PE42525和PE426525具有高速開(kāi)關(guān)、高隔離度、低插入損耗及出色的線(xiàn)性度等特性，為微波頻段上的RF SOI設(shè)定了新標(biāo)準(zhǔn)

　　RF SOI（射頻絕緣體上硅）的發(fā)明者及先進(jìn)射頻解決方案的先驅(qū)派更（Peregrine）半導(dǎo)體公司宣布，其可立即量產(chǎn)供應(yīng)UltraCMOS? 60 GHz RF SOI開(kāi)關(guān)。PE42525和PE426525將派更的高頻產(chǎn)品組合擴(kuò)展至以往由砷化鎵（GaAs）技術(shù)主導(dǎo)的頻段。

　　這兩種60 GHz開(kāi)關(guān)在所有關(guān)鍵射頻參數(shù)上均表現(xiàn)出杰出的性能，最高開(kāi)關(guān)速度僅8納秒。PE42525是5G系統(tǒng)中測(cè)試與測(cè)量（T&M）設(shè)備、微波回傳解決方案及更高頻率開(kāi)關(guān)的理想選擇。PE426525擴(kuò)展了適用溫度區(qū)間，成為工業(yè)市場(chǎng)中嚴(yán)苛環(huán)境應(yīng)用的首選。

　　派更半導(dǎo)體公司全球銷(xiāo)售副總裁Colin Hunt表示：“去年10月初，我們?cè)跉W洲微波與射頻通訊技術(shù)專(zhuān)業(yè)展覽會(huì)（European Microwave Week）上宣布將推出60 GHz開(kāi)關(guān)樣品和評(píng)估工具，獲得了巨大的市場(chǎng)反響。這些高頻開(kāi)關(guān)在多個(gè)市場(chǎng)被廣泛應(yīng)用，包括5G、測(cè)試與測(cè)量和防務(wù)市場(chǎng)等。這些開(kāi)關(guān)不僅打破了高頻開(kāi)關(guān)產(chǎn)品的范例，同時(shí)也改變了SOI快速開(kāi)關(guān)的固有模式?！?/p>

　　PE42525和PE426525是派更公司高頻產(chǎn)品組合的成員，該產(chǎn)品組合包括多款開(kāi)關(guān)產(chǎn)品、一種鏡像抑制混頻器，及多款單片相位與幅度控制器（MPAC）。派更公司的專(zhuān)屬UltraCMOS技術(shù)平臺(tái)可確保這些產(chǎn)品達(dá)到較高的頻率，且不會(huì)對(duì)產(chǎn)品性能或可靠性造成影響。

　　產(chǎn)品特性、封裝、價(jià)格與供貨

　　PE42525與PE426525均為單刀雙擲（SPDT）射頻開(kāi)關(guān)，可支持9 kHz~60 GHz的寬廣頻率區(qū)間。這兩款反射式開(kāi)關(guān)可實(shí)現(xiàn)驚人的8納秒高速開(kāi)關(guān)速度，以及3納秒的RF TRISE/TFALL時(shí)間。這兩款開(kāi)關(guān)僅需390納安的低電流。除所有關(guān)鍵射頻規(guī)格均達(dá)到卓越性能外，它們還具備端口間高隔離度、低插入損耗、大功率處理能力、高線(xiàn)性度及杰出1 kV HBM ESD保護(hù)等性能。在50 GHz時(shí)，PE42525與PE426525的端口間隔離度為37 dB，插入損耗為1.9 dB。PE426525的擴(kuò)展溫度范圍達(dá)到-55~+125攝氏度。

　　PE42525和PE426525采用500微米凸塊間距的倒裝片芯，這種外形最適應(yīng)于高頻工作，可消除因焊線(xiàn)結(jié)合長(zhǎng)度而產(chǎn)生的性能差異。

　　量產(chǎn)零件與評(píng)估工具已上市銷(xiāo)售。訂購(gòu)1千片時(shí)的價(jià)格為PE42525每片40美元，PE426525每片48美元。