與過去幾年大相徑庭。 一般而言，內(nèi)存市場會隨著季節(jié)性的變化，營收有高低起伏的變動，少有內(nèi)存產(chǎn)業(yè)會連續(xù)成長超過六季，這歸因于兩項重大刺激因素所導致。 首先，在于2D NAND閃存轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù)輪替，使得內(nèi)存產(chǎn)能供不應(yīng)求；再者，各種終端裝置對整體內(nèi)存需求量的成長，尤其是汽車產(chǎn)業(yè)。

林志亮談到，過去內(nèi)存產(chǎn)業(yè)主要需求來自于手機廠商，但近年智能汽車市場的起飛，對于各式各樣傳感器、相機與內(nèi)存的需求急速攀升，助長內(nèi)存產(chǎn)能擴增。 此外，大量使用動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)與NAND Flash的PC、Ultramobile、服務(wù)器與固態(tài)硬盤等電子設(shè)備，也將帶動半導體營收的增加。